**对比文件名称**：2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus
**目标专利名称**：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
以下是根据您的要求创建的特征比对表格及分析：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书第[0030]段：“The solid state imaging device shown in FIG. 1 comprises: a large number of low sensitivity photoelectric conversion elements 10 each having relatively low detect sensitivity and the same number of high sensitivity photoelectric conversion elements 20 each having relatively high detect sensitivity arranged on a silicone substrate...”<br>第[0007]段：“...a photoelectric conversion element having relatively high detect sensitivity can be defined such that, when the same quantity of light enters, it has a characteristic to be able to provide a larger quantity of signals than a photoelectric conversion element having relatively low detect sensitivity.” | 对比文件公开了成像器件包含大量低灵敏度光电转换元件（10）和高灵敏度光电转换元件（20）。本领域技术人员公知，光电转换元件（如光电二极管）的“检测灵敏度”（detect sensitivity）与其能够积累电荷的最大容量，即“阱容量”，直接相关。灵敏度更高的元件通常具有更大的阱容量或更优的信噪比特性，以在相同光照下产生更大的信号。因此，对比文件中“低灵敏度”和“高灵敏度”元件的区分，必然隐含了它们具有不同的电荷存储能力，即不同的“阱容量”。虽然未使用“阱容量”这一术语，但基于其描述的物理特性，本领域技术人员能够毫无疑义地理解低灵敏度元件对应较小的电荷存储能力（第一阱容量），高灵敏度元件对应较大的电荷存储能力。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《隐含公开》** | 同特征A引用。<br>此外，第[0007]段进一步解释了高灵敏度元件在相同光量下能提供比低灵敏度元件更大的信号量。 | 基于与特征A相同的推理，对比文件公开了具有“高检测灵敏度”的第二类光感测元件（高灵敏度光电转换元件20）。高灵敏度意味着在相同入射光条件下能产生更大的信号，这通常源于更大的有效感光面积、更优化的结构或更大的满阱容量。结合对比文件对高、低灵敏度元件的并列描述及其作用（用于扩展动态范围），本领域技术人员可以合理推断，作为扩展动态范围方案的一部分，高灵敏度元件的阱容量（电荷存储能力）大于低灵敏度元件的阱容量。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书第[0030]段：“To change the detect sensitivity of the low and high sensitivity PDs 10 and 20, the area of the light receiving surface of the PD may be varied, or the focusing area thereof may be varied using a micro lens disposed upwardly of the PDs, **or the exposure times of the low and high sensitivity PDs may be set different from each other.**” | 对比文件明确列举了改变光电二极管检测灵敏度的方法，其中第三种方法即为“将低灵敏度PD和高灵敏度PD的曝光时间设置为彼此不同”。这里的“曝光时间”（exposure times）在本领域即对应于“整合时间”（integration time）。该陈述明确教导了可以为低灵敏度PD（即第一光感测元件）设置一个曝光（整合）时间。这属于对技术方案的直接描述。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**《直接公开》** | 同特征C引用。 | 对比文件在同一句中明确指出，可以通过设置低灵敏度PD和高灵敏度PD的曝光（整合）时间“彼此不同”（different from each other）来改变其检测灵敏度。这直接公开了为第二光感测元件（高灵敏度PD 20）确定第二整合时间，且该第二整合时间不同于为第一光感测元件确定的第一整合时间。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《未公开》** | 对比文件说明书第[0033]-[0037]段描述了垂直电荷转移部分（VCCD）的构成，包括垂直转移通道、垂直转移电极（101-104）和电荷读取区域。其中提到PD 10和PD 20使用不同的电极（101和103）来读取电荷，并且可以通过控制施加到不同终端（111, 113）的读取脉冲来独立或同时读取电荷。 | 对比文件公开的是一种阵列级的架构，其中低灵敏度PD（10）和高灵敏度PD（20）是作为两组独立的元件在基板上以交错方式排列的（如图2所示）。它们共享的是整个阵列的电荷转移资源（如VCCD、HCCD），这些是位于像素外部的、为整个行列服务的电路。