# 专利创造性评估报告
**对比文件名称：** 2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device
**目标专利名称：** 223可切换的天线阵列CN105917581B
**本次调用的模型名称：** 专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括阻抗电路**<br>**《隐含公开》** | 参见附图3a-3b及说明书相应描述。具体地，多频带变换级(14)包括信号路径(50)，该信号路径由第一传输线T1和第二传输线T2串联构成。第一传输线T1被构造为对于1800MHz和1900MHz频带具有大约λ/4特性，第二传输线T2被构造为使得两条传输线T1和T2串联后对于900MHz频带具有大约λ/4特性。 | 对比文件公开了一个多频带变换级，其中包含由传输线T1和T2构成的信号路径。这些传输线在特定频率下呈现λ/4特性，其作用是实现阻抗变换，从而在开关D1或D2闭合产生短路时，在信号输入端(20)呈现开路，实现高、低功率级间的隔离。虽然对比文件未明确使用“阻抗电路”这一术语，但其传输线T1、T2作为一个整体，在本领域技术人员看来，实质上起到了在特定频率下提供特定阻抗（开路或匹配）的作用，这与目标专利中“阻抗电路”用于匹配和平衡不同开关状态下的阻抗的作用是相似的。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **B：多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子**<br>**《未公开》** | 参见附图1及说明书第1页第28行至第2页第2行：“A coil L1 establishes a DC path to the pin diodes D1 and D2...”（线圈L1建立到pin二极管D1和D2的直流路径...）。在附图3a-3b所示的多频带变换级(14)中，与开关D1、D2并联的电感器（图中未示出，但根据背景技术部分对图1的描述，其作用相同）一端连接在传输线节点（52，54）上，另一端连接至开关。 | 对比文件确实公开了与开关并联的电感器（线圈L1），并且该电感器耦合到了传输线（相当于阻抗电路）的节点。然而，目标专利权利要求明确限定电感器耦合到“多个非接地输出端子”。在对比文件中，开关（D1, D2）的一端是直接接地的（见附图3a-3b，节点52、54通过开关D1、D2接地）。这意味着与开关并联的电感器所连接的那个开关端子，在开关闭合时是直接接地的，其功能是提供一个到地的可控短路路径，而非连接到一个“非接地”的输出端子。目标专利中的“输出端子”是用于连接至天线或下一级网络，是不接地的。因此，对比文件未公开“非接地输出端子”这一关键限定。 |
| **C：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关**<br>**《直接公开》** | 参见附图1及说明书第1页第28行至第2页第2行：“A coil L1 establishes a DC path to the pin diodes D1 and D2...”（线圈L1建立到pin二极管D1和D2的直流路径...）。结合附图1，线圈L1与两个pin二极管D1、D2并联连接。在后续实施例（图3a-3b）的多频带变换级中，其开关（D1, D2）同样并联有电感器（如背景技术所描述的结构）。 | 对比文件明确公开了电感器（线圈L1）与开关（pin二极管D1, D2）并联连接的结构。该电感器的作用是提供直流偏置路径。该技术特征与目标专利中“电感器并联耦合至对应开关”的特征在结构上完全相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **D：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活**<br>**《直接公开》** | 参见说明书第4页第1-2行：“The two pin diodes D1, D2 can independently by means of a...individual control power network are switched.”（两个pin二极管D1, D2可以通过...独立的控制电源网络被独立地开关。）以及表1中描述了D1和D2在不同工作模式（高/低频带发射、接收）下的不同开关状态。 | 对比文件明确描述了多频带变换级中的两个开关（D1, D2）可以被独立地控制其开闭状态，以实现不同的工作模式（例如，高频发射时D1开、D2关，低频发射时D1关、D2开，接收时两者都关）。这直接公开了“至少一个开关被配置为独立地被激活”这一特征。 |
