对比文件名称：2011-04-14_None_发明专利_JPWO2009069671A1 発光装置及びその製造方法
目标专利名称：1283用于LED的反射基底CN102549783B
本次调用的模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光二极管（LED）管芯（直接公开） | [0038]：“发光元件10可以使用公知的半导体发光元件，特别是GaN系半导体...” | 对比文件明确公开了发光二极管管芯，即LED管芯。 |
| 技术特征B：所述LED管芯包括在生长衬底上外延生长的半导体层（直接公开） | [0044]：“发光元件10是在一对主面中的一主面侧的生长基板5上，层叠作为半导体结构11的氮化物半导体层而形成的。” | 对比文件公开了在生长基板上外延生长半导体层，形成LED管芯。 |
| 技术特征C：其上安装有所述LED管芯的底座（直接公开） | [0035]：“发光元件10经由导电部件24安装在配线基板9上。” | 对比文件公开了配线基板作为底座，用于安装LED管芯。 |
| 技术特征D：在LED管芯与底座之间存在间隙（直接公开） | [0035]及图1：发光元件通过导电部件（凸块）安装在基板上，形成间隙。 | 由于凸块的存在，LED管芯与底座之间存在间隙，这是本领域公知，且对比文件明确公开了这种安装方式。 |
| 技术特征E：在LED管芯上模制的电绝缘底部填充材料（直接公开） | [0073]：“在光透射部件15与配线基板9之间填充密封部件26，覆盖发光元件10的周围。” [0078]：“也可以通过转移模制形成。” | 对比文件公开了在LED管芯周围填充密封部件，该部件是电绝缘的（硅树脂），并且可以通过转移模制形成，相当于在LED管芯上模制底部填充材料。 |
| 技术特征F：所述底部填充材料被蚀刻从而保留在所述LED管芯与所述底座之间以及在所述半导体层侧面上（未公开） | 未记载 | 对比文件没有公开任何蚀刻底部填充材料的步骤。密封部件通过涂布或模制直接形成所需形状，未进行蚀刻去除。 |
| 技术特征G：该底部填充材料还在底座的表面上形成围绕LED管芯的基本上平坦的反射层（直接公开） | [0070]：“密封部件的表面与光透射部件的表面大致同一平面”；[0073]：“密封部件覆盖光透射部件侧面和受光面一部分，并在基板表面形成反射层。” | 对比文件公开了密封部件在基板表面形成平坦的反射层，围绕LED管芯，且表面平坦。 |
| 技术特征H：其中，所述底部填充材料已经从所述生长衬底上方以及从所述生长衬底的侧表面上被蚀刻掉（未公开） | 未记载 | 对比文件中没有生长衬底被底部填充材料覆盖然后蚀刻的描述。 |
| 技术特征I：从而允许所述生长衬底的去除；并且中，所述生长衬底已被去除（隐含公开） | [0040]：“可以通过LLO（激光剥离）去除生长基板。” | 对比文件公开了通过激光剥离去除生长衬底（LLO），但未明确底部填充材料的作用。然而，本领域技术人员可以合理推断，在LED管芯周围存在底部填充材料的情况下，去除生长衬底时底部填充材料提供支撑，从而允许生长衬底的去除。因此隐含公开。 |
| 技术特征J：其中所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂（直接公开） | [0098]：“密封部件26是在硅树脂中含有作为光反射性材料的TiO2。” | 对比文件直接公开了密封部件（相当于底部填充材料）由灌注有TiO2的硅树脂组成。 |
| 技术特征K：其中TiO2包括按重量计超过5%的底部填充材料（直接公开） | [0098]：“TiO2相对于硅树脂的重量比为25%、33%、50%。” | 对比文件公开的TiO2含量远超过5%，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征L：还包括在LED管芯上的磷光体层（直接公开） | [0058]：“光透射部件15是波长转换部件，包含荧光体。” [0077]：“通过粘合树脂将光透射部件15层叠在发光元件背面。” | 对比文件公开了光透射部件（含有荧光体）通过粘合层附着在LED管芯上，形成磷光体层。 |
| 技术特征M：该磷光体层具有在反射层之上延伸的表面（未公开） | 未记载 | 对比文件中光透射部件（磷光体层）的顶面与密封部件（反射层）顶面齐平，没有在反射层之上延伸。 |
| 技术特征N：其中，所述反射层延伸至底座的边缘（隐含公开） | [0078]：“通过切割将基板切成单个装置。” | 本领域技术人员可以合理推断，在切割后，密封部件（反射层）覆盖基板表面并延伸至基板边缘，因此反射层延伸至底座边缘。隐含公开。 |
| 技术特征O：其中，LED管芯与底座之间的底部填充材料的厚度小于反射层的厚度（未公开） | 未记载 | 对比文件未提及任何厚度比较关系。 |
| 技术特征P：其中，反射层的厚度大于30微米（隐含公开） | [0099]：“密封部件厚度为20μm到70μm。” | 虽然未明确限定大于30μm，但所公开的厚度范围包括大于30μm的数值（如70μm），本领域技术人员可以合理推断反射层厚度可以大于30μm。隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，反射层对可见光的反射率大于80%（直接公开） | [0099]：“反射率94%到89%。” | 对比文件公开的反射率远大于80%，直接公开。 |
| 技术特征R：其中，所述底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂（直接公开） | [0098]：“密封部件26含有光反射性材料TiO2粒子在硅树脂中。” | 对比文件直接公开了底部填充材料（密封部件）由灌注有反射颗粒（TiO2）的硅树脂组成。 |
| 技术特征S：还包括在LED管芯和反射层的一部分上模制的透明透镜（未公开） | 未记载 | 对比文件没有公开透明透镜。 |
| 技术特征T：其中，使用激光剥离工艺去除所述生长衬底（直接公开） | [0040]：“可以通过LLO（激光剥离）去除生长基板。” | 对比文件直接公开了使用激光剥离（LLO）工艺去除生长衬底。 |
| 技术特征U：还包括在LED管芯上模制磷光体层（未公开） | 未记载 | 对比文件中的磷光体层是通过粘合光透射部件形成的，而不是模制在LED管芯上。 |
| 技术特征V：其中，磷光体层的顶表面在反射层的顶表面之上延伸（未公开） | 未记载 | 同特征M，对比文件中磷光体层顶面与反射层顶面齐平，未在之上延伸。 |
| 技术特征W：其中，所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂（直接公开） | 同特征J，引用[0098] | 同特征J，直接公开。 |
| 技术特征X：反射层对可见光的反射率大于80%（直接公开） | 同特征Q，引用[0099] | 同特征Q，直接公开。 |
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