说明书及附图均未描述或提示在单个“像素”单元（即一个成像点）内同时包含一个低灵敏度PD和一个高灵敏度PD，更未描述这两个假设在同一像素内的感测元件之间共享复位晶体管、源极跟随器晶体管等具体的“一个或多个晶体管”。目标专利的“像素”是包含大小两个二极管及共享晶体管的独立单元，而对比文件的“像素”概念可能对应于每个PD或由PD组组合而成，其物理结构和电路共享层次不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征F**：其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书第[0008]段：“In the above-structured solid state imaging device, since, for every pixel to be detected, the photoelectric conversion element having low sensitivity and photoelectric conversion element having high sensitivity can be used at the same time, the light having a large quantity of light is detected by the photoelectric conversion element having low sensitivity and the light having a small quantity of light is detected by the photoelectric conversion element having high sensitivity, **whereby the dynamic range of the image pickup characteristic of the solid state imaging device can be widened.**”<br>第[0046]段：“Also, the combined use of the low and high sensitivity PDs 10 and 20 disposed at mutually adjoining positions makes it possible to reproduce an image signal having a wide dynamic range.” | 对比文件明确教导，通过同时使用低灵敏度PD和高灵敏度PD，分别检测亮区和暗区的光，并将它们结合起来（combined use），可以再现具有宽动态范围的图像信号。这必然隐含了需要基于来自这两类光感测元件的信号来形成最终的图像。虽然对比文件没有详述具体的信号组合算法（这是特征G的内容），但“结合使用以再现图像信号”这一目的和效果描述，已使本领域技术人员能够理解，形成图像的过程需要基于来自两类元件的信号。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...（具体公式略）<br>**《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件仅泛泛提及结合使用来自低灵敏度和高灵敏度PD的信号以拓宽动态范围（见特征F引用），但完全没有披露任何具体的、用于融合两个信号的数学算法或公式。目标专利中记载的基于局部平均绝对差值（MAD）计算混合权重α(x,y)的复杂公式，是对比文件中完全没有涉及的技术内容。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定算法。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书第[0046]段：“...reproduce an image signal having a wide dynamic range.”<br>第[0008]段：“...the dynamic range of the image pickup characteristic of the solid state imaging device can be widened.” | 对比文件多次明确说明，通过所描述的技术方案（使用不同灵敏度的PD）所获得的效果就是产生或再现具有“宽动态范围”（wide dynamic range）的图像信号。这直接对应于目标专利中所指的“高动态范围图像”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书第[0030]段：“Here, the photoelectric conversion element is, for example, a photodiode and thus the photoelectric conversion element is hereinafter abbreviated to PD.” | 对比文件明确将光电转换元件（photoelectric conversion element）示例为光电二极管（photodiode），并在全文后续使用PD作为缩写。其描述的低灵敏度PD（10）和高灵敏度PD（20）均为光电二极管。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》** | 对比文件说明书第[0030]段提到可以设置不同的曝光时间，但未指明哪个长、哪个短。 | 对比文件仅提到可以为低灵敏度PD和高灵敏度PD设置不同的曝光（整合）时间，但并未具体限定两者之间的长短关系。本领域技术人员无法从对比文件中确定第二整合时间（高灵敏度PD的）一定短于第一整合时间（低灵敏度PD的）。根据应用场景，也可能设置更长的整合时间给高灵敏度PD以捕获更暗的细节。因此，该特定关系未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及根据光照条件动态确定或调整整合（曝光）时间。 | 对比文件虽然提到了可以设置不同的曝光时间，但这是在描述改变灵敏度的方法时的一种静态选项列举（第[0030]段）。说明书全文没有记载如何“确定”这些时间，更没有提及根据实时的“光照条件”来自动或手动地确定整合时间。