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对比文件列表
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
2026-07-22 17:34
1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx

对比文件名称:1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:DeepSeek

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)【直接公开】[0025] “图3是表示本发明第一实施例的底部发射多模VCSEL300的截面图。该多模VCSEL300具备n型基板304、在基板304上生长的第一布拉格镜面区域302、...”对比文件明确公开了VCSEL包括n型基板304,相当于目标专利的衬底(2)。因此直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)【直接公开】[0025] “在基板304上生长第一布拉格镜面区域302”对比文件公开了第一布拉格镜面区域302设置在基板304上,相当于目标专利的第一布拉格反射器叠层(5)。因此直接公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)【直接公开】[0025] “第二布拉格镜面区域308”对比文件公开了第二布拉格镜面区域308,相当于目标专利的第二布拉格反射器叠层(9)。因此直接公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔【直接公开】[0025] 以及[0026] 描述第一和第二布拉格镜面区域与活性区域形成谐振腔。对比文件公开了第一和第二布拉格镜面区域与活性区域构成激光谐振腔,本领域技术人员可知该腔具有光轴。因此直接公开。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出【直接公开】对比文件整体涉及VCSEL,其工作必然发射激光。VCSEL工作时激光束沿光轴发射,这是本领域公知,对比文件未明确否认。因此直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)【直接公开】[0032] “电极322优选由反射率高的材料即金构成。因此,第二布拉格镜面308的反射率约97~98%,但第二镜面区域309的反射率(第二布拉格镜面308的反射率与电极镜面322的反射率组合)超过约99%。”对比文件公开了金电极322作为金属反射器,其终止第二布拉格镜面区域(顶部DBR),相当于目标专利的金属性反射器层(15)使布拉格反射器叠层之一终止。因此直接公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域【直接公开】[0041] “幅334是上部电极322的宽度。幅336是质子隔离区域的直径,即两个质子隔离区域320a、320b之间的距离。优选地,两个质子隔离区域320a、320b以电极322的中心轴为中心对齐。”对比文件公开了电极322(金属反射器)为圆形,中心位于光轴,覆盖一定区域(由宽度334确定)。因此直接公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域【未公开】无相关记载。对比文件未涉及TEM00模式强度分布,也未提及金属反射器尺寸与模式强度区域的关系。因此未公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)【直接公开】[0031] “第二布拉格镜面区域308典型地包含15~20对C或Be掺杂的交替AlAs层。” [0035] “质子隔离区域320引入高电阻区域,典型地形成在第二布拉格镜面308中。”对比文件公开了第二布拉格镜面区域(被金属反射器终止的DBR)包括15~20对,其中15对落入“至多15对”的范围,因此直接公开了该特征中的DBR对数要求。同时,对比文件公开了质子隔离区域320作为电流限制层,相当于目标专利的电流限制层(8)。因此直接公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)【直接公开】[0041] “质子隔离区域的直径336是两质子隔离区域320a、320b间的距离”对比文件公开了质子隔离区域320a、320b之间形成电流孔,横向限制电流。因此直接公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域【直接公开】[0041] “质子隔离区域的直径336大于电极的宽度334”对比文件公开了电极322(金属反射器)的宽度334小于质子隔离区域直径336(即孔区域大小),即金属反射器覆盖区域不超过孔区域。因此直接公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10。【未公开】无相关记载。对比文件未公开金属反射器覆盖区域与孔区域的比例关系。因此未公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上。【未公开】无相关记载。对比文件中的电极322直接形成在第二布拉格镜面区域上,未提及绝缘层。因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层。【未公开】无相关记载。对比文件未公开任何绝缘层,更未指定为氧化硅。因此未公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管【直接公开】[0025] “图3是表示本发明第一实施例的底部发射多模VCSEL300的截面图。”对比文件明确公开了底部发射VCSEL。因此直接公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上。【直接公开】[0025]及[0032]:电极322设置在第二布拉格镜面区域308(顶部DBR)上。对于底部发射VCSEL,第二布拉格镜面区域是最顶部叠层,电极322设置在其上。因此直接公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕。【未公开】无相关记载。对比文件中的电极322为单一金属层,覆盖整个顶部区域,并非被环接触围绕。因此未公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5。【隐含公开】[0032] “电极322优选由反射率高的材料即金构成。”对比文件公开了金作为金属反射器。金在VCSEL典型发射波长(约980nm)的折射率实部约为0.18,低于0.5,这是本领域的公知常识。因此,本领域技术人员可以合理推断出金属反射器层的折射率实部低于0.5。因此隐含公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组。【直接公开】[0032] “电极322优选由反射率高的材料即金构成。”对比文件公开了金作为金属反射器材料,金属于该组,因此直接公开。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低。【未公开】无相关记载。对比文件未公开金属反射器覆盖度的渐变图案。因此未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分。【直接公开】[0032] “电极322”作为电接触;[0048]等描述电极形成。对比文件中的电极322同时作为电接触和反射镜,即金属反射器层形成了电接触的一部分。因此直接公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管【直接公开】[0044] “图9是表示本发明替代实施例的顶部发射多模VCSEL的截面图。”对比文件公开了顶部发射VCSEL。因此直接公开。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下。【未公开】图9顶部发射VCSEL中,金属电极在顶部镜面上,未埋置在DBR之下。对比文件图9的顶部发射结构中,金属反射器(电极)位于顶部DBR之上,并非埋置在DBR之下。因此未公开。
技术特征X:还包括电接触层【直接公开】电极322和324为电接触层。对比文件公开了顶部电极322和底部电极324作为电接触层。因此直接公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分。【未公开】无相关记载。对比文件中的电接触层(电极322)就是金属反射器层本身,不存在与金属反射器层相交的独立部分。因此未公开。

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