对比文件名称：2004-07-22_JP2004207621A_发明专利_JP2004207621A Package for storing light emitting element and light emitting device
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《未公开》<br>所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 | 对比文件未公开光学元件（如透镜）及其定位。全文涉及发光元件收纳用封装，仅提及发光元件和透明树脂，无光学元件。 | 对比文件旨在解决透明树脂从凹部脱落的问题，不涉及光学元件的定位，因此未公开该特征。 |
| 技术特征B：《未公开》<br>61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 | 对比文件未公开光学元件（如漫射器）及其定位。全文无相关记载。 | 与技术特征A类似，对比文件未公开任何光学元件的定位，故未公开。 |
| 技术特征C：《未公开》<br>提供(201)导电多层载体基片(10) | 对比文件【0013】段：“絶縁基体１はセラミックスや樹脂から成り”（绝缘基体由陶瓷或树脂构成）。 | 对比文件提供的是绝缘基体，而非导电多层载体基片，因此未公开。 |
| 技术特征D：《未公开》<br>所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) | 对比文件【0013】段：“複数の絶縁層が積層されて成り”（多个绝缘层叠层）。 | 对比文件是绝缘层叠层，没有金属载体层，因此未公开。 |
| 技术特征E：《未公开》<br>在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) | 对比文件【0018】-【0020】段记载在绝缘基体上形成配线层（配線層），但未在金属载体层中形成。 | 对比文件的上部导体结构（配线层）形成于绝缘基体表面，而非在金属载体层中形成，因此未公开。 |
| 技术特征F：《未公开》<br>在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) | 对比文件【0013】段记载绝缘基体上直接形成凹部，无附加的绝缘间隔层。 | 对比文件没有提供图案化的绝缘间隔层，凹部是直接在绝缘基体中形成的，故未公开。 |
| 技术特征G：《未公开》<br>所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) | 对比文件【0013】-【0014】段记载凹部４由绝缘基体直接形成，非通过图案化绝缘间隔层。 | 对比文件的腔（凹部）不是由绝缘间隔层图案化形成的，因此未公开。 |
| 技术特征H：《直接公开》<br>在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) | 对比文件【0019】段：“搭載部２には発光ダイオード（ＬＥＤ），半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子３が金（Ａｕ）−シリコン（Ｓｉ）合金やＡｇ−エポキシ樹脂等の導電性接合材により固着されるとともに、配線層５ｂには発光素子３の電極がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。”（在搭载部2上，发光二极管（LED）、半导体激光器（LD）等发光元件3通过金-硅合金或Ag-环氧树脂等导电性接合材固定，同时，发光元件3的电极通过接合线6电连接到配线层5b。） | 对比文件明确公开了发光元件（光学半导体元件）在凹部（腔）内连接到配线层（上部导体结构），因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征I：《隐含公开》<br>当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 | 对比文件【0013】段记载凹部４用于“収容し搭載する”（容纳和搭载）发光元件，且附图显示凹部深度大于发光元件厚度。 | 本领域技术人员根据凹部容纳发光元件的功能，可以合理推断凹部的深度必然大于发光元件的高度，否则无法容纳，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：《未公开》<br>所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 | 对比文件全文未提及光学元件（透镜、漫射器等），凹部仅用于容纳发光元件和透明树脂。 | 对比文件没有公开光学元件，也没有公开腔用于限定光学元件的位置，故未公开。 |
| 技术特征K：《未公开》<br>所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 | 对比文件无金属载体层，仅由绝缘层和配线层构成。 | 对比文件没有中间载体层，更未公开不同金属层，故未公开。 |
| 技术特征L：《未公开》<br>所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 | 对比文件无中间载体层，无相关蚀刻选择。 | 未公开。 |
| 技术特征M：《未公开》<br>所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 | 对比文件无相关金属层和蚀刻工艺。 | 未公开。 |
| 技术特征N：《未公开》<br>由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 | 对比文件【0026】-【0028】段记载在凹部底面形成孔穴8用于锚固透明树脂，但非通过钻蚀导体结构形成凹槽。 | 对比文件通过孔穴结构改善密封剂锚固，但并非通过钻蚀上部载体层形成凹槽，故未公开。 |
| 技术特征O：《未公开》<br>还包括以下步骤 | 对比文件无相关步骤。 | 未公开。 |
| 技术特征P：《未公开》<br>在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 | 对比文件无中间绝缘层。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：《未公开》<br>所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22 | 对比文件无中间绝缘层及相关配置。 | 未公开。 |
| 技术特征R：《未公开》<br>43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 | 对比文件未公开中间绝缘层及加热加压实现凸块连接。 | 未公开。 |
| 技术特征S：《未公开》<br>所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22 | 对比文件未公开中间膜和凸块对应关系。 | 未公开。 |
| 技术特征T：《未公开》<br>43)。 | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征U：《未公开》<br>还包括以下步骤 | 对比文件无相关步骤。 | 未公开。 |
| 技术特征V：《未公开》<br>在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 | 对比文件【0015】段记载配线层５ａ，５ｂ从凹部底面形成到绝缘基体下面，但不是在金属下部载体层中形成。 | 对比文件的下部导体结构形成于绝缘基体，而非金属载体层，且无“下部载体层”，故未公开。 |
| 技术特征W：《未公开》<br>所述引线彼此电隔离。 | 对比文件【0015】段记载配线层５ａ，５ｂ为两条独立线路，彼此隔离。 | 虽然对比文件有电隔离的引线，但该特征依赖于特征V，且下部导体结构形成方式不同，故整体未公开。 |
| 技术特征X：《隐含公开》<br>其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 | 对比文件【0019】段：“発光素子３は搭載部２および配線層５ｂにフリップチップ実装により接続されても構わない。”（发光元件3也可以通过倒装芯片安装连接到搭载部2和配线层5b。） | 倒装芯片安装必然使用凸块和焊盘，本领域技术人员可以直接得出通过凸块与焊盘连接的方案，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征Y：《隐含公开》<br>其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 | 同上，对比文件【0019】段提及倒装芯片安装。 | 同特征X，倒装芯片连接方式隐含公开了凸块与焊盘的连接，故隐含公开。 |
<<<H>>><<<i>>><<<x>>><<<y>>>