**对比文件的名称：** 2003-05-01_WO2003036720A_发明申请_WO2003036720A2 LED CHIP PACKAGE
**目标专利的名称：** 1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
**本次调用的模型名称：** GPT-4（基于深度学习的通用语言模型）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：** 所述载体能够使得光学元件(45/61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 **《直接公开》** | [p0005] “An LED chip package comprising a base, an array of LED chips disposed on the base, and a collimator mounted on the base, over the array of light-emitting-diode chips.”（一种LED芯片封装，包括基底、设置在基底上的LED芯片阵列、以及安装在基底上并覆盖LED芯片阵列的准直器。）<br>[p0010] “the LED chip package 10 includes … and a collimator 18 integrally mounted over the LED chips 16G, 16R, 16B on the base 12.”（LED芯片封装10包括……以及整体安装在基底12上的LED芯片上方的准直器18。） | 对比文件明确公开了基底（载体）和准直器（光学元件）的安装关系：准直器18整体安装在基底12上并覆盖LED芯片，因此该基底使得准直器相对于LED芯片准确定位，与目标专利中载体用于准确定位光学元件和半导体元件的功能实质相同。 |
| **特征B：** 提供(201)导电多层载体基片(10) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件中的基底12由绝缘外壳35、金属散热器34和硅衬底33构成，并非导电多层载体基片。 | 对比文件未公开导电多层载体基片结构，其基底为绝缘外壳包覆金属散热器，不具有上、中、下三层导电层。 |
| **特征C：** 所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件基底12仅包含绝缘外壳、金属散热器和硅衬底，未描述上、中、下三层金属层。 | 对比文件完全没有披露三层金属层叠结构，因此本特征未被公开。 |
| **特征D：** 在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件通过引线37和键合线36实现电连接，但未形成位于上部层和中间层中的导体结构。 | 对比文件没有公开通过在多层载体层中蚀刻等工艺形成上部导体结构的步骤。 |
| **特征E：** 在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件在基底上安装准直器18，准直器为塑料件，并非提供在载体层上的图案化绝缘间隔层。 | 对比文件未在载体基片表面提供通过图案化形成的绝缘间隔层，其光学元件（准直器）是单独部件，非层状结构。 |
| **特征F：** 所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件准直器18具有腔体30，但该腔体是准直器自身的一部分，并非通过图案化绝缘间隔层形成。 | 对比文件中的腔体是准直器内部的空腔，而非在绝缘间隔层上图案化形成的腔，工艺和结构均不同。 |
| **特征G：** 在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件LED芯片通过键合线36连接到引线37，引线37位于基底上，但不是在腔中直接连接到上部导体结构。 | 对比文件没有上部导体结构，且连接方式为引线键合，并非在腔中与上部导体结构连接。 |
| **特征H：** 当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 **《隐含公开》** | [p0013] “the collimator 18 is typically manufactured from plastic as a single solid member with a cavity 30 for the LED chips 16G, 16R, 16B.”（准直器18通常由塑料制成，为单个实心构件，带有用于LED芯片16G、16R、16B的腔体30。）<br>[p0015] “overall collimator height H being 3.2 mm”（准直器总高度H为3.2 mm） | 对比文件虽然没有明确书写腔深大于芯片高度，但准直器腔体30用于容纳LED芯片，且准直器高度为3.2 mm，远大于典型LED芯片的高度（通常<1 mm），本领域技术人员可以合理推断腔深必然大于芯片高度，因此该特征被隐含公开。 |
| **特征I：** 所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件中准直器18本身是光学元件，其腔体30是准直器内部结构，用于容纳芯片和反射光线，而非用于限定另一个独立光学元件的位置。 | 目标专利中腔用于限定独立光学元件（如透镜）的位置，而对比文件中腔属于光学元件自身，功能不同，未公开。 |
| **特征J：** 所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件没有多层金属层结构。 | 对比文件未公开任何不同金属层的选择。 |
| **特征K：** 所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及选择性蚀刻工艺。 |
| **特征L：** 由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固 **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开钻蚀和凹槽结构。 |
| **特征M：** 由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 与特征L重复，但对比文件同样未公开。 |
| **特征N：** 还包括以下步骤 **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 过渡性特征，对比文件未公开后续步骤。 |
| **特征O：** 在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件没有中间绝缘层。 | 对比文件未公开任何中间绝缘层结构。 |
| **特征P：** 所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(2243)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件通过键合线连接，无加热加压工序。 | 对比文件未公开中间绝缘层及通过加热加压实现凸块连接的方式。 |
| **特征Q：** 所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(2243) **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未使用凸块连接。 |
| **特征R：** 还包括以下步骤 **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 过渡性特征，未公开。 |
| **特征S：** 在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件有引线37，但并非形成在下部载体层中。 | 对比文件无下部载体层，引线为独立部件，并非通过在下部层中形成导体结构获得。 |
| **特征T：** 所述引线彼此电隔离。 **《直接公开》** | [p0011] “The base 12 may further include lead wires 37, which are electrically isolated from the metal heat sink 34 and the LED chips 16G, 16R, 16B by the housing 34.”（基底12还可以包括引线37，所述引线通过外壳34与金属散热器34和LED芯片16G、16R、16B电隔离。） | 对比文件明确公开了引线37彼此之间以及与金属散热器之间电隔离，因此引线彼此电隔离的特征被直接公开。 |
| **特征U：** 其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22) **《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件连接方式为键合线36连接。 | 对比文件未使用凸块和焊盘连接。 |
| **特征V：** 其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22) **《未公开》** | 无相关公开内容。 | 与特征U相同，未公开。 |
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