对比文件名称：2005-03-24_JP2005079167A_发明专利_JP2005079167A Light emitting element housing package and light emitting device
目标专利名称：1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：发光装置，包括半导体发光器件(220，320，420) **《直接公开》** | [2]“本発明の発光装置は、本発明の発光素子収納用パッケージと、前記搭載部に搭載された発光素子とを具備していることを特徴とする。”【翻译：本发明的发光装置的特征在于，具备本发明的发光元件收纳用封装和搭载于上述搭载部的发光元件。】 | 对比文件明确记载其“发光装置”包括“发光元件”（発光素子）。该“发光元件”即为半导体发光器件，因此技术特征A被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：所述半导体发光器件(220，320，420)包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层(221，321，421) **《隐含公开》** | [2]“発光素子5は、基体2の搭載部2ａ上にＡｇペースト等でダイボンドされるとともに、搭載部2ａの周辺に配置した配線導体4と発光素子5の電極とがＡｕやＡｌ等のボンディングワイヤ16を介して電気的に接続される。”【翻译：发光元件5通过Ag银浆等粘合在基体2的搭载部2a上，并且配线导体4与发光元件5的电极通过Au或Al等键合线16电连接。】 及全文多处提及的“発光素子5”。 | 对比文件公开了“发光元件”（発光素子），该元件具有电极并通过键合线连接，这是典型的半导体发光二极管（LED）结构。本领域技术人员在阅读对比文件时，能够合理推断出该发光元件必然包含设置在n-型区和p-型区之间的发光层，这是实现LED电致发光的基本结构。因此，技术特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：透明陶瓷体(230，330，430) **《未公开》** | 对比文件未公开“透明陶瓷体”。对比文件公开了“透明树脂”（透明樹脂）用于封装，以及“セラミックス”（陶瓷）用于基体（基体）和框架（枠体），但未公开用于波长转换的透明陶瓷体。 | 目标专利的“透明陶瓷体”是包含波长转换材料并具有特定光波导结构的部件。对比文件中的“陶瓷”材料仅用于结构支撑（基体、框架），其功能、材质和目标完全不同。本领域技术人员无法从对比文件得出技术特征C。 |
| 技术特征D：所述透明陶瓷体(230，330，430)包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料 **《未公开》** | [2]“蛍光体や蛍光体を混入した透明樹脂を発光素子１５の表面に塗布したり、発光素子１５の周囲に配設した後に、枠体13の内側に透明樹脂を充填し熱硬化させることで、発光素子15からの光を蛍光体により波長変換し所望の波長スペクトルを有する光を取り出せる発光装置と成すことができる。”【翻译：将荧光体或混合了荧光体的透明树脂涂布在发光元件15的表面，或配置在发光元件15的周围后，在框架13的内侧填充透明树脂并使其热硬化，从而可以通过荧光体将来自发光元件15的光进行波长转换，得到能够取出具有期望波长光谱的光的发光装置。】 | 对比文件公开了“荧光体”作为波长转换材料，但其设置方式是将荧光体涂布在发光元件表面或混入填充树脂中，并非包含在“透明陶瓷体”内。这与目标专利中波长转换材料位于透明陶瓷体内部的方案在结构上完全不同。因此，技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件(220，320，420)的底面(231，331，431) **《未公开》** | 对比文件未公开陶瓷体，故无底面特征。 | 由于对比文件未公开技术特征C“透明陶瓷体”，因此其结构特征“底面”也未被公开。 |
| 技术特征F：所述陶瓷体具有与所述底面成斜角(234，334，434)的至少一个侧面(233，333，433) **《未公开》** | [2]“金属部材7は、その内面7aが基体2の上面に対して35〜70度の角度で上方に向かって広がるように傾斜している。”【翻译：金属部件7，其内面7a相对于基体2的上面以35～70度的角度向上方扩展地倾斜。】 | 对比文件公开了“金属部材”的内面是倾斜的，但该金属部材是独立的反射部件，并非陶瓷体的一部分。其倾斜内面与目标专利的“陶瓷体侧面”在结构、材质和功能（反射vs解锁波导模式）上均不相同。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述斜角(234，334，434)大于95°或者小于85° **《未公开》** | [2]“金属部材7の内面7aが基体2の上面となす角度は35〜70度が好ましい。”【翻译：金属部件7的内面7a与基体2的上面所成的角度优选为35～70度。】 | 对比文件明确限定了其倾斜面的角度范围为35-70度，这与目标专利要求的大于95°或小于85°完全不同。因此，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述陶瓷体(230，330，430)的至少一个斜侧面(233，333，433)具有反射性涂层(452) **《未公开》** | 对比文件公开了金属部材7本身由金属（如Al、Ag）构成，具有反射性，但并非在陶瓷体侧面上的涂层。 | 对比文件未公开在陶瓷体斜侧面设置反射性涂层。其反射功能由独立的金属部材实现，而非通过涂层。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述斜角(234，334，434)大于100°或者小于80° **《未公开》** | [2]“金属部材7の内面7aが基体2の上面となす角度は35〜70度が好ましい。” | 对比文件角度范围35-70度，与目标专利的大于100°或小于80°完全不同，未被公开。 |
| 技术特征J：在陶瓷体(230，330，430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于陶瓷体的折射率的中间层(451) **《未公开》** | 对比文件未公开该中间层结构。 | 对比文件未涉及任何设置于陶瓷体与涂层之间的低折射率中间层，因此未被公开。 |
| 技术特征K：所述陶瓷体(230，330，430)具有设置有微褶皱的顶面(232，332，432) **《未公开》** | 对比文件未公开微褶皱结构。 | 对比文件未涉及陶瓷体顶面设置微褶皱的技术特征，因此未被公开。 |
| 技术特征L：所述陶瓷体(230，330，430)具有提供来包括光学功能的顶面(232，332，432) **《未公开》** | 对比文件未公开陶瓷体顶面具有光学功能（如菲涅耳透镜）。 | 对比文件未涉及陶瓷体顶面光学功能，因此未被公开。 |
| 技术特征M：所述陶瓷体(230，330，430)具有提供有反射性涂层(452)的顶面(232，332，432) **《未公开》** | 对比文件未公开在陶瓷体顶面设置反射性涂层。 | 对比文件未涉及陶瓷体顶面反射涂层，因此未被公开。 |
| 技术特征N：在陶瓷体(230，330，430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于陶瓷体的折射率的中间层(451) **《未公开》** | 对比文件未公开该中间层结构。 | 对比文件未涉及任何中间层，因此未被公开。 |
| 技术特征O：在底面(231，331，431)和半导体发光器件(220，320，420)之间容纳有折射率低于陶瓷体(230，330，430)的折射率的中间层(451) **《未公开》** | 对比文件未公开该中间层结构。 | 对比文件未在底面和器件之间设置任何中间层，因此未被公开。 |
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