对比文件名称：2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method
目标专利名称：1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，衬底（2）《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ｎ型ＧａＡｓ基板１０２”（n型GaAs基板102）。 | 对比文件明确公开了n型GaAs基板，该基板作为衬底，与目标专利的衬底（2）在结构和功能上完全相同，均是用于支撑后续层结构的基底。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层（5）《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ｎ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡＳ層を交互に積層し波長８００ｎｍ付近の光に対し９９．５％以上の反射率を持つ４０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下これを「ＤＢＲミラー」と表記する）１０３”（将n型Al0.8Ga0.2As层和n型Al0.15Ga0.85As层交替层叠，形成对波长800nm附近的光具有99.5%以上反射率的40对分布反射型多层膜镜（以下称为“DBR镜”）103）。 | 对比文件公开了在基板上形成的第一布拉格反射器叠层（n型DBR镜103），该叠层由交替的高、低折射率层构成，用于反射激光，与目标专利的第一布拉格反射器叠层（5）的结构和功能一致。因此，本领域技术人员可以直接确定该特征被公开。 |
| 技术特征C：第二布拉格反射器叠层（9）《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ＳｉＯ２等のＳｉＯｘとＴａ２Ｏ５層を交互に積層し波長８００ｎｍ付近の光に対し９８．５〜９９．５％の反射率を持つ７ペアの誘電体多層膜ミラー１１１”（将SiO2等SiOx和Ta2O5层交替层叠，形成对波长800nm附近的光具有98.5～99.5%反射率的7对介电多层膜镜111）。 | 对比文件公开了在激光腔另一侧形成的第二布拉格反射器叠层（介电多层膜镜111），该叠层由交替的介电材料层构成，用于反射激光，形成激光腔。虽然材料体系与目标专利的半导体DBR不同，但同样属于布拉格反射器叠层，起到相同的谐振反射作用。本领域技术人员可以确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）形成具有光轴（3）的激光腔《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ＤＢＲミラー１０３と誘電体多層膜ミラー１１１とで構成される反射鏡の間をその光が往復することにより増幅され”（光在由DBR镜103和介电多层膜镜111构成的反射镜之间往复被放大）。 | 对比文件明确描述了第一布拉格反射器叠层（DBR镜103）和第二布拉格反射器叠层（介电多层膜镜111）共同构成光谐振腔，光在两者之间往复振荡，从而形成激光腔。该腔具有垂直于衬底的光轴，与目标专利的激光腔结构和工作原理相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：在操作中激光束沿着该光轴发出《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“開口部１１３（コンタクト層１０９の露出面）から方向１１０すなわち基板１０２に対して垂直方向にレーザ光が放射される”（从开口部113（接触层109的露出面）沿方向110，即垂直于基板102的方向发射激光）。 | 对比文件明确说明激光从开口部垂直于基板方向发射，该方向即为激光腔的光轴方向。这与目标专利中激光束沿光轴发出的特征完全一致，因此被直接公开。 |
| 技术特征F：使布拉格反射器叠层（5，9）之一终止的金属性反射器层（15）《未公开》 | 对比文件全文未公开任何金属性反射器层。对比文件的上电极112（金属）是环状接触层，不用于光学终止布拉格反射器，且不位于光轴上以提供模式选择性反射。 | 目标专利的金属性反射器层用于光学终止布拉格反射器叠层，并环绕光轴定位以提供模式选择性。对比文件没有公开任何具有此类功能的金属层，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该技术特征。 |
| 技术特征G：所述金属性反射器层（15）环绕所述光轴（15）定位并且覆盖一定区域《未公开》 | 对比文件全文未公开环绕光轴定位的金属性反射器层。对比文件的上电极112是环状，但位于光轴外围，不覆盖光轴区域。 | 该特征以金属性反射器层存在为前提，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征H：该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域《未公开》 | 对比文件全文未涉及TEM00模式强度分布与金属层尺寸的关系。 | 该特征涉及特定的模式选择性设计，需要金属性反射器层并基于模式强度分布限定尺寸。对比文件既无金属性反射器层，也无任何关于模式强度分布与反射器尺寸的教导，故未公开。 |
| 技术特征I：其中被所述金属性反射器层（15）终止的布拉格反射器叠层（5，9）包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层；并且中所述垂直腔表面发射激光二极管（1）还包括电流限制层（8）《未公开》 | 对比文件：顶部布拉格反射器叠层（介电多层膜111）具有7对，但未与金属性反射器层相关联；对比文件无金属性反射器层；对比文件无单独的电流限制层（8），其电流限制通过刻蚀形成的柱状部114和埋入绝缘层（107、108）实现，柱状部是第二クラッド層的一部分，并非独立的电流限制层。 | 该特征包含两个部分：①被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层至多15对；②包括电流限制层。对比文件无金属性反射器层，故第一部分不公开；对比文件通过柱状结构限流，但未公开独立的电流限制层（如氧化层），且柱状结构并非独立的“电流限制层”，故第二部分也不公开。因此整个特征未公开。 |
