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对比文件列表
1980-05-06_发明授权_US4201960A Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna_+++A_C_D_F_H_L_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1987-01-21_发明公开_EP0208984A1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_L_Q_f_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1988-12-06_发明授权_US4789846A Microwave semiconductor switch_+++C_D_F_a_h+++.docx
2026-03-10 19:07
1990-05-23_发明授权_EP0208984B1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_F_L_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver_+++C_D_H_I_J_Q_a_b_f+++.docx
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2002-09-06_发明申请_WO2002069435A1 MULTIBAND R. F. SWITCHING DEVICE_+++C_D_H_Q_a_b_f_j+++.docx
2026-03-10 19:07
2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit_+++A_B_C_D_F_I_J_h_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2004-05-13_发明申请_US20040092285A1 Multiband r f switching device_+++C_D_H_J_Q_a_b_e_f+++.docx
2026-03-10 19:07
2005-04-14_发明专利_JP2005101097A Semiconductor device and its manufacturing method_+++C_D_Q_f_h_j+++.docx
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2005-10-20_发明申请_US20050233706A1 Switching circuit_+++B_C_D_H_J_f_o_p_q+++.docx
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2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx
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2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx
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2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device_+++C_D_J_Q_a_f+++.docx
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2008-08-28_发明申请_US20080204338A1 METHOD AND SYSTEM FOR SOFTWARE DEFINED ANTENNA CONTROL_+++A_B_C_D_F_L_Q_h_j+++.docx
2026-03-10 19:07
2008-10-02_发明申请_US20080238570A1 Spst Switch, Spdt Switch and Mpmt Switch_+++C_D_H_J_b_f_g_i_l+++.docx
2026-03-10 19:07
2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기_+++D_H_c_f+++.docx
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2009-03-05_发明专利_JP2009049849A Switch circuit and phase shifter_+++f_h_q+++.docx
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2009-10-29_发明申请_US20090267588A1 METHOD AND APPARATUS TO DYNAMICALLY CONTROL IMPEDANCE TO MAXIMIZE POWER SUPPLY_+++A_B_C_D_F_K_L_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-05-05_发明申请_US20110102291A1 Method and System for Software Defined Antenna Control_+++A_B_C_D_F_J_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2012-08-29_发明专利_JP5010394B2 Phase shifter_+++D_F_H+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-08-29_发明申请_US20130222075A1 Methods and Apparatuses for use in Tuning Reactance in a Circuit Device_+++A_C_D_F_H_J_b_g_i_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-12-18_发明公开_CN103454654A 一种用于卫星导航射频前端的可配置的匹配网络_+++C_D_F_h_l_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-10-23_发明申请_WO2014172077A1 TUNABLE MULTIBAND ANTENNA WITH PASSIVE AND ACTIVE CIRCUITRY_+++D_F_Q_c+++.docx
