对比文件名称：2010-12-07_US7847231B_发明授权_US07847231B2 Image sensor and electromagnetic radiation imaging device
目标专利名称：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及“阱容量”(well capacity)概念。 | 目标专利中，“阱容量”是光感测元件（如光电二极管）可保存的电荷总量，是决定其动态范围的关键参数（见说明书[0026]段）。对比文件（如说明书[0080]-[0091]段）虽然描述了包含第一光电二极管和第二光电二极管的像素，但其发明目的、原理和描述均围绕检测偏振或波长调制信号，完全未提及任何光电二极管的“阱容量”这一物理属性或设计参数。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及两个光电二极管的阱容量，也未提及一个阱容量大于另一个。 | 目标专利的核心之一在于像素内两个光感测元件具有不同且特定的阱容量关系（第二＞第一），这是实现动态范围扩展的基础（见说明书[0025]-[0027]段）。对比文件仅说明像素内有两个光电二极管，并可能具有不同的滤光片（偏振或波长），但从未描述或暗示这两个光电二极管在物理尺寸、电荷存储能力（阱容量）上存在差异，更未建立“一个大于另一个”的关系。其电路设计目的（计算信号差以检测调制）与阱容量差异无关。因此，对比文件未公开技术特征B。 |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及“整合时间”(integration time)或为光电二极管确定曝光时间。 | 目标专利中，为每个光感测元件“确定整合时间”是实现动态范围可调扩展的关键步骤（见说明书摘要，[0012], [0055]段）。对比文件的整个操作时序（如图6，图8，图10，图12）聚焦于信号的读出、差分采样及积分，其光电二极管进行光电转换的持续时间（相当于整合时间）是由系统固定的光脉冲周期或时钟决定的，并非一个需要“确定”的可变参数。文件中没有描述任何根据场景确定或调整每个光电二极管曝光时间的模块或步骤。因此，对比文件未公开技术特征C。 |
| **技术特征D**：及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及为两个光电二极管设置不同的整合时间。 | 目标专利的核心创新点在于为像素内大小不同的光感测元件设置不同的整合时间（通常TL > TS），以优化动态范围和信噪比（见说明书[0031], [0054]-[0056], [0060]段）。对比文件中，同一像素内的两个光电二极管要么同时复位和积分（如图6时序），要么通过同一浮动节点顺序读出（如实施例2,3），它们的光电转换周期是相同的，完全受同一组控制信号（如光脉冲、复位信号RSCELL）支配。文件中没有任何内容暗示或教导可以为同一像素内的两个二极管独立设置不同的积分时间。因此，对比文件未公开技术特征D。 |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**判断结果**：直接公开 | 说明书[0101]-[0103]段，图7：“The pair of photodiodes shares the floating diffusion amplifier 702 and the source follower amplifier 704 for reading a signal.” （该对光电二极管共享用于读取信号的浮动扩散放大器702和源极跟随器放大器704。）“Accordingly, in the readout circuit, the signals of the photodiodes 302 and 302′ are sequentially outputted in a time division manner.” （因此，在读出电路中，光电二极管302和302’的信号以时分方式顺序输出。） | 对比文件明确公开了在同一像素内（如图7所示的像素401），两个光电二极管（302，302’）共享一组读出晶体管，包括浮动扩散放大器（702）、复位晶体管（703）、源极跟随器放大器（704）等。这些共享的晶体管被集成在包含这两个光电二极管的像素内，其作用是实现信号的顺序读出和电路简化。这与目标专利中（如图2，说明书[0032]段）描述的像素内两个光感测元件共享复位晶体管、源极跟随器等读出元件的作用（增加填充因数，简化电路）是相同的。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征E。 |
