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对比文件列表
1997-12-09_US5695809A_发明授权_US5695809A Sol-gel phosphors_+++A_C_D_E_F_L+++.docx
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2002-03-14_US2002030444A_发明申请_US20020030444A1 THIN FILM PHOSPHOR-CONVERTED LIGHT EMITTING DIODE DEVICE_+++F_L+++.docx
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2004-05-13_DE10349038A_发明专利_DE10349038A1 Light source used as a luminescence conversion-LED has a polycrystalline ceramic body acting completely or partially as a phosphor_+++A_C_D_E_F_L_b+++.docx
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2004-05-20_JP2004146835A_发明专利_JP2004146835A Light source having led and emitter converter, and method for manufacturing the emitter converter_+++A_C_D_E_F_L_b_g+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_B_C_D_E_F_L_g+++.docx
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2005-07-07_US2005148110A_发明申请_US20050148110A1 Method for producing a luminescence diode chip_+++A_C_D_E_F_G+++.docx
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2006-04-06_WO2006035353A_发明申请_WO2006035353A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-06-20_EP1797594A_发明公开_EP1797594A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-06-28_US2007145884A_发明申请_US20070145884A1 Light emitting diode die with at least one phosphor layer and method for forming the same_+++E_F+++.docx
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2007-07-26_WO2007083907A_发明申请_WO2007083907A1 SHEET TYPE PHOSPHORS, PREPARATION METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICES USING THESE PHOSPHORS_+++E_F_L_R+++.docx
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2007-08-02_WO2007085977A_发明申请_WO2007085977A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++B_C_F_G_L_a_e+++.docx
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2007-09-05_CN101032035A_发明公开_CN101032035A 具有改进转化层的发光器件_+++A_C_D_E_F_L_N_R_h+++.docx
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2007-10-04_JP2007258228A_发明专利_JP2007258228A Diffusion plate for use of light emitting diode element, its structure, and light emitting diode device_+++A_B_C_D_E_F_G_R_l+++.docx
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2007-10-23_US7285791B_发明授权_US07285791B2 Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same_+++E_F_l+++.docx
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2007-12-27_JP2007335798A_发明专利_JP2007335798A Light-emitting device_+++B_C_E_F_G_N_a+++.docx
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2008-01-17_WO2008007232A_发明申请_WO2008007232A2 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_L+++.docx
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2008-01-24_JP2008502131A_发明专利_JP2008502131A Luminescent ceramic for a light-emitting device_+++A_C_D_E_F_G_L_b_h_r+++.docx
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2008-06-26_US2008149956A_发明申请_US20080149956A1 Multi-Grain Luminescent Ceramics for Light Emitting Devices_+++A_C_D_E_F_H_L_Q_b_o_p+++.docx
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2008-07-17_JP2008166740A_发明专利_JP2008166740A Optical preforming of solid-state light-emitting die, manufacturing method therefor, assembly method, and system_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_Q_R+++.docx
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2008-08-14_WO2008096214A_发明申请_WO2008096214A2 LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING LUMINESCENT CERAMIC AND LIGHT-SCATTERING MATERIAL_+++A_B_C_E_F_G_L_d_n+++.docx
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2008-10-09_KR1020080091240A_发明公开_KR1020080091240A 발광 장치_+++B_C_E_F_G_L_a_h+++.docx
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2008-10-15_EP1979954A_发明公开_EP1979954A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_G_L_r+++.docx
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2008-12-10_EP1999231A_发明公开_EP1999231A2 ELECTROLUMINESCENT DEVICE_+++E_F_L+++.docx
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2009-01-29_US2009026908A_发明申请_US20090026908A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_G_L_n+++.docx
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2009-02-18_KR1020090017696A_发明公开_KR1020090017696A 발광 장치 및 그를 포함하는 디스플레이 장치_+++A_B_E_F_L_c+++.docx
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2009-02-25_CN101375420A_发明公开_CN101375420A 发光器件_+++B_E_F_G_L_a_c+++.docx
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2009-03-04_EP2030258A_发明公开_EP2030258A2 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_L_h+++.docx
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2009-03-12_US2009066221A_发明申请_US20090066221A1 ELECTROLUMINESCENT DEVICE_+++F_L_r+++.docx
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2009-04-08_CN101405368A_发明公开_CN101405368A 电致发光器件_+++E_F_L_r+++.docx
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DE102006061175A1_Description_20260712_1453_+++A_B_D_E_F_G_c+++.docx
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2007-08-02_WO2007085977A_发明申请_WO2007085977A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++B_C_F_G_L_a_e+++.docx