2026-03-10 19:07
2009-03-05_发明专利_JP2009049849A Switch circuit and phase shifter_+++f_h_q+++.docx

**对比文件名称:** JP2009049849A Switch circuit and phase shifter

**目标专利名称:** CN105917581B 可切换的天线阵列

**本次调用模型名称:** GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括:阻抗电路《未被公开》对比文件中未记载独立的“阻抗电路”。[2]段落描述了开关电路,包含晶体管T1、T2和电感L,但并未描述一个具有特定阻抗匹配功能的独立阻抗电路。目标专利中的“阻抗电路”(如图4中404)是一个明确的匹配网络,用于提供阻抗匹配。对比文件图1所示的开关电路用于移相器,其结构中未包含独立于开关和电感之外的、功能为阻抗匹配的电路。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。
技术特征B:以及 多个电感器,所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子,《未被公开》对比文件图1仅示出了一个电感器L。[2]段落记载:“トランジスタT1のドレインにインダクタLの一端を接続し(ノードP1に相当)...インダクタLの他端をトランジスタT2のドレインに接続する。” (将电感L的一端连接到晶体管T1的漏极(相当于节点P1)...将电感L的另一端连接到晶体管T2的漏极。)目标专利的“多个电感器”分别耦合至阻抗电路和多个输出端子(如开关的输出端)。对比文件仅公开了一个电感器L,该电感器连接在两个晶体管(T1的漏极和T2的漏极)之间,并未连接到多个独立的非接地输出端子,也未耦合至一个独立的阻抗电路。因此,对比文件未公开该特征。
技术特征C:并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关,《未被公开》[2]段落记载:“スイッチ回路は、トランジスタT1、T2、インダクタLを備える。”以及“インダクタLと第2の電界効果トランジスタとの直列接続回路が第1の電界効果トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続される。” (开关电路包括晶体管T1、T2和电感L。以及,电感L和第二场效应晶体管的串联连接电路与第一场效应晶体管的源极-漏极之间并联连接。)目标专利中,每个电感器直接并联在一个开关的两端(开关输入和输出之间)。对比文件中,电感L与晶体管T2串联后,再与作为主要开关的晶体管T1并联。这种“电感与另一开关串联后再与主开关并联”的结构,与本特征“每个电感器并联耦合至对应开关”的结构不同。对比文件未公开该结构。
技术特征D:其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。《未被公开》[2]段落记载:“第1および第2のスイッチ回路は、排他的にオンとなるように構成される。” (第一和第二开关电路被配置为排他性地导通。)图2的移相器中,开关SW1和SW3、SW2和SW4是成对受相反信号控制,实现SPDT功能。目标专利中,开关可被独立激活以配置天线阵列。对比文件中的开关用于构成SPDT开关,选择高通或低通滤波路径,其开关是成对(排他性)动作的,目的是选择一条路径而非独立配置多个路径。本领域技术人员无法从对比文件推断出开关可被“独立”激活以实现天线阵列的多种组合配置。
技术特征E:还包括组合器,所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。《未被公开》对比文件未记载“组合器”。[2]段落及附图2描述了移相器,其通过SPDT开关选择HPF或LPF路径,信号从IN到OUT仅通过一条路径,不存在将多个开关输出的信号进行组合的部件。目标专利中的“组合器”(如附图4中的450)用于组合来自多个被选中开关的信号,这是实现信号分配与合成(CDS)网络功能的核心。对比文件中的电路是路径选择(二选一),而非信号组合。因此,对比文件未公开该特征。
技术特征F:其中,每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。《隐含公开》[2]段落记载:“トランジスタT1は、オン状態では等価的に抵抗として表され...この場合は、スイッチ回路は、通常のスイッチの通過特性を示す。” (晶体管T1在导通状态下等效表示为电阻...此时,开关电路显示出通常的开关通过特性。)结合图1,当作为主开关的晶体管T1导通(激活)时,信号主要从节点P1通过T1(低电阻路径)流向节点P2。目标专利中,当开关闭合时,信号直接通过开关,从而“旁路”了与之并联的电感器。对比文件中,当晶体管T1导通时,信号主要流经T1的源漏通道(低阻路径)。虽然电感L与T2串联的支路仍然存在,但由于T1的导通电阻远小于该支路在信号频率下的阻抗(T2常开,支路呈感性),信号实质上被T1“旁路”,而不会主要流经电感L。本领域技术人员可以理解,在开关导通时,信号优先通过低阻抗的开关路径,从而实现旁路并联电感的功能。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征G:其中,所述多个开关中的每个开关包括晶体管,并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。《未被公开》对比文件未提及基于任何标准来确定晶体管的大小以平衡不同模式下的阻抗匹配和损耗。[2]段落主要讨论开关结构对隔离度、插入损耗和DC测量的影响,但未涉及晶体管尺寸的设计标准。目标专利明确限定了晶体管大小的确定标准,旨在优化开关在不同状态(导通/关断)下的性能平衡。这是目标专利中一个具体的设计方法特征。对比文件完全没有涉及晶体管尺寸的设计考量或标准。因此,该特征未被公开。
