对比文件名称：2003-04-10_DE10221587A_发明专利_DE10221587A1 Etched metal light reflector for illuminating a vehicle feature
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开内容。对比文件涉及一种用于照明的反射器装置，未公开一种载体能够使得光学元件相对于光学半导体元件准确定位。 | 对比文件的目的在于提供一种蚀刻三金属反射器用于车辆照明，并未涉及用于准确定位光学元件的载体，也没有公开相应的功能。 |
| **技术特征B**：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 同特征A，未公开。 |
| **技术特征C**：提供(201)导电多层载体基片(10)<br>**直接公开** | “提供一种层状金属基底，优选由至少三层构成。铝层12优选位于第一铜层14和第二铜层16之间。”（说明书第2页） | 对比文件明确公开了提供导电多层载体基片，包括铝层和铜层，对应于目标专利的多层载体基片，且该基片用于后续工艺，因此直接公开。 |
| **技术特征D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)<br>**直接公开** | 同上，公开了第一铜层14（上部）、第二铜层16（下部）和铝层12（中间）。 | 对比文件明确公开了三层结构，且各层位置对应，因此直接公开。 |
| **技术特征E**：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)<br>**未公开** | 对比文件公开了通过蚀刻第一铜层14以暴露铝层12，形成反射区域，但未公开在上部载体层和中间载体层中形成用于连接光学半导体元件的上部导体结构。 | 对比文件中的蚀刻主要为了形成反射区域，而非形成导体结构；虽然剩余铜层可作为导体，但未涉及在中间层（铝层）中形成导体结构，且未形成类似目标专利中明确的上部导体结构。因此未公开。 |
| **技术特征F**：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及在基底上部提供任何绝缘间隔层，也未公开图案化形成腔。 |
| **技术特征G**：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开绝缘间隔层及腔。 |
| **技术特征H**：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开腔，也未公开光学半导体元件在腔中连接到上部导体结构。 |
| **技术特征I**：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开腔，更未公开腔深度大于光学半导体元件高度。 |
| **技术特征J**：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开腔用于限定光学元件位置。 |
| **技术特征K**：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的<br>**直接公开** | “铝层12优选位于第一铜层14和第二铜层16之间”（说明书第2页），铝与铜不同。 | 对比文件明确中间层为铝，上下层为铜，金属不同，直接公开。 |
| **技术特征L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻<br>**直接公开** | “应用第二、铝特定的蚀刻工艺以去除铝层12的区域”（说明书第3段） | 对比文件公开了使用铝蚀刻剂蚀刻铝层，说明铝可被蚀刻，直接公开。 |
| **技术特征M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样<br>**直接公开** | 对比文件公开了选择性蚀刻，铜蚀刻剂不蚀刻铝，铝蚀刻剂不蚀刻铜，因此当蚀刻铝时，铜层基本保持原样。 | 对比文件通过选择性蚀刻实现，使其他层基本保持原样，直接公开。 |
| **技术特征N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开钻蚀形成凹槽以及密封剂锚固。 |
| **技术特征O**：还包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开此步骤特征。 |
| **技术特征P**：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层<br>**未公开** | 对比文件提到可在铜层和铝层之间设置绝缘层，但非在上部载体层与图案化绝缘间隔层之间，且未形成用于倒装芯片连接的中间绝缘层。 | 对比文件未公开目标专利的中间绝缘层及其配置。 |
| **技术特征Q**：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开中间绝缘层及其加热加压实现电连接的功能。 |
| **技术特征R**：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 同Q，未公开。 |
| **技术特征S**：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22)<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开凸块及对应关系。 |
| **技术特征T**：43)<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 无实质内容，未公开。 |
| **技术特征U**：还包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 无实质内容，未公开。 |
| **技术特征V**：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线，所述引线彼此电隔离<br>**隐含公开** | 对比文件公开了第二铜层16可被蚀刻，且作为导体使用（“铜用作导体”），并且公开了光源通过支架连接到第二铜层（图7）。此外，对比文件提到“第二铜层16也可以被蚀刻，通过同时使用相同工艺在层状金属基底的两侧形成反射区域”（说明书第2段）。 | 虽然对比文件未明确提及形成下部导体结构以作为引线，但本领域技术人员通过对比文件公开的内容可以合理推断：第二铜层经过选择性蚀刻可以形成隔离的导体图案，进而作为电连接光学半导体元件与外部器件的引线，且彼此电隔离。因此，技术特征V被隐含公开。 |
| **技术特征W**：所述引线彼此电隔离<br>**隐含公开** | 同上。 | 基于对比文件公开的蚀刻工艺，本领域技术人员能够理解通过蚀刻第二铜层可以形成相互隔离的导体区域，从而实现引线电隔离。因此，技术特征W被隐含公开。 |
| **技术特征X**：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)<br>**未公开** | 对比文件公开了光源通过支架连接到第二铜层（图7、8），未公开凸块和焊盘连接。 | 对比文件未公开倒装芯片连接方式，因此未公开。 |
| **技术特征Y**：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)<br>**未公开** | 同上。 | 同X，未公开。 |
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