对比文件：US20040041222A1，标题：Power surface mount light emitting die package
目标专利：CN101584053B，标题：载体和基于这种载体的光学半导体器件
本次调用的模型名称：自定义
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45)（特征A）——未公开 | [0028]：“发光管芯封装10包括底部散热器20、顶部散热器40和透镜50。”[0043]：“透镜50放置在凸缘44上，并粘附在封装材料46上。” | 对比文件公开了封装结构，使得透镜相对于LED定位，但对比文件未公开目标专利所述的“载体”本身，该载体是用于制造光学半导体器件的中间产品，且具有特定结构。对比文件公开的是最终封装，而非制造载体的方法中的载体。因此，特征A未公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤——未公开 | 同上。 | 对比文件未公开任何制造载体的方法步骤，仅公开了封装产品。因此，特征B未公开。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)——未公开 | [0029]：“底部散热器20由高导热但电绝缘的材料制成，例如氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)。” | 对比文件公开的底部散热器是单层绝缘材料，不是导电多层载体基片。目标专利的载体基片为导电多层结构（如金属层），而对比文件的衬底为绝缘体，且不具有多层导电层。因此，特征C未公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)——未公开 | 同上，且无多层结构描述。 | 对比文件未公开任何三层导电层结构。因此，特征D未公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)——未公开 | [0029]：“底部散热器20的顶表面21包括电迹线22和24。” | 对比文件在衬底单层上形成迹线，而非在两层导电层中形成。因此，特征E未公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)——未公开 | [0040]：“顶部散热器40由高导热材料制成，例如铝、铜、陶瓷、塑料、复合材料。”[0041]：“反射表面42。” | 对比文件的顶部散热器是金属反射板，并非绝缘间隔层。且未公开图案化的绝缘间隔层。因此，特征F未公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)——未公开 | 同上，反射板40具有开口，但并非由绝缘间隔层图案化形成。 | 对比文件未公开绝缘间隔层及其腔。因此，特征G未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)——未公开 | [0028]：“LED组件60安装在安装垫28上，并通过迹线22、24连接。” | 对比文件中LED安装在衬底上，而不是在由绝缘间隔层形成的腔中。因此，特征H未公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度——未公开 | 对比文件未明确反射板开口的深度与LED高度的关系。 | 对比文件未公开腔的深度大于光学半导体元件的高度这一特征，也未公开绝缘间隔层形成的腔。因此，特征I未公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置——未公开 | [0043]：“透镜50放置在凸缘44上，并粘附在封装材料46上。” | 对比文件中透镜的位置由反射板的凸缘限定，而非由腔限定。因此，特征J未公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的——未公开 | 对比文件无多层金属层描述。 | 对比文件未公开中间载体层，更未公开其由不同金属制成。因此，特征K未公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻——未公开 | 同上。 | 对比文件未公开任何关于蚀刻选择性的内容。因此，特征L未公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样——未公开 | 同上。 | 对比文件未公开。因此，特征M未公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固——未公开 | 对比文件未公开钻蚀或凹槽结构。 | 对比文件未公开钻蚀形成的凹槽，也未公开凹槽改善密封剂锚固的功能。因此，特征N未公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤——未公开 | 对比文件未公开制造方法步骤。 | 对比文件仅公开产品，未公开方法步骤。因此，特征O未公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层——未公开 | 对比文件未公开中间绝缘层。 | 对比文件未公开任何中间绝缘层。因此，特征P未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22——未公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开中间绝缘层及其通过加热加压实现电连接的功能。因此，特征Q未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接——未公开 | 同上。 | 特征R与Q关联，未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22——未公开 | 对比文件未公开凸块及中间膜。 | 对比文件未公开。因此，特征S未公开。 |
| 技术特征T：43)。——未公开 | 同上。 | 特征T与S关联，未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤——未公开 | 对比文件未公开方法步骤。 | 对比文件未公开。因此，特征U未公开。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线——未公开 | [0038]：“底部表面29包括热接触垫36，但未形成下部导体结构作为引线。” | 对比文件未公开在下部载体层中形成下部导体结构。因此，特征V未公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离。——未公开 | 对比文件未公开隔离的引线结构。 | 对比文件未公开。因此，特征W未公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。——隐含公开 | [0033]：“安装垫28可被配置为允许LED组件60的倒装芯片安装。” | 对比文件明确提到倒装芯片安装的可能性。本领域技术人员公知，倒装芯片安装通常使用设置在半导体元件上的凸块和衬底上的焊盘进行连接。因此，对比文件隐含公开了通过凸块和焊盘连接光学半导体元件到上部导体结构的技术特征。所以，特征X被隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。——隐含公开 | 同上。 | 与特征X相同，对比文件隐含公开了该技术特征。因此，特征Y被隐含公开。 |
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