技术特征H:其中,所述第一模式对应于闭合的开关,而所述第二模式对应于断开的开关。《隐含公开》[2]段落描述了开关的“オン状態”(导通状态)和“オフ状態”(关断状态),并分析了这两种状态下的电路特性(例如,导通时呈电阻,关断时呈电容并与电感形成并联谐振)。目标专利将“第一模式”和“第二模式”分别定义为开关闭合和断开的状态。对比文件虽然未使用“第一模式”、“第二模式”的术语,但其技术方案的核心就是分析并优化开关在“导通”和“关断”这两种状态下的性能(如隔离度)。本领域技术人员阅读对比文件后,能够毫无疑义地理解其描述的“导通状态”和“关断状态”即分别对应目标专利中“开关闭合”和“开关断开”的状态。因此,该特征被隐含公开。
技术特征I:其中,所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。《未被公开》对比文件未提及基于开关的多种配置来确定电感器的大小。[2]段落仅说明了电感L用于与晶体管T1的关断电容形成并联谐振以提高关断隔离度,未涉及针对多种开关配置(如目标专利中CDS网络的多种组合)来设计电感值。目标专利中电感器大小的确定是一个针对可配置分配和加和网络中多种开关组合状态的优化设计过程。对比文件中的电感器是用于单个SPDT开关中,以解决特定问题(关断隔离和DC测量),其设计考量是固定的,不涉及基于“多个配置”的标准。因此,该特征未被公开。
技术特征J:其中,所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路,并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。《部分公开/部分未公开》1. 关于“公共节点”和“阻抗电路”:对比文件未记载“公共节点”和“阻抗电路”。图1中电感L一端接T1漏极(P1),另一端接T2漏极,并无一个公共节点连接多个电感器至一个阻抗电路。<br>2. 关于“基于控制信号的值而被激活”:[2]段落记载:“トランジスタT1、T2のそれぞれのゲートには...それぞれ制御信号SGa、SGbを供給する。”(向晶体管T1、T2的各自的栅极...供给控制信号SGa、SGb。)1. 目标专利中“多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路”是一个具体的电路连接关系。对比文件未公开“阻抗电路”,也未公开多个电感器通过一个公共节点连接的结构。因此,该部分未被公开。<br>2. 目标专利中开关基于控制信号激活是开关电路的基本控制方式。对比文件明确记载了通过向晶体管栅极施加控制信号(SGa, SGb)来控制其导通与关断。因此,“开关被配置为基于控制信号的值而被激活”这一技术手段被对比文件直接公开。由于技术特征J是一个整体,包含了未被公开的“公共节点”和“阻抗电路”的连接关系,因此技术特征J作为一个整体未被对比文件公开。
技术特征K:其中,所述阻抗电路包括:第二电感器,被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器《未被公开》对比文件未记载这样的“第二电感器”。[2]段落及附图1-2中的电路元件不包含目标专利中描述的与输入和多个电感器连接的“第二电感器”。目标专利的阻抗电路包含特定的匹配元件,如第二电感器。对比文件的开关电路中不存在该元件。因此,该特征未被公开。
技术特征L:以及 电容器,被耦合至所述输入并被耦合至地。《未被公开》对比文件未记载这样的电容器。[2]段落及附图1-2中的电路元件不包含目标专利中描述的连接在输入和地之间的电容器。目标专利的阻抗电路包含特定的匹配元件,如接地电容器。对比文件的开关电路中不存在该元件。因此,该特征未被公开。
技术特征M:其中,所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。《未被公开》对比文件未提及“分配和加和网络”。[2]段落描述的开关电路是用于构成移相器的SPDT开关,其功能是选择信号路径(HPF或LPF),而非对信号进行分配与合成。目标专利的技术方案应用于可切换天线阵列中的“可配置分配和加和(CDS)网络”,其第一级由开关和电感器构成,用于信号的分配/合成。对比文件的电路应用于相位切换,其目的、功能及整体架构均与目标专利的“分配和加和网络”不同。因此,该特征未被公开。
技术特征N:其中,所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关,其中,所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。《未被公开》对比文件未提及“分配和加和网络”的第二级、多个放大器以及与多个天线的耦合。该特征描述了目标专利中多级CDS网络的具体架构及其与天线的连接关系。对比文件完全不涉及天线阵列、多级开关网络以及与天线之间的放大器耦合。因此,该特征未被公开。
技术特征O:其中,所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。《未被公开》对比文件未提及“分配和加和网络”,也未提及发射路径和接收路径的共享。该特征描述了目标专利CDS网络在收发路径共享方面的优点。对比文件的移相器电路是单向的信号处理模块,未涉及发射和接收的双向路径,更未提及共享。因此,该特征未被公开。
技术特征P:其中,所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。《未被公开》对比文件未提及任何部件集成在“射频集成电路(RFIC)”内。该特征限定了电路的具体实现形式(集成于RFIC)。对比文件未披露该实现方式。因此,该特征未被公开。
技术特征Q:其中,所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。《隐含公开》对比文件未明确说明其开关电路或移相器被用于“移动通信设备”。[2]段落开头提及“マイクロ波帯のスイッチ回路およびこれを用いた移相器”(微波波段的开关电路以及使用它的移相器)。目标专利明确其应用于无线设备(如手机)。对比文件公开的微波波段开关和移相器,是本领域常见的射频前端部件。虽然对比文件没有明确记载用于“移动通信设备”,但本领域技术人员知晓,此类微波开关和移相器广泛应用于包括移动通信设备在内的各种无线通信系统中。因此,可以合理推断该技术特征所限定的应用场景被对比文件隐含公开。

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