对比文件名称：1994-03-29_None_发明专利_JPH0689484A Magnetic recording and reproducing device
目标专利名称：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 《未公开》<br>经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | 无对应内容。 | 目标专利中“阱容量”是光感测元件（如光电二极管）保存电荷能力的特定技术参数，用于扩展动态范围。对比文件涉及磁记录设备的光学检测（如反射型光传感器、光电开关），用于检测磁带位置、状态或类型，其说明书全文未提及任何光感测元件的“阱容量”这一概念或参数。二者技术领域（磁记录 vs. CMOS图像传感）和作用（机械状态检测 vs. 电荷积累与读出）完全不同。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| B: 《未公开》<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 无对应内容。 | 目标专利中具有不同阱容量（一大一小）的两个光感测元件是实现高动态范围成像的核心。对比文件未提及任何光感测元件的“阱容量”，更未描述两个光感测元件具有不同阱容量且一大一小的设置。其光学检测元件（如发光部、受光部）的作用是检测光通路的通断或反射率变化，而非以不同电荷存储能力协同工作来扩展动态范围。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| C: 《未公开》<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 无对应内容。 | 目标专利中“整合时间”是光感测元件积累光生电荷的持续时间，是曝光控制的关键。对比文件中的光学元件（如发光二极管、光电晶体管）用于瞬时检测光信号的有无或强度，其说明书未涉及为光感测元件设定或确定一个特定的电荷积累时间（整合时间）的概念。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| D: 《未公开》<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | 无对应内容。 | 目标专利中为同一像素内两个光感测元件确定不同的整合时间（如TL和TS）是实现动态范围扩展的重要方法。对比文件完全没有提及为光感测元件设置整合时间，更不用说为两个元件设置不同的整合时间。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| E: 《未公开》<br>以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 无对应内容。 | 目标专利该特征涉及CMOS图像传感器像素内部的特定电路结构，即两个光感测元件共享复位晶体管、源跟随晶体管等，以实现紧凑设计。对比文件描述的是用于磁带检测或位置检测的分离式光学组件（如独立的发光部和受光部），以及驱动这些组件的电路，并未描述任何类似图像传感器“像素”的结构，更没有提及在像素内集成晶体管并在两个光感测元件之间共享。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| F: 《未公开》<br>其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | 无对应内容。 | 目标专利该特征的核心是组合来自两个光感测元件的信号以生成一幅图像。对比文件中的光学检测信号用于判断机械位置（如磁带引导器位置、卡座位置）、磁带类型（如引带检测）或控制电机同步，其输出结果是位置信息、状态标志或控制信号，而不是组合形成一幅代表场景的“图像”。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| G: 《未公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)… | 无对应内容。 | 目标专利该特征公开了具体的图像融合算法，用于根据局部平均绝对差值等参数平滑融合两个感测元件的信号以生成高动态范围图像。对比文件说明书未涉及任何图像处理算法，更未公开此特定公式或类似算法。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| H: 《未公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 无对应内容。 | 目标专利旨在扩展动态范围以生成高动态范围（HDR）图像。对比文件的所有光学检测应用均不涉及生成“图像”，更不用说旨在扩展亮度范围的高动态范围图像。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| I: 《隐含公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | 【具体例1】中提及“光電スイッチ”（光电开关）、“光電検出器”（光电检测器）。【0036】提及“多数の光電スイッチ、光電検出器や発光型表示素子”。 | 对比文件在描述光学检测时多次提及“光電スイッチ”和“光電検出器”。本领域技术人员公知，此类光电开关或检测器通常包含发光元件（如发光二极管）和受光元件（如光电二极管、光电晶体管）。虽然对比文件未明确指明受光元件的具体类型，但根据其检测光信号的功能，本领域技术人员可以合理推断其中至少包含了光电二极管作为光感测元件的一种常见实现方式。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。需要注意的是，对比文件中光电二极管的作用是检测光通断或反射率以获取状态信息，与目标专利中用于图像俘获并具有特定阱容量的光电二极管作用不同，但作为“光感测元件是光电二极管”这一结构特征，可以被认为隐含公开。 |
| J: 《未公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 无对应内容。 | 目标专利该特征限定了两个整合时间的具体关系，是实现动态范围扩展的典型设置（TS<TL）。如前述，对比文件未涉及“整合时间”概念，因此更不可能公开其长短关系。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| K: 《未公开》<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 无对应内容。 | 目标专利该特征涉及基于场景亮度（光照条件）进行自动曝光控制。对比文件的光学检测系统用于检测固定的机械状态或磁带，其工作不依赖于外部场景的光照条件，也未描述根据光照条件调整传感器参数。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| L: 《未公开》<br>其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求，综合了特征A、B、E的核心内容，即一种包含特定像素结构（具有不同阱容量的双光感测元件并共享晶体管）的CMOS可见图像传感器。对比文件未涉及“CMOS可见图像传感器”、“像素”、“阱容量”以及像素内晶体管共享结构。其光学检测组件是分立且功能单一的，并非用于成像的像素化传感器阵列。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| M: 《未公开》<br>及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中处理器的功能限定，对应于方法特征C。对比文件未提及“处理器”，也未描述确定光感测元件整合时间的功能。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| N: 《未公开》<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中处理器的功能限定，对应于方法特征D。对比文件未提及“处理器”，也未描述确定不同整合时间的功能。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| O: 《隐含公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 【具体例1】中提及“光電スイッチ”（光电开关）、“光電検出器”（光电检测器）。【0036】提及“多数の光電スイッチ、光電検出器や発光型表示素子”。 | 该特征与特征I实质相同，是装置权利要求中对光感测元件类型的限定。基于与特征I相同的理由，对比文件隐含公开了光电二极管作为光感测元件的一种实现方式。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| P: 《未公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 无对应内容。 | 该特征与特征J实质相同。对比文件未公开。 |
| Q: 《未公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中处理器的功能限定，对应于方法特征K。对比文件未公开。 |
| R: 《未公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中处理器的功能限定，对应于方法特征K。对比文件未公开。 |
| S: 《未公开》<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中处理器的功能限定，对应于方法特征F。对比文件未公开。 |
| T: 《未公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)… | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中对处理器生成图像方式的限定，对应于方法特征G。对比文件未公开。 |
| U: 《未公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 无对应内容。 | 该特征是装置权利要求中对图像类型的限定，对应于方法特征H。对比文件未公开。 |
| V: 《未公开》<br>其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | 无对应内容。 | 该特征是“装置+功能”的权利要求表述，其功能对应于方法特征C。对比文件未涉及“CMOS可见图像传感器”、“阱容量”、“整合时间”等概念，也没有任何部件起到确定光感测元件整合时间的作用。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| W: 《未公开》<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 无对应内容。 | 该特征是“装置+功能”的权利要求表述，其功能对应于方法特征D，并包含了特征B的阱容量关系。对比文件未公开任何相关概念或功能装置。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| X: 《未公开》<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 无对应内容。 | 该特征是“装置+功能”权利要求中的附加结构限定，对应于特征E。对比文件未公开。 |
| Y: 《未公开》<br>其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | 无对应内容。 | 该特征是“装置+功能”的权利要求表述，其功能对应于方法特征F。对比文件未公开。 |
| Z: 《未公开》<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)… | 无对应内容。 | 该特征是“装置+功能”权利要求中对形成图像装置的具体实现方式的限定，对应于方法特征G。对比文件未公开。 |
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