**对比文件名称**：1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors
**目标专利名称**：1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，衬底（2）<br>《直接公开》 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION”部分记载：“The optical device 10 preferably comprises on a semiconductor substrate 12 a plurality of epitaxially-grown compound semiconductor layers forming a first DBR mirror 14 and a second DBR mirror 16...”（光学器件10优选地包括在半导体衬底12上的多个外延生长的化合物半导体层，形成第一DBR镜14和第二DBR镜16...）。 | 对比文件明确公开了半导体衬底12，其与目标专利的衬底2功能相同，均为器件的基底。因此，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层（5）<br>《直接公开》 | 同一段记载：“...first DBR mirror 14”（第一DBR镜14）。 | 对比文件公开了第一DBR镜14，其位于衬底12上，与目标专利的第一布拉格反射器叠层5结构及设置位置完全对应。直接公开。 |
| 技术特征C：第二布拉格反射器叠层（9）<br>《直接公开》 | 同一段记载：“...second DBR mirror 16”（第二DBR镜16）。 | 对比文件公开了第二DBR镜16，与目标专利的第二布拉格反射器叠层9对应。直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）形成具有光轴（3）的激光腔<br>《直接公开》 | 同一段记载：“...centered about an optical axis 26 of the second DBR mirror in the device 10”（...以器件10中第二DBR镜的光轴26为中心）。此外，在“SUMMARY OF THE INVENTION”部分提到“...resonant optical cavity formed by the mirrors”（由镜形成的谐振光学腔）。 | 对比文件明确第一DBR镜14和第二DBR镜16构成谐振腔，并具有光轴26，与目标专利的激光腔及光轴功能一致。直接公开。 |
| 技术特征E：在操作中激光束沿着该光轴发出<br>《直接公开》 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分描述了VCSEL的操作，例如“light output power versus current and voltage versus current curves for a vertical-cavity surface-emitting laser”（垂直腔表面发射激光器的光输出功率与电流、电压与电流曲线），以及“lasing light is transmitted through the central opening”（激光通过中央开口传输）。 | 对比文件涉及的VCSEL器件在操作时，激光束沿光轴发出，与目标专利完全相同。直接公开。 |
| 技术特征F：使布拉格反射器叠层（5，9）之一终止的金属性反射器层（15）<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何与目标专利中金属性反射器层15功能相对应的层。其电极（20/22）虽为金属，但用于电接触而非专门作为反射器终止布拉格反射器叠层，且未提及由此带来的模式选择性或DBR对数减少。因此，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征G：所述金属性反射器层（15）环绕所述光轴（15）定位并且覆盖一定区域<br>《未公开》 | 无 | 由于特征F未公开，故本特征亦无公开。 |
| 技术特征H：该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及任何关于金属反射器层尺寸与TEM00模式强度分布关系的描述，故未公开。 |
| 技术特征I：其中被所述金属性反射器层（15）终止的布拉格反射器叠层（5，9）包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层；并且所述垂直腔表面发射激光二极管（1）还包括电流限制层（8）<br>《未公开》 | 关于电流限制层部分：对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分记载：“The second DBR mirror 16 is preferably patterned to provide an annular current-blocking region 24 about a central portion...”（第二DBR镜16优选被图案化以提供围绕中央部分的环形电流阻挡区24），以及“one or more current-blocking layers 36 are formed close to the active region 18 for effectively channeling an electrical current...”（一个或多个电流阻挡层36形成于有源区18附近以有效引导电流...）。 | 对比文件公开了电流限制结构（电流阻挡区/层），但未公开金属性反射器层，因此特征I中“被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层包括至多15对”的内容完全缺失。虽然电流限制层部分被公开，但整体特征因缺少关键要素而未被公开。 |
| 技术特征J：该电流限制层（8）具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔（81）<br>《直接公开》 | 同上，对比文件明确记载了电流阻挡区24具有中央未阻挡部分（即电流孔），以及电流阻挡层36中的未氧化区域形成电流通道。 | 对比文件公开的电流阻挡结构（通过图案化、氧化或离子注入形成）具有中央开口，允许电流通过而限制横向电流，这与目标专利的电流孔功能完全相同。直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述金属性反射器层（15）覆盖其大小不超过被所述孔（81）覆盖的区域的大小的区域<br>《未公开》 | 无 | 由于金属性反射器层未公开，故本特征无公开基础。 |
| 技术特征L：其特征在于，被所述金属性反射器层（15）覆盖的所述区域至少是被所述孔（81）覆盖的区域的1/10<br>《未公开》 | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述金属性反射器层（15）被沉积到绝缘层（13）上<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开金属性反射器层沉积在绝缘层上的结构。 |
| 技术特征N：其中所述绝缘层（13）是氧化硅层<br>《未公开》 | 无 | 特征M未公开，故本特征亦无。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述垂直腔表面发射激光二极管（1）是底部发射激光二极管<br>《直接公开》 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分记载：“If the light is to be emitted or received through the bottom of the device (i.e. through a transparent semiconductor substrate 12), then the lower electrode 22 preferably comprises a semi-transparent or patterned metallization...”（如果光要通过器件的底部发射或接收，即通过透明的半导体衬底12，则下电极22优选包括半透明或图案化的金属化层...）。 | 对比文件明确给出了底部发射的实施方案，与本特征相同。直接公开。 |
| 技术特征P：所述金属性反射器层（15）设置在沉积于所述衬底（2）上的最顶部布拉格反射器叠层（9）上<br>《未公开》 | 无 | 由于金属性反射器层未公开，故本特征无公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属性反射层（15）周边被环接触（11）围绕<br>《未公开》 | 无 | 对比文件虽公开了环状电极（图案化上电极20），但该电极并非围绕金属性反射器层，且金属性反射器层本身不存在，故未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属性反射器层（15）的折射率的实部低于0.5<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及金属性反射器层及其折射率。 |
| 技术特征S：其中所述金属性反射器层（15）的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开金属性反射器层材料。 |
| 技术特征T：其中所述金属性反射器层（15）的覆盖度从光轴（3）处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何具有渐变覆盖度的金属层。 |
| 技术特征U：其中所述金属性反射器层（15）形成电接触之一的至少一部分<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开金属性反射器层同时用作电接触。 |
| 技术特征V：其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管<br>《直接公开》 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分记载：“If the light is to be emitted or received from the top of the device 10 as shown in FIGS. 1-3, then a semi-transparent or patterned metallization is preferred for the upper electrode 20...”（如果光要从器件10的顶部发射或接收，如图1-3所示，则上电极20优选为半透明或图案化的金属化层...）。 | 对比文件明确给出了顶部发射的实施方案，与本特征相同。直接公开。 |
| 技术特征W：所述金属性反射器层（15）埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）之下<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开金属性反射器层埋置于DBR叠层之下的结构。 |
| 技术特征X：还包括电接触层<br>《直接公开》 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分记载：“The upper electrode 20 is preferably deposited...and a lower electrode 22 underlies the substrate 12”（上电极20优选沉积...并且下电极22位于衬底12之下），以及“upper and lower electrodes (20 and 22, respectively)”（上电极和下电极）。 | 对比文件公开了上电极20和下电极22作为电接触层，用于施加偏压。直接公开。 |
| 技术特征Y：该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分<br>《未公开》 | 无 | 由于金属性反射器层未公开，且对比文件的电接触层（上电极20）与第二DBR镜16直接接触，不存在与金属性反射器层相交的结构，故未公开。 |
### 公开性结论代码
<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<J>>> <<<O>>> <<<V>>> <<<X>>>