对比文件名称：2005-08-10_CN1652345A_发明公开_CN1652345A 像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器
目标专利名称：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《未公开》<br>所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | 未找到相关描述。 | 对比文件CN1652345A涉及通过共享晶体管减少像素阵列所需晶体管数量的CMOS图像传感器结构。其说明书全文未提及“阱容量”这一概念，也未描述任何光感测元件具有特定的电荷存储容量（即阱容量）。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：《未公开》<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 未找到相关描述。 | 对比文件未提及任何光感测元件的“阱容量”，更没有公开在同一像素内设置具有不同阱容量（一大一小）的两个光感测元件。因此，对比文件未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：《未公开》<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 未找到相关描述。 | 对比文件未涉及为光感测元件（光电二极管）确定或设置“整合时间”（积分时间）。其操作描述聚焦于电荷从光电二极管传输到共享输出节点的时序控制，但未提及或暗示对光电二极管收集光电荷的时间长度（即整合时间）进行独立确定或控制。因此，对比文件未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：《未公开》<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开为同一像素内的两个光感测元件确定不同的整合时间。其描述的共享结构涉及不同像素（例如相邻行）共享读出电路，每个像素自身仅包含一个光电二极管，不存在为同一像素内两个元件设置不同积分时间的场景或需求。因此，对比文件未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：《未公开》<br>以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 说明书第4页倒数第1段至第5页第1段：“该部分具体显示了 一单列(第一列)和四行的像素。与现有技术相反，该图中第一行和第二行相 邻的像素共享一个源极随耦器晶体管和复位晶体管；类似地，第三行和第四 行的相邻像素也共享一个源极随耦器晶体管和复位晶体管。” | 对比文件公开的是**像素间**共享晶体管，即两个独立的像素（每个像素包含一个光电二极管）共享一组复位和输出晶体管。而目标专利的技术特征E要求的是**像素内**共享，即一个像素内部包含的两个光感测元件（第一和第二）共享晶体管。两者的共享结构、目的和效果均不同：对比文件旨在减少阵列总晶体管数以提高填充因子；目标专利旨在使像素内两个感测元件共用部分电路。因此，对比文件未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：《未公开》<br>其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | 未找到相关描述。 | 对比文件描述的每个像素仅包含一个光电二极管，其信号处理过程是基于单个光电二极管的信号形成图像。没有公开从同一像素的两个不同光感测元件获取信号并进行组合以形成图像。因此，对比文件未公开技术特征F。 |
| 技术特征G：《未公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 未找到相关描述。 | 对比文件完全没有涉及任何用于组合两个信号以形成高动态范围图像的特定算法或公式，尤其是目标专利中描述的基于局部平均绝对差值(MAD)和调谐参数α的复杂加权融合公式。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| 技术特征H：《未公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 未找到相关描述。 | 对比文件的发明目的在于减少晶体管数量、降低噪声，全文未提及“动态范围”的扩展，也未说明其生成的图像具有“高动态范围”特性。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| 技术特征I：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | 说明书第3页第2段：“每一 有源像素包括：(a)销接光电二极管；和(b)传输该销接光电二极管所发出 的信号的传输晶体管”；<br>具体实施方式部分：“销接光电二极管103...”。 | 对比文件明确、直接地公开了其像素中的光感测元件是“销接光电二极管”（一种光电二极管）。虽然对比文件的像素只包含一个光电二极管，而目标专利的像素包含两个，但特征I仅要求“至少一者是光电二极管”，该条件被对比文件公开的单个光电二极管所满足。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征J：《未公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 未找到相关描述。 | 对比文件未涉及任何关于光感测元件整合时间的概念，更未比较同一像素内两个元件整合时间的长短关系。因此，对比文件未公开技术特征J。 |
| 技术特征K：《未公开》<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 未找到相关描述。 | 对比文件未提及根据光照条件确定整合时间。其操作是固定的读出时序，没有曝光控制或根据光照调整积分时间的描述。因此，对比文件未公开技术特征K。 |
| 技术特征L：《未公开》<br>其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管... | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开像素包含两个具有不同阱容量的光感测元件，也未公开像素内两个元件共享晶体管的结构（其公开的是像素间共享）。因此，对比文件未公开技术特征L。 |
| 技术特征M：《未公开》<br>及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 未找到相关描述。 | 对比文件虽然提到了“处理电路1105”（说明书第6页第2段），但该电路用于接收原始图像数据并执行预设指令，并未描述其具有为像素内的光感测元件“确定整合时间”的功能。因此，对比文件未公开技术特征M。 |
| 技术特征N：《未公开》<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | 未找到相关描述。 | 同特征D，对比文件未涉及为同一像素内的两个光感测元件确定不同的整合时间。因此，对比文件未公开技术特征N。 |
| 技术特征O：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 同特征I引用部分。 | 此特征与技术特征I实质相同，均要求光感测元件“至少一者包括光电二极管”。对比文件明确公开像素包含“销接光电二极管”，直接公开了该技术特征。 |
| 技术特征P：《未公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 同特征J。 | 同特征J，对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：《未公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 未找到相关描述。 | 同特征K，对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。 |
| 技术特征R：《未公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 未找到相关描述。 | 同特征K、Q，对比文件未公开。 |
| 技术特征S：《未公开》<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | 未找到相关描述。 | 对比文件的处理器（处理电路）用于处理从传感器阵列接收的原始图像数据。但其传感器每个像素仅输出一个信号（来自单个光电二极管），而非来自两个感测元件的信号。因此，对比文件未公开处理器基于来自两个光感测元件的信号生成图像。 |
| 技术特征T：《未公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 同特征G。 | 同特征G，对比文件未公开该特定图像融合公式。 |
| 技术特征U：《未公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 同特征H。 | 同特征H，对比文件未提及生成高动态范围图像。 |
| 技术特征V：《未公开》<br>其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何用于“确定整合时间”的装置或结构。其垂直定时发生器用于控制信号传输时序，而非确定光电荷积累的时长（整合时间）。因此，对比文件未公开技术特征V。 |
| 技术特征W：《未公开》<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开用于确定不同整合时间的装置，也未公开具有不同阱容量的两个光感测元件。因此，对比文件未公开技术特征W。 |
| 技术特征X：《未公开》<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 同特征E引用部分。 | 同特征E，对比文件公开的是像素间共享晶体管，而非像素内两个感测元件共享晶体管。因此，对比文件未公开技术特征X。 |
| 技术特征Y：《未公开》<br>其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | 未找到相关描述。 | 同特征F，对比文件的每个像素仅输出一个信号，其图像形成装置是基于单个信号工作，而非基于来自同一像素两个感测元件的信号进行组合。因此，对比文件未公开技术特征Y。 |
| 技术特征Z：《未公开》<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 同特征G。 | 同特征G，对比文件未公开该特定图像融合公式及其实现装置。 |
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