对比文件名称:2007-08-02_WO2007085977A_发明申请_WO2007085977A1 LIGHT-EMITTING DEVICE

目标专利名称:1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B

本次调用的模型名称:DeepSeek Chat

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
特征A:该光散射和转换板包括a)第一层(12)<br>(隐含公开)[p0021]公开了“光散射元件6,用于产生具有朗伯分布图案的混合光5”;[p0029]公开了“光散射元件6以平均厚度600μm包围固态光源3和转换元件4”。对比文件虽未明确提及“板”包括第一层,但公开了光散射元件6,该元件具有散射属性且为层状结构(厚度600μm),本领域技术人员可合理推断其可作为光散射和转换板的第一层。因此,该特征被隐含公开。
特征B:其具有散射属性<br>(直接公开)[p0021]:“光散射元件6,用于产生具有朗伯分布图案的混合光5”。对比文件明确光散射元件用于产生朗伯分布,即具有散射属性。因此,该特征被直接公开。
特征C:基本上不具有转换属性<br>(直接公开)对比文件全文未描述光散射元件6具有光转换功能,其作用仅为散射。对比文件未赋予光散射元件转换属性,其功能仅在于散射,因此本质上不具有转换属性。本领域技术人员可毫无疑义地确定该特征。因此,该特征被直接公开。
特征D:第一层基本上由选自包含下述的群组的材料制成:玻璃、Al₂O₃、Y₃Al₅O₁₂、RE₃Al₅O₁₂(RE=稀土金属)、Y₂O₃、ZnS、AlON、AlPON、AlN、MgAl₂O₄、SiC、SiO₂、Si₃N₄或者其混合物<br>(未公开)[p0029]描述光散射元件6包含硅胶基体(折射率n=1.45)中嵌入散射粒子(如ZrO₂、TiO₂),未提及由所述群组材料制成的单一层。对比文件公开的光散射元件为包含散射粒子的聚合物基体,并非由权利要求列表中致密材料(如陶瓷或玻璃)单独构成,且未列举或暗示该列表中的材料。因此,该特征未被公开。
特征E:b)第二层(14)<br>(隐含公开)[p0021]公开了“转换元件4,布置在主辐射的光路中,用于至少部分吸收主辐射的第二部分512并辐射二次辐射”。对比文件虽未明确“板”包括第二层,但公开了转换元件4,其具有转换属性且为层状(如实施例中厚度250μm的陶瓷盘),本领域技术人员可合理推断其可作为光散射和转换板的第二层。因此,该特征被隐含公开。
特征F:其具有转换属性<br>(直接公开)[p0021]:“转换元件4……用于至少部分吸收主辐射的第二部分512并辐射二次辐射”。对比文件明确转换元件用于吸收辐射并发射二次辐射,即具有转换属性。因此,该特征被直接公开。
特征G:位于该主光源和该第一层之间的光路内<br>(直接公开)[p0021]及[p0022]示出转换元件4位于主辐射光路中,且光散射元件6包围固态光源3和转换元件4;对于向上发射的光,转换元件位于光源和散射元件之间的光路中。对比文件公开了转换元件在光源和散射元件之间的光路中,使得主辐射先经过转换元件再进入散射元件,符合“位于主光源和第一层之间”的要求。因此,该特征被直接公开。
特征H:第二层基本上由LubYcGddCeeAl5O12制成,其中b+c+d+e=3,0.09≤e≤0.24<br>(未公开)[p0031]实施例使用YAG:Ce(Y₃Al₅O₁₂:Ce),由Y₂O₃、Al₂O₃、CeO₂烧结而成,Ce含量(Ce/(Y+Ce))约为0.0535,且未掺杂Lu、Gd。对比文件公开的YAG:Ce中Ce含量(约0.0535)不在0.09-0.24范围内,且未涉及Lu、Gd掺杂,亦未教导该具体范围。因此,该特征未被公开。