目标专利说明书中强调了基于亮度等级、裁剪像素计数等动态调整TL和TS的曝光控制方法，这些在对比文件中均未涉及。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《未公开》** | 同特征E引用。对比文件未描述单个像素内包含两种感测元件并共享晶体管。 | 此特征为装置权利要求，其核心与特征E相同，即要求在一个像素内集成两个阱容量不同的感测元件并共享晶体管。如特征E所述，对比文件中的低灵敏度PD（10）和高灵敏度PD（20）是作为两组独立的阵列交错排列，并非集成在同一个“像素”单元内。其电路共享是阵列级的电荷转移结构，而非像素内感测元件之间的晶体管共享。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书第[0046]段：“Also by making the detect sensitivity of the low sensitivity PDs 10 and the high sensitivity PDs 20 controllable by the exposure time...”<br>以及第[0030]段关于设置不同曝光时间的描述。 | 对比文件教导了检测灵敏度可以通过曝光时间来控制。为了实现这种控制，必然需要有一个控制机制或处理单元来“确定”或“设置”这个曝光时间。虽然对比文件没有明确提及“处理器”，但本领域技术人员在实现一个具有可调曝光时间功能的成像系统时，会毫无疑义地使用处理器、定时控制器或驱动电路（如图4中的驱动部分120和控制部分140）来执行此类确定操作。因此，“处理器经配置以确定第一整合时间”这一功能特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**《隐含公开》** | 同特征M和特征D的引用。 | 基于与特征M和特征D相同的逻辑，对比文件公开了可以为高灵敏度PD设置不同的曝光时间。实现这一功能必然隐含了需要有一个处理或控制单元（如处理器）来执行确定该第二整合时间的操作，并且该时间与第一整合时间不同。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**《直接公开》** | 同特征I引用。 | 与特征I同理，对比文件明确其光感测元件为光电二极管（PD）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征J引用。 | 与特征J同理，对比文件未公开第二整合时间短于第一整合时间这一具体关系。 |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K引用。 | 与特征K同理，对比文件未提及基于光照条件确定整合时间。因此，处理器的此项具体配置未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K和Q引用。 | 与特征K和Q同理，对比文件未提及基于光照条件确定整合时间。因此，处理器的此项具体配置未被公开。 |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**《隐含公开》** | 同特征F引用。 | 对比文件公开了结合使用来自低灵敏度和高灵敏度PD的信号以生成宽动态范围图像。实现这一图像生成功能，必然需要处理单元（如处理器）对来自两类感测元件的信号进行处理和组合。因此，处理器被配置以基于这些信号生成图像的特征被隐含公开。 |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...（具体公式略）<br>**《未公开》** | 同特征G引用。 | 与特征G同理，对比文件未公开该特定图像融合公式。因此，处理器的此项具体算法配置未被公开。 |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | 同特征H引用。 | 与特征H同理，对比文件直接公开了所生成的图像具有宽动态范围。 |
| **技术特征V**：其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**《隐含公开》** | 同特征M引用。 | 此特征为“装置+功能”形式的权利要求。基于与特征M相同的推理，对比文件公开了通过控制曝光时间来调整灵敏度，这隐含了存在用于确定第一整合时间的功能单元（装置）。该功能单元可以是对比文件图4中的驱动部分（120）和/或控制部分（140）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《隐含公开》** | 同特征V、D、B的引用。 | 此特征同样为“装置+功能”形式。结合特征V（确定时间）、特征D（时间不同）和特征B（阱容量不同）的隐含公开内容，用于确定不同于第一整合时间的第二整合时间的功能装置也被隐含公开。实现不同灵敏度控制（包含不同阱容量和不同曝光时间）的系统必然包含此类功能装置。 |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《未公开》** | 同特征E引用。 | 与特征E和L同理，对比文件未公开在单个像素内集成两个感测元件并共享晶体管的结构。 |
| **技术特征Y**：其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**《隐含公开》** | 同特征F和S引用。 | 此特征为“装置+功能”形式。对比文件公开了结合来自两类PD的信号以形成宽动态范围图像的目的和效果（特征F），这隐含了存在执行该图像形成功能的装置。该装置可以是对比文件图4中的控制部分（140）或其内部的图像处理模块。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...（具体公式略）<br>**《未公开》** | 同特征G和T引用。 | 与特征G和T同理，对比文件未公开该特定的图像融合算法或公式。因此，用于执行该特定算法的装置也未被公开。 |
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