| **技术特征F**：其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**判断结果**：隐含公开 | 说明书[0080]段：“…a difference circuit which outputs a difference signal corresponding to a difference between the signal read from the first photodiode and the signal read from the second photodiode…” （…差动电路，其输出对应于从第一光电二极管读出的信号与从第二光电二极管读出的信号之间差值的差动信号…）<br>说明书[0097]段：“This allows two-dimensional frame image data to be outputted…” （这使得能够输出二维帧图像数据…） | 对比文件的核心操作就是基于每个像素中两个光电二极管（第一和第二）的信号，通过差动电路计算出差值信号，并将此差值信号作为该像素的输出（像素信号）。最终，所有像素的差值信号被组合起来，形成一幅二维图像（即THz电磁辐射调制图像）。虽然形成图像的具体算法（求差）与目标专利（可能加权组合）不同，但“基于两个光感测元件的信号形成图像”这一上位概念已被对比文件公开。从宽松的隐含公开标准判断，本领域技术人员通过阅读对比文件，完全能够合理推断出其系统最终会基于两个光电二极管的信号来形成一幅图像。因此，技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及任何使用局部平均绝对差值（MAD）和调谐参数a、b进行加权组合的图像形成公式。 | 目标专利中公开了一个具体的、复杂的图像融合算法（见说明书[0038]-[0046]段），该公式用于平滑地在两个光电二极管的输出T1和T2之间过渡，以优化动态范围并减少运动伪影。对比文件中形成图像的方式是直接计算两个光电二极管信号的差值（VCDS ∝ V1 - V2），这是一个简单的减法操作（见说明书[0106]段，公式3）。对比文件完全没有公开或暗示目标专利中所述的包含MAD计算、调谐参数α(x,y)以及加权求和的具体数学公式或算法。两者在图像形成的具体技术手段上存在本质区别。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全篇未提及“高动态范围”(High Dynamic Range, HDR或WDR)。 | 目标专利要解决的核心问题就是扩展动态范围，其方法形成的图像明确是高动态范围图像（见说明书标题，[0002], [0025], [0054]段）。对比文件要解决的是THz成像中的运动伪影、设备复杂度和信噪比问题，其形成的图像是THz电磁辐射的调制图像，用于表征物体的物理特性，并非旨在扩展场景的亮度动态范围。对比文件的技术方案（差分检测）本身并不直接带来动态范围的扩展。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**判断结果**：直接公开 | 说明书[0080]段：“The circuit includes a pair of adjacent photodiodes 101 and 101′…” （该电路包括一对相邻的光电二极管101和101’…）<br>说明书[0082]段：“…plural photodiodes 302 and 302′…” （…多个光电二极管302和302’…） | 对比文件明确、反复地指出其像素单元中的光感测元件是光电二极管（photodiode）。例如，说明书[0080]段和附图2、3、4等均显示每个像素单元包含第一光电二极管和第二光电二极管。这与目标专利中光感测元件可以是光电二极管（见说明书[0025]段）的描述一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出技术特征I。 |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及整合时间，更未比较两个整合时间的长短。 | 目标专利中“第二整合时间短于第一整合时间”（TS < TL）是其实现动态范围扩展的一种典型且重要的具体实施方式（见说明书[0031], [0060]段）。如前述对特征D的分析，对比文件根本没有“为每个光电二极管确定整合时间”的概念，因此更不存在“第二整合时间短于第一整合时间”这一具体限定。因此，对比文件未公开技术特征J。 |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及基于光照条件确定任何时间参数。 | 目标专利中，可以根据光照条件（例如通过自动曝光控制检查裁剪像素数量）来动态调整第一和/或第二整合时间，以实现动态范围与信噪比的平衡（见说明书[0055]段）。对比文件的时序完全由内部时钟、同步信号（如脉冲光源的同步信号1317）或固定电路驱动，其光电二极管的感光时间不随外部场景光照条件的变化而自适应调整。因此，对比文件未公开技术特征K。 |
