对比文件名称：2008-10-09_JP2008243892A_发明专利_JP2008243892A Reflector for optical semiconductor
目标专利名称：1283用于LED的反射基底CN102549783B
本次调用的模型名称：无
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光二极管（LED）管芯 《直接公开》 | 对比文件说明书图1及相关描述中记载“発光素子（LED）20”，例如“図１はＬＥＤ用反射体の一例を示す図である。本例では、…発光素子２０を固定し”。 | 对比文件明确公开了LED管芯（发光素子20），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述LED管芯包括在生长衬底上外延生长的半导体层 《未公开》 | 无 | 对比文件未对LED管芯的内部结构进行任何描述，未提及生长衬底或外延生长，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征C：其上安装有所述LED管芯的底座 《直接公开》 | 对比文件记载“樹脂組成物基体１０”作为LED的安装基座，例如“図１に示すように、充実粒子系白色顔料を含有する樹脂組成物をリードフレーム１２と一体成形して凹部を有する樹脂組成物基体１０とし、…発光素子２０を固定し”。 | 对比文件明确公开了用于安装LED管芯的底座（基体10），因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在LED管芯与底座之间存在间隙 《未公开》 | 无 | 对比文件未描述LED管芯与底座之间是否存在间隙，图1显示LED直接安装在凹部底部，未提及间隙，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征E：在LED管芯上模制的电绝缘底部填充材料 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及任何底部填充材料，只涉及反射层（24）和密封层（30），因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述底部填充材料被蚀刻从而保留在所述LED管芯与所述底座之间以及在所述半导体层侧面上 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及蚀刻步骤，也未公开底部填充材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：该底部填充材料还在底座的表面上形成围绕LED管芯的基本上平坦的反射层 《未公开》 | 无 | 对比文件中的反射层（24）形成在凹部内壁，并非平坦表面，且不是由底部填充材料形成，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中，所述底部填充材料已经从所述生长衬底上方以及从所述生长衬底的侧表面上被蚀刻掉 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及生长衬底去除或底部填充材料蚀刻，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：从而允许所述生长衬底的去除；并且中，所述生长衬底已被去除 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及生长衬底的去除，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂 《未公开》 | 无 | 对比文件未使用硅树脂作为底部填充材料，也未将TiO2灌注在硅树脂中，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中TiO2包括按重量计超过5%的底部填充材料 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开底部填充材料中TiO2的含量，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征L：还包括在LED管芯上的磷光体层 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及磷光体层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征M：该磷光体层具有在反射层之上延伸的表面 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及磷光体层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述反射层延伸至底座的边缘 《未公开》 | 无 | 对比文件中的反射层（24）形成在凹部内壁，不延伸至底座边缘（基体上表面），因此该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中，LED管芯与底座之间的底部填充材料的厚度小于反射层的厚度 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填充材料，也无厚度比较，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中，反射层的厚度大于30微米 《直接公开》 | 对比文件记载：“本発明の反射材を層状に形成するときは、層の厚さは０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．２５〜２ｍｍがより好ましい。” 实施例中反射层厚度为500μm、300μm、150μm。 | 对比文件明确公开了反射层的厚度范围（50-2000μm）且具体实施例均大于30μm，因此技术特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，反射层对可见光的反射率大于80% 《直接公开》 | 对比文件记载：“波長５５０ｎｍでの可視光線反射率が８０％以上である材料を意味する。” 实施例中反射率在550nm为91.3%。 | 对比文件明确公开了反射层对可见光（550nm）的反射率大于80%，因此技术特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：其中，所述底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂 《未公开》 | 无 | 对比文件未使用硅树脂作为底部填充材料，也未涉及灌注反射颗粒，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征S：还包括在LED管芯和反射层的一部分上模制的透明透镜 《未公开》 | 无 | 对比文件虽有密封层（30），但并非模制透明透镜，且未提及透镜形状，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其中，使用激光剥离工艺去除所述生长衬底 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及激光剥离工艺，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征U：还包括在LED管芯上模制磷光体层 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及磷光体层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征V：其中，磷光体层的顶表面在反射层的顶表面之上延伸 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及磷光体层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征W：其中，所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂 《未公开》 | 无 | 同特征J，对比文件未公开，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征X：反射层对可见光的反射率大于80% 《直接公开》 | 同特征Q引用内容。 | 同特征Q论述，对比文件直接公开了反射层对可见光的反射率大于80%，因此技术特征X被直接公开。 |
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