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对比文件列表
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
2026-07-22 17:34
1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
2026-07-22 17:34
2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx

对比文件名称:2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征及公开性对比文件原文引用(日语原文及中文翻译)公开性论述
特征A:包括,衬底(2) 直接公开【0036】“GaAs基板52” / 翻译:GaAs基板52对比文件明确记载了GaAs基板作为衬底,其作用与目标专利的衬底完全相同,均为器件提供支撑和基础。因此,本领域技术人员可直接确定该特征被公开。
特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5) 直接公开【0036】“n−下部多層膜反射鏡(以下、n−下部DBRと言う)54” / 翻译:n型下部多层膜反射镜(简称n-下部DBR)54对比文件公开了设置在GaAs基板上的n-下部DBR,即为第一布拉格反射器叠层,其材料组成和功能与目标专利的对应叠层实质相同。直接公开。
特征C:第二布拉格反射器叠层(9) 直接公开【0036】“p−上部多層膜反射鏡(以下、p−上部DBRと言う)60” / 翻译:p型上部多层膜反射镜(简称p-上部DBR)60对比文件公开了p-上部DBR,作为第二布拉格反射器叠层,与第一布拉格反射器叠层共同构成谐振腔。直接公开。
特征D:第一和第二布拉格反射器叠层形成具有光轴(3)的激光腔 直接公开【0002】“基板面に対して直交方向にレーザ光を出射する” / 翻译:在垂直于基板面的方向上发射激光对比文件描述了一对DBR谐振器与活性层形成激光腔,激光垂直于基板出射,由此限定了光轴方向。直接公开。
特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出 直接公开【0002】同上,激光沿垂直于基板的方向出射。操作时激光束沿光轴(垂直基板)发出,对比文件公开了这一基本工作方式。直接公开。
特征F:使布拉格反射器叠层之一终止的金属性反射器层(15) 未公开对比文件全文未记载金属性反射器层。对比文件的上部DBR(p-上部DBR)由半导体多层膜构成,反射功能由DBR自身实现,未被任何金属层终止。没有公开任何金属性反射器层终止DBR或起到类似作用。因此未公开。
特征G:金属性反射器层环绕光轴定位并且覆盖一定区域 未公开对比文件未记载对应结构。由于特征F未公开,金属性反射器层不存在,故特征G未公开。
特征H:该区域不大于TEM00模式1/3强度区域 未公开对比文件未涉及TEM00模式强度区域与反射器层尺寸的关系。对比文件没有公开金属性反射器层,也未提及任何关于模式强度分布与反射器层尺寸的对应关系。因此未公开。
特征I:被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层包括至多15对;并且还包括电流限制层 未公开【0005】上部DBR为25对;【0036】“電流狭窄層58” / 翻译:电流狭窄层58对比文件没有金属性反射器层,故不存在被其终止的布拉格反射器叠层;且上部DBR为25对(非至多15对)。虽然对比文件有电流限制层,但特征I是组合特征,金属性反射器层相关部分未公开,故整体未公开。
特征J:电流限制层具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81) 直接公开【0036】“中央の直径50μmの円形領域をなすAlAs層からなる電流注入領域58A” / 翻译:由中央直径50μm的圆形区域AlAs层构成的电流注入区域58A对比文件电流狭窄层58的中央区域(电流注入领域58A)作为电流孔,其直径50μm,横向限制电流,与目标专利的电流孔功能相同。直接公开。
特征K:金属性反射器层覆盖区域不超过孔区域 未公开对比文件未涉及金属性反射器层尺寸与孔区域的关系。对比文件没有金属性反射器层,故未公开该特征。
特征L:覆盖区域至少是孔区域的1/10 未公开对比文件未记载。对比文件没有金属性反射器层,故未公开。
特征M:金属性反射器层沉积到绝缘层上 未公开【0007】“SiNx膜32” / 翻译:SiNx膜32;但p侧电极形成在去除SiNx后的露出表面上。对比文件虽有SiNx绝缘层,但p侧电极(34)直接形成在接触层上,并非沉积在绝缘层上。且金属性反射器层不存在,故未公开。
特征N:绝缘层是氧化硅层 未公开对比文件绝缘层为SiNx。对比文件未使用氧化硅绝缘层,故未公开。
特征O:底部发射激光二极管 未公开对比文件激光从上部出射(顶部发射)。对比文件是顶部发射结构,激光从p侧电极窗出射,非底部发射,故未公开。
特征P:金属性反射器层设置在顶部布拉格反射器叠层上 未公开对比文件无金属性反射器层。对比文件无此结构,未公开。
特征Q:金属性反射层周边被环接触围绕 未公开对比文件无对应结构。对比文件没有金属性反射器层,也没有专门的环接触围绕它,故未公开。
特征R:金属性反射器层折射率实部低于0.5 未公开对比文件未提及折射率。对比文件未公开任何金属性反射器层及其折射率,故未公开。
特征S:金属性反射器层材料选自金、银、铜及其合金 未公开【0008】“AuZn電極” / 翻译:AuZn电极虽然对比文件电极材料为金合金,但该电极是作为电接触层,并非作为金属性反射器层,且未发挥反射器层的作用。特征S限定金属性反射器层的材料,故未公开。
特征T:覆盖度从光轴向外逐渐降低 未公开对比文件未记载。对比文件没有金属性反射器层,也未提及覆盖度变化,故未公开。
特征U:金属性反射器层形成电接触之一部分 未公开对比文件未记载金属性反射器层作为电接触。对比文件无金属性反射器层,故未公开。
特征V:顶部发射激光二极管 直接公开【0001】“出射光を電極金属膜によって遮ることなく”及结构;激光从上部出射。对比文件是顶部发射面发光激光元件,激光从上部电极窗口出射,直接公开此特征。
特征W:金属性反射器层埋置在DBR之下 未公开对比文件无金属性反射器层。对比文件未公开此结构,未公开。
特征X:还包括电接触层 直接公开【0039】“p側電極66” / 翻译:p侧电极66对比文件公开了p侧电极作为电接触层,用于注入电流,直接公开。
特征Y:电接触层接触被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层且包括相交部分 未公开对比文件无金属性反射器层。对比文件没有金属性反射器层,因此电接触层不涉及与金属性反射器层相交,未公开。

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