| **技术特征L**：其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>**判断结果**：部分未公开 | 关于共享晶体管：见特征E的引用（说明书[0101]-[0103]段，图7）。<br>关于阱容量：对比文件未提及。 | 该技术特征包含了多个子特征：CMOS可见图像传感器、像素包含两个阱容量不同（第二＞第一）的光感测元件、以及像素内共享晶体管。对比文件公开了像素内包含两个光电二极管（可视为光感测元件）且共享晶体管（特征E）。对比文件也涉及CMOS图像传感器（如说明书[0014]段提及“two-dimensional CMOS image sensor”）。然而，对比文件完全没有公开这两个光电二极管具有不同的“阱容量”，且“第二阱容量大于第一阱容量”这一关键限定。因此，技术特征L作为一个整体未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未描述任何处理器被配置来确定光电二极管的整合时间。 | 目标专利中的处理器用于执行确定整合时间等控制逻辑（见说明书[0013]段，图8）。对比文件中的控制功能主要由“信号处理驱动电路”（signal process driving circuit 304）完成，其产生固定的时序控制信号（如TRANP, TRANS, RSCELL, φ1, φ2等）来驱动像素的读出、差分和积分操作，但并未被描述为用于“确定”可变的整合时间。因此，对比文件未公开技术特征M。 |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未描述任何电路被配置来确定两个不同的整合时间。 | 同特征D和M的论述，对比文件的驱动电路产生的是使两个光电二极管工作于相同感光周期的信号，而非为它们分别确定并施加不同的整合时间。因此，对比文件未公开技术特征N。 |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**判断结果**：直接公开 | 同特征I的引用（说明书[0080], [0082]段）。 | 与特征I同理，对比文件明确公开了像素中的光感测元件是光电二极管。因此，技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**判断结果**：未公开 | 同特征J的论述。 | 与特征J同理，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**判断结果**：未公开 | 同特征K的论述。 | 与特征K同理，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**判断结果**：未公开 | 同特征K的论述。 | 与特征K同理，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**判断结果**：隐含公开 | 同特征F的引用及论述。 | 与特征F同理，对比文件的系统最终会基于两个光电二极管的信号（具体是通过差值）生成图像。虽然未明确提及“处理器”，但其信号处理驱动电路、行/列扫描电路等共同完成了图像生成的功能。从隐含公开的角度，本领域技术人员可以合理推断出该系统配置为基于两个光感测元件的信号生成图像。因此，技术特征S被隐含公开。 |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**判断结果**：未公开 | 同特征G的论述。 | 与特征G同理，对比文件未公开该具体公式。 |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**判断结果**：未公开 | 同特征H的论述。 | 与特征H同理，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征V**：其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未描述用于确定具有特定阱容量的光感测元件的整合时间的装置。 | 该特征是以“装置+功能”形式撰写的。目标专利中对应的装置可以是处理器等。对比文件中不存在执行“确定用于具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间”这一功能的装置。其驱动电路仅产生固定时序，不执行“确定”操作，且不涉及“阱容量”参数。因此，对比文件未公开技术特征V。 |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未描述用于确定具有不同且特定阱容量关系的两个光感测元件的不同整合时间的装置。 | 同特征V的分析，对比文件中不存在执行该功能的装置。此外，其特征还包含了“第二阱容量大于第一阱容量”这一未被公开的限定。因此，对比文件未公开技术特征W。 |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**判断结果**：直接公开 | 同特征E的引用（说明书[0101]-[0103]段，图7）。 | 与特征E同理，对比文件直接公开了像素内两个光感测元件（光电二极管）共享晶体管的配置。因此，技术特征X被直接公开。 |
| **技术特征Y**：其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**判断结果**：隐含公开 | 同特征F的引用及论述。 | 与特征F和S同理，对比文件的系统（包括差动电路、积分电路、扫描电路等）共同构成了用于基于两个光感测元件的信号形成图像的装置。从隐含公开的角度，该技术特征被公开。 |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**判断结果**：未公开 | 同特征G的论述。 | 与特征G和T同理，对比文件未公开使用该特定公式形成图像的装置。 |
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