对比文件名称：2005-07-14_US2005153483A_发明申请_US20050153483A1 Carrier, method of manufacturing a carrier and an electronic device
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45)（未公开） | 对比文件未提及光学元件或使其定位的功能。 | 对比文件涉及电子设备，但未涉及光学元件，也未提及载体能够使光学元件定位，因此未公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（未公开） | 对比文件未提及光学元件或光学半导体元件。 | 对比文件未涉及光学半导体元件，也未提及定位功能，因此未公开。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)（直接公开） | 段落[0001]：“a carrier with a first side and a second side, comprising a stack of a first patterned metal layer, a patterned intermediate layer and a second metal layer”（具有第一侧和第二侧的载体，包括第一图案化金属层、图案化中间层和第二金属层的堆叠）；段落[0048]：“carrier 30 with a first metal layer 11, an intermediate layer and a second metal layer 13”（具有第一金属层11、中间层12和第二金属层13的载体30）；段落[0054]：“first metal layer 11 of Cu, an intermediate layer 12 of Al and a second metal layer of Cu are adhered to each other”（第一金属层11为Cu，中间层12为Al，第二金属层13为Cu，彼此粘合）。 | 对比文件明确公开了具有多层导电金属层的载体基片，包括第一金属层、中间层和第二金属层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（直接公开） | 同上。 | 对比文件中的第一金属层11相当于目标专利的上部载体层，第二金属层13相当于下部载体层，中间层12相当于中间载体层，因此直接公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（直接公开） | 段落[0048]：“The carrier 30 is patterned from the first side by means of the first etch mask 14, thereby forming apertures 15 and connection conductors 31-35. ... first the first metal layer 11 is etched and subsequently the intermediate layer 12 is etched, thereby forming recesses 16 in the side faces of the connection conductors.”（从第一侧通过第一蚀刻掩模14图案化载体30，从而形成开口15和连接导体31-35。……首先蚀刻第一金属层11，随后蚀刻中间层12，从而在连接导体的侧面上形成凹槽16。） | 对比文件公开了在第一金属层（上部载体层）和中间层中蚀刻形成连接导体，即上部导体结构，因此直接公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)（未公开） | 对比文件未公开在载体基片上部提供图案化的绝缘间隔层。 | 对比文件中的第一蚀刻掩模14是金属层（NiPdAu）或光致抗蚀剂，并非永久性绝缘间隔层，且未形成用于容纳元件的腔，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（未公开） | 对比文件未公开绝缘间隔层形成的腔。 | 对比文件没有图案化的绝缘间隔层，也没有形成用于容纳光学半导体元件的腔，因此未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开腔。 | 由于没有腔，光学半导体元件直接安装在载体上，因此未公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（未公开） | 对比文件未公开腔。 | 无腔，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（未公开） | 对比文件未公开腔或光学元件定位。 | 无腔，无光学元件，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（直接公开） | 段落[0054]：“first metal layer 11 of Cu, an intermediate layer 12 of Al and a second metal layer of Cu”（第一金属层11为Cu，中间层12为Al，第二金属层13为Cu）；段落[0052]：“The first metal layer and the second metal layer 13 comprise mainly copper, and the intermediate layer 12 comprises mainly aluminum.”（第一金属层和第二金属层13主要包含铜，中间层12主要包含铝。） | 对比文件明确公开中间层为铝，上下层为铜，材质不同，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（直接公开） | 段落[0056]：“the carrier 30 is treated in a bath of a concentrated solution of KOH for 3 minutes, as a result of which the intermediate layer 12 of Al is etched and recesses 16 are formed.”（将载体30在浓KOH溶液中处理3分钟，结果铝中间层12被蚀刻，形成凹槽16。） | 对比文件公开了铝中间层可被KOH蚀刻，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（直接公开） | 段落[0056]中KOH对铜具有选择性，铜不被蚀刻；段落[0052]提到上下层主要含铜。 | 对比文件使用的蚀刻剂（KOH）对铜具有选择性，因此上下铜层基本保持原样，直接公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（直接公开） | 段落[0048]：“thereby forming recesses 16 in the side faces of the connection conductors”（从而在连接导体的侧面形成凹槽16）；段落[0050]：“These recesses are filled with the envelope 40, as a result of which the first layer 31 is partly clamped by the envelope 40. This ensures that the envelope 40 is mechanically anchored in the carrier.”（这些凹槽被封装体40填充，结果第一层31被封装体40部分夹持，这确保了封装体40在载体中的机械锚固。） | 对比文件明确通过选择性蚀刻中间层钻蚀第一金属层形成凹槽，用于机械锚固封装体，因此直接公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件方法本身包含多个步骤，如[0001]描述的方法包括放置电元件、提供封装体等步骤。 | 对比文件的方法包括一系列步骤，隐含了“还包括以下步骤”的过渡，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（未公开） | 对比文件未公开中间绝缘层。 | 对比文件没有图案化的绝缘间隔层，也没有提供位于上部载体层与绝缘间隔层之间的中间绝缘层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22（未公开） | 对比文件未公开此配置。 | 对比文件未公开中间绝缘层及其通过加热加压实现电连接的功能，因此未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 对比文件未公开。 | 同Q，未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22（未公开） | 对比文件未公开。 | 同Q，未公开。 |
| 技术特征T：43)。（未公开） | 对比文件未公开。 | 同Q，未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件方法包括后续步骤，如[0048]中在提供封装体后蚀刻第二金属层。 | 对比文件的方法包括一系列后续步骤，隐含了“还包括以下步骤”，因此隐含公开。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（直接公开） | 段落[0048]：“Subsequently, the second metal layer 13 is patterned by means of the second etch mask 17.”（随后，通过第二蚀刻掩模17图案化第二金属层13。）；段落[0051]：“The second adhesive layer 17 also serves as an adhesive layer for solder, which can be used to place the device 10 on a printed circuit board.”（第二粘合层17还用作焊料粘合层，可用于将器件10安装在印刷电路板上。） | 对比文件公开了蚀刻第二金属层形成接触表面（下部导体结构），用于电连接到外部器件，因此直接公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离（直接公开） | 段落[0048]：“forming apertures 15 and connection conductors 31-35”（形成开口15和连接导体31-35），通过开口使导体彼此隔离。 | 对比文件中形成开口隔离连接导体，因此引线彼此电隔离，直接公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 段落[0048]：“The semiconductor element 20 having connection regions is connected to the connection conductors 31-35 by connection means 22, in this case bumps of Au.”（具有连接区域的半导体元件20通过连接装置22（此处为金凸块）连接到连接导体31-35。） | 对比文件公开了通过金凸块将半导体元件连接到连接导体（相当于焊盘），因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 同上。 | 同X，直接公开。 |
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