| **E：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号**<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件公开的多频带变换级是一个单输入单输出的阻抗变换网络。其开关（D1, D2）的作用是选择性地将传输线上的节点接地，以产生短路，进而通过λ/4线特性在输入端实现开路，从而隔离低功率级。开关并不用于从多个路径中选择信号输出，也没有任何将多个开关输出的信号进行“组合”以产生一个组合信号的部件或功能。目标专利中的“组合器”是CDS（可配置分配和加和）网络的核心部件，用于将来自多个天线的信号或向多个天线分配的信号进行组合或分配。两者作用根本不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **F：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出**<br>**《隐含公开》** | 参见附图1及工作原理描述。当开关（pin二极管）被正向偏置（“on”）时，其呈现低电阻，信号（或直流控制电流）将主要通过开关流通；当开关未被偏置（“off”）时，其呈现高阻抗，信号路径将通过并联的电感器（线圈L1）。 | 从对比文件公开的电路结构和工作原理可以合理推断出：当开关（D1或D2）导通（激活）时，由于开关电阻远小于并联电感器的感抗（在射频下），从阻抗电路（传输线节点）流向开关输入端的电流将主要流经开关（即被开关“旁路”），并从开关的输入传播至其输出（接地端）。当开关断开时，信号无法通过开关，此时电感器成为主要路径。这隐含了开关“选择性地使信号旁路相应的电感器”的功能。虽然对比文件未明确使用“旁路”一词描述此现象，但这是本领域技术人员根据基本电路原理可毫无疑义地得出的结论。因此，该特征被隐含公开。 |
| **G：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗**<br>**《未公开》** | 对比文件中开关元件为pin二极管（见说明书及附图，如D1, D2, D3, D4），未提及晶体管。也未提及基于任何“标准”来确定开关（或二极管）的“大小”（如尺寸）以平衡不同模式下的阻抗匹配和串联损耗。 | 目标专利明确限定开关为“晶体管”，并强调其大小根据特定标准确定，以优化（平衡）阻抗匹配和插入损耗。对比文件使用pin二极管作为开关元件，其工作原理（作为受控可变电阻）与晶体管有区别。更重要的是，对比文件完全没有涉及根据任何性能标准来“确定开关大小”的设计方法。其开关的选取是为了实现导通/关断，其性能（如损耗、匹配）主要由外部的λ/4传输线特性决定，而非通过精细化设计开关本身尺寸来平衡多模式性能。因此，该特征未被公开。 |
| **H：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关**<br>**《未公开》** | 参见说明书对图3a天线开关工作模式的描述及表1。其中明确描述了开关的“开（on）”和“关（off）”状态对应于不同的工作模式（如发射或接收）。 | 虽然对比文件公开了开关的闭合（on）和断开（off）状态对应不同的工作模式（例如高频发射、低频发射），但这仅仅是目标专利特征H的字面描述。特征H是特征G的从属特征，用于解释特征G中“第一模式”和“第二模式”的具体含义。由于特征G（确定晶体管大小以平衡模式间性能）本身未被公开，且对比文件中开关状态与模式的关系是为了实现不同频带信号的隔离（利用λ/4线变换），而非为了平衡阻抗匹配与串联损耗这一特定目的，因此该特征在目标专利所限定的技术方案语境下未被公开。 |
| **I：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定**<br>**《未公开》** | 对比文件仅说明电感器（线圈L1）用于建立到pin二极管的DC路径（第1页第28行-第2页第2行），未提及电感器的大小（电感值）需要根据开关的多种配置（例如哪些开关开、哪些开关关）来确定或优化。 | 目标专利说明书中详细描述了如何基于开关的所有可能配置（例如4开关时有16种），通过仿真来选择电感器大小，以在所有配置下实现合理的回波损耗和低插入损耗。对比文件完全没有公开这种设计理念或方法。其电感器的作用是提供直流偏置，其值的选择主要考虑射频扼流（RFC）功能，与开关的多种配置组合无关。因此，该特征未被公开。 |
| **J：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活**<br>**《直接公开》** | 参见附图3a-3b。电感器（图中未示出，但根据背景技术，其连接方式应同图1的L1）一端连接在传输线T1、T2的节点（52，54）上，这些节点是传输线（阻抗电路）的一部分。开关D1、D2的激活（导通）由控制电源网络施加的控制电压/电流（控制信号）决定（参见对图1的描述：“The switching state...is controlled by means of a control voltage V_DC”）。 | 对比文件明确显示，电感器连接到传输线（即阻抗电路）的节点（52，54）上。这些节点对于每个开关及其并联电感器而言是“公共”的连接点。同时，开关的激活明确依赖于控制信号（控制电压V_DC）。因此，特征J的两个限定（电感器经由公共节点耦合至阻抗电路、开关基于控制信号激活）均被对比文件直接公开。 |
| **K：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器**<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件中的阻抗电路由传输线T1、T2构成，没有公开在输入端口和所述多个电感器（即与开关并联的电感器）之间还存在一个额外的“第二电感器”。图4仿真设置中的L3、L4属于高功率级(12)，并非多频带变换级(14)内阻抗电路的组成部分。 | 目标专利的阻抗电路包含一个特定的匹配网络结构，即一个串联的第二电感器和一个并联到地的电容器（见特征L）。对比文件的多频带变换级阻抗电路是纯传输线结构，不具备此特定元件组合。因此，该特征未被公开。 |
