对比文件名称：2005-10-05_CN1679168A_发明公开_CN1679168A 表面安装电源的发光晶粒封装
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：GPT-4o（大型语言模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45) 【直接公开】 | 在对比文件具体实施方式中：“顶部散热器40包括一个用于支撑并耦合到透镜50的支架44。…透镜50被置于密封材料46顶上并附着于所述密封材料46。”以及“底部散热器20支撑…LED组合60”。 | 对比文件公开了封装结构，其中透镜50（光学元件）通过支架44和密封材料46定位在LED组合60上方，因此载体（底部散热器20和顶部散热器40）能够使得光学元件（透镜）实现准确定位，故特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 【隐含公开】 | 同上，对比文件具体实施方式中描述了透镜50相对于LED组合60的准确定位。 | 对比文件虽未明确描述方法步骤，但本领域技术人员根据其公开的封装结构，可以合理推断出在制造过程中必然包括使光学元件相对于光学半导体元件准确定位的步骤，故特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10) 【未公开】 | 对比文件公开的基板20是由电绝缘材料（如氮化铝或氧化铝）制成的，并非导电多层载体基片。 | 对比文件没有任何关于导电多层载体基片的描述，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征，故未公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) 【未公开】 | 对比文件未公开多层载体层结构。 | 对比文件仅公开了单层绝缘基板，没有提及上部、下部、中间载体层，故未公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) 【未公开】 | 对比文件公开了在基板20上形成有迹线22、24，但迹线形成于基板表面，而非在多层载体层中。 | 对比文件没有多层载体层，因此无法形成上部导体结构于其中，故未公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) 【未公开】 | 对比文件公开了顶部散热器40（反光板），其为金属材料，并非绝缘间隔层；且未公开图案化绝缘层。 | 对比文件没有图案化的绝缘间隔层，只有金属反光板，故未公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) 【未公开】 | 对比文件未公开绝缘间隔层形成的腔。 | 对比文件没有绝缘间隔层，因此不可能有由其图案化形成的腔，故未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) 【未公开】 | 对比文件公开了LED组合60安装在安装垫片28上，并连接到迹线22、24，但该空间并非由绝缘间隔层腔形成。 | 对比文件没有相应的腔，故未公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 【未公开】 | 对比文件未提及腔的深度与LED高度的关系。 | 对比文件没有明确腔的深度，也没有比较深度与高度，故未公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 【未公开】 | 对比文件通过支架44和密封材料46限定透镜位置，而非通过腔。 | 对比文件没有由绝缘间隔层形成的腔来限定光学元件位置，故未公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 【未公开】 | 对比文件无多层载体层，无中间载体层。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤 【未公开】 | 对比文件为产品，未公开方法步骤。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 【未公开】 | 对比文件未公开中间绝缘层。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 【未公开】 | 对比文件提到覆晶方式，但未公开中间绝缘层加热加压实现电连接。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征T：43) 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤 【未公开】 | 对比文件无相应描述。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 【未公开】 | 对比文件公开了底部焊盘34和热接触垫片36，用于外部连接，但未在一个下部载体层中形成，且无形成步骤。 | 对比文件没有下部载体层，也没有公开形成下部导体结构的步骤，故未公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离 【直接公开】 | 对比文件具体实施方式：“迹线22和24提供从焊盘到安装垫片的电连接…第一迹线22可为LED组合60提供阳极接点，并且第二迹线24可包含阴极接点。” | 对比文件明确公开了多个迹线作为引线，它们彼此电隔离，因此直接公开了特征W。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22) 【隐含公开】 | 对比文件具体实施方式：“安装垫片28可配置为允许LED组合60以覆晶方式加以附着。” | 对比文件公开了LED可以覆晶方式附着，覆晶连接通常使用凸块与焊盘，本领域技术人员可以合理推断出通过凸块和焊盘连接，因此隐含公开了特征X。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22) 【隐含公开】 | 同上，对比文件具体实施方式：“安装垫片28可配置为允许LED组合60以覆晶方式加以附着。” | 与特征X类似，对比文件隐含公开了通过凸块与焊盘连接的方式，故特征Y被隐含公开。 |
<<<A>>><<<b>>><<<W>>><<<x>>><<<y>>>