对比文件名称：2008-12-10_EP1999231A_发明公开_EP1999231A2 ELECTROLUMINESCENT DEVICE
目标专利名称：1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B
本次调用的模型名称：系统未指定（基于给定指令生成的回答）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该光散射和转换板包括a）第一层（12）——**未被公开** | 对比文件公开了“转换元件3”，未公开任何第一层。具体描述：“图2示意性地示出了根据本发明的发光器件的一个实施例，具有基板1和施加在基板1上的用于发射初级辐射52的电致发光光源2，以及设置在电致发光光源2上的用于至少部分吸收初级辐射52并发射次级辐射53的转换元件3。”（具体实施方式部分，图2描述） | 对比文件仅公开了单一的转换元件，该元件同时具有转换和散射功能，没有公开与第二层分离的、专门用于散射且不具有转换属性的第一层。本领域技术人员不能从对比文件直接得到或合理推断出存在这样的第一层。 |
| **技术特征B**：其具有散射属性——**未被公开** | 对比文件公开了转换元件3具有散射属性：“转换元件3包括陶瓷材料31，具有多个孔隙32，散射特性由陶瓷材料中的孔隙决定。”（具体实施方式部分，孔隙散射描述） | 对比文件公开的散射属性归属于转换元件，该元件同时具有转换属性，而目标专利的第一层是专门具有散射属性且不具有转换属性的层。对比文件没有公开这样的层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：基本上不具有转换属性——**未被公开** | 对比文件公开转换元件3用于吸收和转换初级辐射，具有转换属性：“转换元件3用于至少部分吸收初级辐射52并发射次级辐射53。”（具体实施方式部分，图2描述） | 对比文件没有公开任何不具有转换属性的层，其转换元件专门用于转换，因此不具备该特征。 |
| **技术特征D**：其中该第一层基本上由选自包含下述的群组的材料制成：玻璃、Al₂O₃、Y₃Al₅O₁₂、RE₃Al₅O₁₂，RE= 稀土金属、Y₂O₃、ZnS、AlON、AlPON、AlN、MgAl₂O₄、SiC、SiO₂、Si₃N₄或者其混合物——**未被公开** | 对比文件公开了转换元件3的材料，如“Y₂.₆₈₅Gd₀.₃Ce₀.₀₁₅Al₅O₁₂”（具体实施方式部分，图3描述），但未公开用于非转换第一层的材料列表。 | 对比文件未公开用于第一层的材料，其材料均用于转换元件，因此没有公开该特征。 |
| **技术特征E**：b）第二层（14）——**直接公开** | 对比文件公开了“转换元件3”，其功能是用于转换光，相当于目标专利的第二层。具体描述：“转换元件3用于至少部分吸收初级辐射52并发射次级辐射53。”（具体实施方式部分，图2描述） | 对比文件公开了一个转换元件，该元件具有转换属性，相当于目标专利的第二层。本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定对比文件公开了第二层。 |
| **技术特征F**：其具有转换属性——**直接公开** | 同上，转换元件3用于吸收初级辐射并发射次级辐射，即具有转换属性。 | 对比文件明确公开了转换元件具有转换属性，因此直接公开了该特征。 |
| **技术特征G**：位于该主光源和该第一层之间的光路内——**未被公开** | 对比文件图2示出转换元件3直接设置在电致发光光源2上，没有第一层。具体描述：“设置在电致发光光源2上的转换元件3。”（具体实施方式部分，图2描述） | 对比文件没有公开第一层，因此不存在第二层位于主光源和第一层之间的光路关系。该位置关系未被公开。 |
| **技术特征H**：其中该第二层基本上由选自包含下述的群组的材料制成：LubYcGddCeeAl5O12，其中b+c+d+e=3，0.09≤e≤0.24——**未被公开** | 对比文件公开了多种YAG材料，如“Y₂.₆₈₅Gd₀.₃Ce₀.₀₁₅Al₅O₁₂”，其中Ce含量为0.015，不符合目标专利的0.09≤e≤0.24。其他材料如“Lu₃₋ₓ₋ᵧ₋₂YₓAl₅₋ₐSiₐO₁₂₋ₐNₐ:CeyPrz”也没有给出具体Ce浓度范围0.09-0.24。（具体实施方式部分，材料描述） | 对比文件公开的Ce掺杂浓度在0.001-0.1之间，未达到0.09-0.24的范围，且未公开LubYcGddCeeAl5O12的具体配比，因此没有公开该特征。 |
