对比文件名称：2006-12-28_US2006290276A_发明申请_US20060290276A1 OLED device having spacers
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《隐含公开》 | [0025] “根据本发明的一个实施例，一种有机发光二极管（OLED）器件包括：衬底10；形成在衬底上的一个或多个OLED 11，其包括形成在衬底上的第一电极14、形成在第一电极上的一个或多个有机材料层（其中一个发光），以及形成在一个或多个有机材料层上的第二电极18；设置在OLED上方并与OLED间隔开以形成间隙32的覆盖物12；以及位于间隙中用于滤光的一个或多个滤光元件21、24。” 此外，[0025] “在第二电极上可以形成一个或多个保护层和/或光学层，例如氧化铝保护层随后是聚对二甲苯层”。[0026] “无机材料可以包括例如SiOx、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MgF2、CaF2”。 | 对比文件公开了衬底10、OLED 11（相当于单元）、第一和第二电极14、18（相当于接触区）、以及覆盖在第二电极上的保护层（如氧化铝），该保护层为薄膜，起到封装作用。虽然对比文件未明确使用“封装”一词，但该保护层实质上具有封装功能，且本领域技术人员可以合理推断该保护层作为薄膜封装存在。因此，技术特征A被隐含公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《直接公开》 | [0025] “氧化铝保护层”；[0026] “SiNx、Si3N4、Al2O3”；[0039] “可以在电极18上涂覆Al2O3层以提供密封”。 | 对比文件明确公开了保护层包含氧化铝、氮化硅（SiNx、Si3N4）等材料，这些材料与目标专利中封装薄膜的材料相同。因此，技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《直接公开》 | [0025] “在第二电极上可以形成一个或多个保护层和/或光学层，例如氧化铝保护层”。第二电极18包括接触区（即用于电连接的电极部分）。[0029] “间隔元件设置在第二电极18上方…当这些元件形成在第二电极18上时，期望采用薄膜保护层（未示出），例如氧化铝层”。 | 对比文件中的保护层直接形成在第二电极（接触区）上，覆盖了接触区，即封装了接触区。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《未公开》 | 对比文件未公开任何关于导体的内容，也未公开将导体设置在封装上的步骤。 | 对比文件涉及间隔元件和滤光片，未涉及导体互连，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连《未公开》 | 对比文件未公开导体互连步骤。 | 对比文件没有描述任何导体连接工艺，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接《未公开》 | 对比文件未公开超声焊接。 | 对比文件未涉及任何焊接技术，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线《未公开》 | 对比文件未公开导体。 | 对比文件未描述任何导体，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银《未公开》 | 对比文件未公开金属线。 | 对比文件未公开导体，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极《直接公开》 | [0025] “一个或多个OLED 11形成在衬底上，其包括第一电极14…和第二电极18”，这些电极用于向OLED提供电力。[0027] 详细描述了第一电极14和第二电极18作为OLED的电极。 | 对比文件明确公开了第一电极和第二电极作为OLED的电极，即接触区用作单元的电极。因此，技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）《隐含公开》 | [0025] “在第二电极上可以形成一个或多个保护层和/或光学层，例如氧化铝保护层随后是聚对二甲苯层”。第二电极覆盖有机层（单元），保护层覆盖第二电极。[0039] “可以在电极18上涂覆Al2O3层以提供密封”。 | 对比文件中的保护层覆盖在第二电极（接触区）上，第二电极覆盖在有机层（单元）上，因此保护层间接覆盖了单元区域。虽然保护层可能未直接覆盖单元侧面，但结合覆盖物12，整体上实现了对接触区和单元的封装。本领域技术人员可以合理推断保护层具有封装功能，封装了接触区和单元。因此，技术特征J被隐含公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间《未公开》 | 对比文件未公开超声焊接参数。 | 对比文件未涉及超声焊接，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）《未公开》 | 对比文件公开了OLED器件，但未公开通过包括超声焊接步骤的方法得到的OLED。 | 对比文件未公开目标专利权利要求1-9的方法，也未公开通过该方法得到的OLED，因此技术特征N未被公开。 |
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