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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
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1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx

对比文件名称:JPH03148892A_Description_20260712_1453

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)<br>**直接公开**[0001]:“n形又は半絶縁性GaAs基板10”(n型或半绝缘GaAs基板10);以及“n形GaAs基板30”、“n形GaAs基板50”。对比文件明确公开了作为衬底的基板,用于支撑其他层,与目标专利的衬底作用相同,因此直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)<br>**隐含公开**[0001]:“この開口の底面及び内周面に誘電体多層膜又は金属膜から成る反射鏡20を形成する”(在开口的底面和内周面形成由介电多层膜或金属膜构成的反射镜20)。反射镜20由介电多层膜构成时即为布拉格反射器,且位于基板开口底面,相当于设置在衬底上。虽然目标专利的第一布拉格反射器叠层为外延生长,但反射镜20在功能上等同,本领域技术人员可合理推断其构成第一布拉格反射器叠层,故隐含公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)<br>**隐含公开**[0001]:“円柱メサの上端面にも反射鏡21を形成する”(在圆柱台面的上端面也形成反射镜21)。反射镜21由介电多层膜构成时即为布拉格反射器,位于台面顶端,相当于第二布拉格反射器叠层。本领域技术人员可合理推断,故隐含公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔<br>**直接公开**[0001]:“反射鏡20と21との間にファブリペロー共振器が形成され”(在反射镜20和21之间形成法布里-珀罗谐振器),光轴沿垂直方向。对比文件明确公开了在反射镜20和21之间形成谐振腔,具有垂直光轴,相当于目标专利的激光腔,直接公开。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出<br>**直接公开**[0001]:“レーザ光が反射鏡21を透過して矢印a方向に放出される”(激光透过反射镜21沿箭头a方向发射)。对比文件明确激光束沿垂直方向(光轴)发射,直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件虽然公开了金属膜反射镜,但未公开其用于终止布拉格反射器叠层。对比文件中的反射镜直接作为谐振腔镜,并未终止任何布拉格反射器叠层,也未描述相应的结构或功能,因此未公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件中的反射镜覆盖整个腔面,未限定区域。对比文件没有公开反射镜仅覆盖光轴周围特定区域,而是覆盖整个出射面,因此未公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有涉及任何关于激光模式强度分布或区域尺寸的定义,因此未公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件未公开布拉格反射器叠层的对数,也未公开电流限制层。对比文件未公开布拉格反射器叠层的具体层数,也未公开任何电流限制层,因此未公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件通过扩散电位差控制电流注入,未采用物理电流限制层,因此未公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有公开金属性反射器层与电流孔之间的尺寸关系,因此未公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有公开任何比例关系,因此未公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件中的反射镜直接沉积在半导体或基板表面,没有绝缘层。对比文件未公开在金属性反射器层下设置绝缘层,因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件虽使用SiO₂层(如第4图中的SiO₂层36),但并非用于金属性反射器层下方。对比文件未公开金属性反射器层下方的绝缘层为氧化硅,因此未公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件所有实施例均为顶部发射(激光从台面顶端反射镜射出)。对比文件明确激光从顶部发射,而非底部发射,因此未公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有公开金属性反射器层设置在顶部布拉格反射器叠层上的结构,因此未公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件的p侧电极并非环状,且不围绕金属反射器。对比文件没有公开环接触围绕金属性反射器层的结构,因此未公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有提及金属性反射器层的折射率,因此未公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组<br>**未公开**[0001]:“金属膜から成る反射鏡”(由金属膜构成的反射镜),但未指定具体金属。对比文件虽然公开了金属膜,但未限定具体材料,本领域技术人员不能直接确定必须使用金、银、铜及其合金,因此未公开该材料组。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有公开金属性反射器层的覆盖度变化,因此未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件中反射镜与电极分离,反射镜不充当电接触。对比文件没有公开金属性反射器层作为电接触的一部分,因此未公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管<br>**直接公开**[0001]:“レーザ光が反射鏡21を透過して矢印a方向に放出される”(激光透过反射镜21沿箭头a方向发射),说明从顶部发射。对比文件明确是顶部发射激光二极管,与目标专利的顶部发射实施例一致,直接公开。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件没有公开金属性反射器层埋置于布拉格反射器叠层之间的结构,因此未公开。
技术特征X:还包括电接触层<br>**直接公开**[0001]:“n側電極18”及“p側電極19”(n侧电极18和p侧电极19),以及后续实施例中的电极。对比文件公开了电接触层(电极),用于注入电流,直接公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分<br>**未公开**无相关公开内容。对比文件的电极未与金属反射器相交,且不接触被金属反射器终止的布拉格反射器叠层。对比文件没有公开具有相交部分的电接触层,因此未公开。

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