| **技术特征I**：Ca₁₋ₓ₋ᵧ₋₂₋₀.₅ᵤMₓSi₁₊ᵤ₋ᵥ₋₂Al₁₋ᵤ₊ᵥ₊₂N₃₋ᵥOᵥ:Euy,Cez，其中0≤u<0.2，0≤v<0.02，0≤x<1，0.001≤y≤0.01，0.002≤y≤0.04，并且M=Sr、Ba、Mg；或混合物——**未被公开** | 对比文件未提及Ca₁₋ₓ₋ᵧ₋₂₋₀.₅ᵤMₓSi₁₊ᵤ₋ᵥ₋₂Al₁₋ᵤ₊ᵥ₊₂N₃₋ᵥOᵥ:Euy,Cez材料。 | 对比文件没有公开该材料组成，因此没有公开该特征。 |
| **技术特征J**：其中该第一层的厚度A和该第二层的厚度B满足A≥3*B；并且该第一层基本上由密度为理论密度的≥90%且≤100%的陶瓷材料制成——**未被公开** | 对比文件公开了转换元件厚度范围30-3000μm，密度≥97%理论密度（例如“转换元件具有大于或等于97%的理论固体密度的密度”），但未涉及第一层厚度及密度。（具体实施方式部分，厚度和密度描述） | 对比文件没有公开第一层，因此未公开厚度关系及第一层密度。该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：该第二层的厚度B为≥5µm且≤80µm；并且第一层的厚度A为≥50µm且≤1000µm——**未被公开** | 对比文件公开了转换元件厚度在30-3000μm，例如实例中55μm和83μm（具体实施方式部分，图10描述），但未公开第一层厚度。 | 对比文件未公开第一层，因此第一层厚度范围未被公开。第二层厚度范围虽部分重叠（55μm落入5-80μm），但特征要求第一层厚度同时满足，故整体未被公开。 |
| **技术特征L**：其中该第二层基本上由陶瓷材料制成——**直接公开** | 对比文件公开“转换元件3包括陶瓷材料31”，例如“陶瓷材料31具有多个孔隙32”。（具体实施方式部分，陶瓷材料描述） | 对比文件明确公开转换元件由陶瓷材料制成，因此直接公开了该特征。 |
| **技术特征M**：其中该第一层A的散射系数为>0且≤1000cm⁻¹——**未被公开** | 对比文件未提及散射系数，仅提及通过孔隙实现散射，但未给出散射系数数值范围。 | 对比文件没有公开第一层的散射系数，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中该第一层和该第二层的折射率之间的折射率差异Δn为≥0.03且≤1——**未被公开** | 对比文件提及转换元件与光源之间的折射率匹配，但未提及第一层和第二层之间的折射率差异。 | 对比文件没有公开第一层和第二层的折射率差异，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中该板包括第三层——**未被公开** | 对比文件公开了在转换元件和光源之间可设置透明层（如硅树脂层），但该层是用于光学耦合，且位于转换元件和光源之间，不是第一层和第二层之间的第三层。 | 对比文件没有公开在第一层和第二层之间的第三层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：该第三层被提供在该第一层和该第二层之间——**未被公开** | 同上。 | 对比文件没有公开第一层和第二层，因此没有公开第三层位于它们之间。 |
| **技术特征Q**：基本上由粘合材料制成——**未被公开** | 对比文件公开了硅树脂层作为光学耦合，但未指明其作为粘合材料位于第一层和第二层之间。 | 对比文件没有公开第三层由粘合材料制成且位于第一层和第二层之间，因此未被公开。 |
| **技术特征R**：该系统在一种或多种下述应用中被使用：- 办公室照明系统，- 家庭应用系统，- 商店照明系统，- 家居照明系统，- 重点照明系统，- 聚光照明系统，- 剧院照明系统，- 光纤应用系统，- 投影系统，- 自点亮显示器系统，- 像素化显示器系统，- 分段显示器系统，- 警告标志系统，- 医疗照明应用系统，- 指示标志系统，- 装饰照明系统，- 便携系统，- 汽车应用，以及- 温室照明系统——**未被公开** | 对比文件未提及任何具体应用，仅一般性地描述电致发光器件。 | 对比文件没有公开所述系统在所列具体应用中使用，因此该特征未被公开。 |
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