| 技术特征J：该电流限制层（8）具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔（81）《未公开》 | 对比文件：通过将第二クラッド層106和コンタクト層109刻蚀形成柱状部114，并在周围埋入绝缘层107、108，从而将电流限制在柱状部内，柱状部的横截面（直径Da）相当于电流横向限制区域。但对比文件未公开一个独立的电流限制层（8）及其孔（81）。 | 目标专利的电流限制层（8）是独立于クラッド層的层（如氧化层），具有明确的电流孔（81）。对比文件中的电流限制是通过刻蚀整个柱状结构实现的，没有独立的层。本领域技术人员从对比文件无法直接得到具有独立电流限制层的方案，且对比文件未暗示这种独立层结构，因此该特征未公开。 |
| 技术特征K：其中所述金属性反射器层（15）覆盖其大小不超过被所述孔（81）覆盖的区域的大小的区域《未公开》 | 对比文件全文未公开金属性反射器层及其与电流孔的区域大小关系。 | 该特征以金属性反射器层和电流限制层孔的存在为前提，对比文件无此两者，故未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，被所述金属性反射器层（15）覆盖的所述区域至少是被所述孔（81）覆盖的区域的1/10《未公开》 | 对比文件全文未公开金属性反射器层与电流孔的区域比例关系。 | 该特征依赖于金属性反射器层和电流孔，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述金属性反射器层（15）被沉积到绝缘层（13）上《未公开》 | 对比文件全文未公开在绝缘层上沉积金属性反射器层。对比文件有绝缘层（第一絶縁層107）和上电极112，但上电极不沉积在绝缘层上用于光学反射，而是作为电接触。 | 该特征明确要求金属性反射器层沉积在绝缘层上，以阻止金属扩散并调节相位。对比文件无此结构，且无任何教导，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述绝缘层（13）是氧化硅层《未公开》 | 对比文件虽有氧化硅层（第一絶縁層107），但该层不是用于沉积金属性反射器层，而是用于阻挡杂质扩散和保护半导体表面。 | 该特征依赖于金属性反射器层被沉积在绝缘层上，且绝缘层为氧化硅。对比文件虽公开了氧化硅绝缘层，但并未与金属性反射器层关联，因此未公开该特征。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述垂直腔表面发射激光二极管（1）是底部发射激光二极管《未公开》 | 对比文件第[2]段：“開口部１１３（コンタクト層１０９の露出面）から方向１１０すなわち基板１０２に対して垂直方向にレーザ光が放射される”，激光从顶部（开口部113）发射，而非底部（基板侧）。 | 对比文件是顶部发射激光二极管，激光从开口部（顶部介电镜侧）射出，与目标专利的底部发射不同。因此该特征未公开。 |
| 技术特征P：所述金属性反射器层（15）设置在沉积于所述衬底（2）上的最顶部布拉格反射器叠层（9）上《未公开》 | 对比文件全文未公开金属性反射器层，也未公开将其设置在最顶部布拉格反射器叠层上。 | 该特征以金属性反射器层存在为前提，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属性反射层（15）周边被环接触（11）围绕《未公开》 | 对比文件有环接触（上电极112），但该环接触并非围绕金属性反射器层，而是直接接触半导体层并形成开口，且无金属性反射器层被环绕。 | 该特征依赖于金属性反射器层，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属性反射器层（15）的折射率的实部低于0.5《未公开》 | 对比文件全文未公开任何金属性反射器层的折射率特性。 | 该特征直接限定金属性反射器层的光学参数，对比文件无此层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属性反射器层（15）的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组《未公开》 | 对比文件全文未公开用于光学反射的金属层，其上电极一般由Cr/Au-Zn等构成，但并非用于光学终止反射器。 | 该特征指定金属性反射器层的材料，对比文件无此层，故未公开。 |
| 技术特征T：其中所述金属性反射器层（15）的覆盖度从光轴（3）处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低《未公开》 | 对比文件全文未公开任何具有渐变覆盖度的金属层。 | 该特征涉及金属性反射器层的具体结构设计，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征U：其中所述金属性反射器层（15）形成电接触之一的至少一部分《未公开》 | 对比文件的上电极112是电接触，但不具光学反射功能，且不位于光轴区域。 | 该特征要求金属性反射器层同时作为电接触，对比文件无这样的金属层，故未公开。 |
| 技术特征V：其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“開口部１１３（コンタクト層１０９の露出面）から方向１１０すなわち基板１０２に対して垂直方向にレーザ光が放射される”，激光从顶部表面（开口部113）射出。 | 对比文件明确激光从顶部（开口部）垂直于基板射出，属于顶部发射激光二极管。该特征与目标专利的顶部发射实施例一致，因此被直接公开。 |
| 技术特征W：所述金属性反射器层（15）埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）之下《未公开》 | 对比文件全文未公开任何金属性反射器层，更未提及埋置在布拉格反射器叠层之下。 | 该特征以金属性反射器层存在为前提，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征X：还包括电接触层《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“コンタクト金属層（上側電極）１１２”（接触金属层（上电极）112）。 | 对比文件明确公开了电接触层（上电极112），用于注入电流。该特征与目标专利的电接触层在功能上相同，均用于提供电连接。因此被直接公开。 |
| 技术特征Y：该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分《未公开》 | 对比文件：上电极112接触コンタクト層109，但对比文件无金属性反射器层，故无相交部分。 | 该特征要求电接触层与金属性反射器层相交，对比文件无金属性反射器层，因此未公开。 |
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