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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
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1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx

首先,明确对比文件名称:2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector;目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B;本次调用的模型名称:DeepSeek。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)——直接公开对比文件详细描述部分提到“支撑衬底(submount)106”,例如:“submount 106 may be, for example, an n-type Si material”(支撑衬底106可以是例如n型硅材料)。对比文件公开了支撑衬底106,其作为VCSEL结构的支撑和散热基板,等同于目标专利中的衬底(2),因此该特征被直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)——直接公开对比文件详细描述部分:“bottom dielectric DBR 104 is disposed within a metal bonding layer 105, which is disposed on, and electrically coupled to, submount 106”(底部介质DBR 104设置在金属键合层105内,该键合层设置在支撑衬底106上并与其电耦合)。虽然底部DBR 104通过中间层设置,但其明确位于支撑衬底106上,相当于目标专利中第一布拉格反射器叠层(5)设置在衬底上的结构,因此该特征被直接公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)——直接公开对比文件详细描述部分:“top dielectric DBR 102”(顶部介质DBR 102)。对比文件明确公开了顶部DBR 102,相当于目标专利的第二布拉格反射器叠层(9),因此直接公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔——直接公开对比文件详细描述部分:“the top and bottom laser cavity mirrors, in particular the top and bottom DBRs 102, 104, must have sufficient reflectance at the lasing wavelength to permit lasing to occur”(顶部和底部激光腔镜,特别是顶部和底部DBR 102、104,必须在激射波长处具有足够的反射率以允许激射发生),“active region 115 is located within the laser cavity”(有源区115位于激光腔内)。对比文件公开了顶部和底部反射镜构成激光腔,且光轴垂直于层平面,激光沿光轴方向传播,因此该特征直接公开。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出——直接公开对比文件详细描述部分:“The top cavity mirror, in particular top dielectric DBR 102, is the exit mirror”(顶部腔镜,特别是顶部介质DBR 102,是出射镜)。激光束从顶部DBR 102沿光轴垂直出射,因此该特征直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)——直接公开对比文件详细描述部分:“bottom metal mirror 108 is deposited at the bottom end of the bottom DBR to provide a combined bottom mirror”(底部金属镜108沉积在底部DBR的底端以提供复合底部镜)。金属镜108终止了底部DBR 104,相当于目标专利中金属性反射器层使布拉格反射器叠层之一终止,作用相同,直接公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域——直接公开对比文件详细描述部分:“bottom metal mirror 108”位于底部DBR下方,覆盖整个底部DBR的底面,光轴通过中心。金属镜108覆盖一定区域(整个底面)且环绕光轴,与目标专利中金属性反射器层环绕光轴定位并覆盖一定区域一致,直接公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域——未公开对比文件全文未涉及模式强度分布与金属镜尺寸的关系。对比文件未公开任何关于TEM00模式强度分布或金属镜区域与模式强度关系的技术内容,因此该特征未被公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)——未公开对比文件详细描述部分:“bottom DBR 104 comprises 3 mirror pairs of QWOT aluminum oxide and silicon layers”(底部DBR 104包括3对QWOT氧化铝和硅层)。但对比文件未提及任何电流限制层。对比文件公开了底部DBR 104包括3对(小于15对),但未公开电流限制层(8),因此该特征的第二部分未被公开,整体未公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)——未公开对比文件全文未描述电流限制层及电流孔。对比文件未公开电流限制层,故无电流孔,该特征未被公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域——未公开对比文件全文无相关描述。对比文件未公开电流孔,故无区域大小比较,该特征未被公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10——未公开对比文件全文无相关描述。对比文件未公开电流孔,故无区域比例关系,该特征未被公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上——直接公开对比文件详细描述部分:“Phase-shift layer 107 may be constructed of SiO2 or other suitable dielectric”(相位匹配层107可由SiO2或其他合适电介质构成),“deposition of a metal mirror 108”(沉积金属镜108)在相位匹配层之后。金属镜108沉积在绝缘层(相位匹配层107)上,直接公开了该特征。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层——直接公开对比文件详细描述部分:“Phase-shift layer 107 may be constructed of SiO2”(相位匹配层107可由SiO2构成)。绝缘层(相位匹配层)为SiO2,即氧化硅层,直接公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管——直接公开对比文件详细描述部分:“a structure similar to that of VCSEL 100 may be used, but modified so that light is removed from the bottom (substrate-side), provided the top DBR 102 has a metal mirror and the bottom DBR 104 does not”(可以使用类似于VCSEL 100的结构,但修改为光从底部(衬底侧)取出,前提是顶部DBR 102具有金属镜而底部DBR 104没有)。对比文件明确公开了底部发射的变型,本领域技术人员可直接得到底部发射激光二极管,因此直接公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上——直接公开同上,在底部发射变型中,“top DBR 102 has a metal mirror”(顶部DBR 102具有金属镜),即金属镜设置在顶部DBR上。在底部发射变型中,金属镜设置在顶部DBR(最顶部布拉格反射器叠层)上,直接公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕——未公开对比文件详细描述部分:“An annular metal bonding pad 113 is disposed on top metal contact layer 114”(环形金属键合焊盘113设置在顶部金属接触层114上),但该环接触围绕出射孔,而非围绕金属性反射器层108。对比文件未公开环接触围绕金属性反射器层,该特征未被公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5——未公开对比文件全文未提及金属性反射器层的折射率数值。对比文件未公开折射率实部低于0.5,该特征未被公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组——直接公开对比文件详细描述部分:“Any metal having sufficient reflectance, low absorption, and good adhesion properties, such as silver (Ag), can be used as the metal mirror 108”(任何具有足够反射率、低吸收和良好附着性的金属,例如银(Ag),都可用作金属镜108)。对比文件公开了银(Ag),银属于该组,因此直接公开。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低——未公开对比文件全文未描述金属性反射器层的覆盖度渐变结构。对比文件未公开覆盖度逐渐降低的特征,故未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分——未公开对比文件详细描述部分:电流路径从顶部接触经有源区、底部电流扩展层116、金属层117、金属键合层105到支撑衬底106,金属镜108不参与导电。对比文件中的金属镜108未用作电接触的一部分,该特征未被公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管——直接公开对比文件详细描述部分:“The top cavity mirror, in particular top dielectric DBR 102, is the exit mirror”(顶部腔镜,特别是顶部介质DBR 102,是出射镜)。主要实施例为顶部发射,直接公开。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下——直接公开对比文件图1及描述:金属镜108位于底部DBR 104之下,有源区115之下,顶部DBR 102之上(即顶部DBR在最上方),因此金属镜108位于第一和第二布拉格反射器叠层(底部DBR和顶部DBR)之下。金属镜108埋置在底部DBR 104和顶部DBR 102之下,直接公开。
技术特征X:还包括电接触层——直接公开对比文件详细描述部分:“top metal contact layer 114”(顶部金属接触层114)和“patterned metal layer 117”(图案化金属层117)。对比文件公开了多个电接触层,直接公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分——未公开对比文件详细描述部分:电接触层如金属层117接触底部电流扩展层116,而非直接接触被金属镜108终止的底部DBR 104;且无电接触层与金属镜108相交的结构。对比文件未公开电接触层接触被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层且与之相交,该特征未被公开。

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