| **L：以及电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地**<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件的多频带变换级(14)内部没有描述包含这样的电容器。图4仿真中的电容器C1、C2同样属于高功率级(12)，用于与pin二极管的寄生电感形成谐振电路，其连接点也不是目标专利所述的“输入”端口（对比文件的多频带变换级的输入是端口20）。 | 如特征K所述，对比文件未公开目标专利中阻抗电路的这一具体结构（包含接地电容器的匹配网络）。因此，该特征未被公开。 |
| **M：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级**<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件的多频带变换级(14)是一个用于在多频带天线开关中实现高、低功率级间隔离以及不同频带发射模式选择的阻抗变换网络。其并非一个“分配和加和网络”（CDS），不具备将信号分配到多个路径或从多个路径求和的功能。 | 目标专利的核心在于可配置的分配和加和（CDS）网络，用于灵活地配置天线阵列。对比文件的电路完全不涉及“分配和加和”的功能。因此，该特征未被公开。 |
| **N：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线**<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件没有公开任何具有多级的“分配和加和网络”。其低功率级(16)是一个接收或收发开关矩阵，它连接多个接收机（或发射机），但并不直接耦合到“多个天线”，而是通过多频带变换级(14)和高功率级(12)连接到单个天线端口(22)。 | 由于特征M（分配和加和网络）未被公开，作为其从属特征的特征N自然也未被公开。此外，对比文件的架构（单天线端口、开关矩阵选择接收通道）与目标专利的多天线阵列、多级CDS网络结构有本质区别。 |
| **O：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享**<br>**《未公开》** | 对比文件的多频带变换级(14)确实在发射路径和接收路径之间共享（参见工作模式描述：在发射模式用于隔离，在接收模式用于信号传输）。 | 虽然对比文件的电路级在发射和接收路径间共享，但该电路级并非目标专利所限定的“分配和加和网络”。目标专利的“共享”是指同一个无源CDS网络被复用于发射和接收，以减少芯片面积。对比文件中共享的电路是实现频带隔离的变换级，其目的和作用均不同。因此，在目标专利限定的“分配和加和网络”的语境下，该特征未被公开。 |
| **P：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内**<br>**《未公开》** | 参见说明书第5页第16-20行：“The multiband converter stage (14) is also built in multi-layer technology...the high performance stage (12) and the multiband converter stage (14) can be integrated on a single multi-layer substrate.”（多频带变换级(14)也是用多层技术构建的...高功率级(12)和多频带变换级(14)可以集成在单个多层基板上。）以及第6页第1-2行：“The low power stage (16) is realized as a microwave monolithic integrated circuit (MMIC) device.”（低功率级(16)被实现为微波单片集成电路（MMIC）器件。） | 对比文件指出其不同模块（高功率级、多频带变换级、低功率级）可以采用不同的技术（多层技术、MMIC）制造，并且高功率级和变换级可以集成在一个基板上，低功率级是独立的MMIC。它没有公开如目标专利权利要求所述的，将分配和加和网络的第一级、第二级以及多个放大器全部集成在一个“射频集成电路（RFIC）”内。目标专利的集成度更高且结构不同。因此，该特征未被公开。 |
| **Q：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中**<br>**《直接公开》** | 参见说明书第4页第1-3行：“The antenna switch (10) ... is part of a mobile phone...”（天线开关(10)...是移动电话的一部分...）。多频带变换级(14)及其包含的传输线（阻抗电路）和电感器是天线开关(10)的组成部分。 | 对比文件明确其描述的多频带天线开关（包含多频带变换级）用于移动电话（移动通信设备）。因此，其中包含的阻抗电路（传输线T1, T2）和电感器（与开关并联的线圈）必然被包含在移动通信设备中。该特征被对比文件直接公开。 |
## 输出代码
基于以上分析，对比文件直接公开了技术特征C、D、J、Q，隐含公开了技术特征A、F。
<<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<Q>>><<<a>>><<<f>>>