特征I:第二层基本上由Ca1-x-y-z-0.5uMxSi1+u-v-zAl1-u+v+zN3-vOv:Euy,Cez等材料制成<br>(未公开)对比文件全文未提及任何含Ca、Si、Al、N、O、Eu、Ce的氮氧化物荧光材料。对比文件未公开任何涉及该复杂氮氧化物体系的材料。因此,该特征未被公开。
特征J:第一层的厚度A和第二层的厚度B满足A≥3*B;并且第一层基本上由密度为理论密度的≥90%且≤100%的陶瓷材料制成<br>(未公开)[p0031]中第一层(散射元件)平均厚度600μm,第二层(转换元件)厚度250μm,不满足A≥3B(600<750);第一层为硅胶基体,非陶瓷材料。对比文件实施例不满足厚度关系,且未教导该厚度比率;第一层并非陶瓷材料,亦未公开其密度条件。因此,该特征未被公开。
特征K:第二层的厚度B为≥5µm且≤80µm;第一层的厚度A为≥50µm且≤1000µm<br>(未公开)[p0031]中第二层厚度250μm,超出5-80μm范围;第一层厚度600μm在50-1000μm内,但第二层不满足。对比文件第二层厚度明显超出权利要求范围,且未教导该厚度区间。因此,该特征未被公开。
特征L:第二层基本上由陶瓷材料制成<br>(直接公开)[p0006]:“转换元件包含陶瓷材料,其密度大于理论固态密度的97%”;[p0031]具体使用YAG:Ce陶瓷材料。对比文件明确转换元件由陶瓷材料制成,且密度满足97%以上(高于90%)。因此,该特征被直接公开。
特征M:第一层的散射系数为>0且≤1000cm⁻¹<br>(未公开)对比文件未提及光散射元件的散射系数数值或范围。对比文件未公开散射系数的任何具体数值或范围,本领域技术人员无法直接或隐含地确定该特征。因此,该特征未被公开。
特征N:第一层和第二层的折射率之间的折射率差异Δn为≥0.03且≤1<br>(未公开)对比文件未直接比较第一层和第二层的折射率差;[p0029]仅给出散射粒子与基体的折射率,未涉及第一层整体与第二层的折射率差异。对比文件未公开第一层(散射元件)与第二层(转换元件)之间的折射率差,也未明确教导该范围。因此,该特征未被公开。
特征O:板包括第三层<br>(未公开)对比文件未公开位于第一层和第二层之间的第三层。对比文件仅描述光散射元件和转换元件,未提及二者之间的附加层。因此,该特征未被公开。
特征P:第三层被提供在第一层和第二层之间<br>(未公开)对比文件未公开任何位于第一层和第二层之间的层。同特征O,对比文件无一、二层之间的第三层结构。因此,该特征未被公开。
特征Q:第三层基本上由粘合材料制成<br>(未公开)对比文件未公开粘合材料层。对比文件未提及任何粘合材料层。因此,该特征未被公开。
特征R:系统在一种或多种下述应用中被使用:办公室照明系统、家庭应用系统、商店照明系统、家居照明系统、重点照明系统、聚光照明系统、剧院照明系统、光纤应用系统、投影系统、自点亮显示器系统、像素化显示器系统、分段显示器系统、警告标志系统、医疗照明应用系统、指示标志系统、装饰照明系统、便携系统、汽车应用、温室照明系统<br>(未公开)对比文件未列出上述具体应用。对比文件仅概括性提及发光装置,未具体列举所述应用场景。因此,该特征未被公开。

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