对比文件名称：2007-08-22_EP1763287A_发明公开_EP1763287A2 A method for fabricating organic electroluminescent devices
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）——《直接公开》 | 段落[0019]：在图1(e)中，有机EL器件10具有形成在衬底1上的第一电极2、形成在第一电极2上的包含发光层的有机层3、以及形成在有机层3上的第二电极4。第一密封膜5形成为覆盖第一电极2、包含发光层的有机层3和第二电极4的整个表面。<br>段落[0020]：层叠膜7包括发光部8和端子电极部9。 | 对比文件公开了衬底1、由发光部8构成的单元（相当于目标专利的单元3）、端子电极部9（相当于接触区4）、以及第一密封膜5（相当于封装5）。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝——《直接公开》 | 段落[0028]：对于第一密封膜5，使用已知的密封膜材料。例如，使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅等，优选氮化硅。 | 对比文件明确公开了第一密封膜5的材料可以是氮化硅、碳化硅，而目标专利的薄膜材料包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（三者之一），对比文件至少公开了氮化硅，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）——《直接公开》 | 段落[0027]：形成覆盖步骤(1)中形成的层叠膜7的整个区域的第一密封膜5。<br>段落[0011]：在步骤(2)中，第一密封膜可以形成在包括发光部和端子电极部的层叠膜的整个区域上。 | 对比文件的第一密封膜5覆盖整个层叠膜7，包括端子电极部9（接触区），因此封装封装了接触区，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上——《未公开》 | 对比文件无直接或间接对应内容。 | 对比文件的方法是通过干法刻蚀去除接触区上的封装，暴露接触区，然后可能将导体连接在暴露的接触区上，而非设置在封装上。没有教导或暗示将导体设置在封装上，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连——《未公开》 | 段落[0037]：通过步骤(4)的干法刻蚀，根据步骤(3)形成的第二密封膜6上的图案对步骤(2)形成的第一密封膜5进行干法刻蚀。当在步骤(3)中第二密封膜6被图案化使得第二密封膜6的开口11对应于层叠膜7的端子电极部9时，在步骤(4)中第一密封膜5在端子电极部9上被部分去除。 | 对比文件明确通过干法刻蚀事先移除了接触区（端子电极部）上的封装，然后暴露接触区，与目标专利的不事先移除封装相反。因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接——《未公开》 | 对比文件无任何关于超声焊接的记载。 | 对比文件提及的互连方式是干法刻蚀暴露接触区后可能使用导线连接，但未涉及任何焊接方式，更未提及超声焊接。因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线——《隐含公开》 | 段落[0003]：有机EL器件需要暴露端子电极部分以便它们能够与来自外部驱动电源的导线连接。<br>段落[0020]：端子电极部9是用于与来自外部电源的导线连接以向第一电极2和第二电极4提供直流电压的部分。 | 对比文件虽然未明确描述导体的具体结构，但本领域技术人员可以合理推断出用于连接外部电源的导线通常为金属线，因此导体包括金属线被隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银——《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及金属线的形状（扁平）或具体材料（铜、铝、银），也未给出任何暗示，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极——《直接公开》 | 段落[0020]：第一电极2构成阳极，第二电极4构成阴极。……端子电极部9是用于与来自外部电源的导线连接以向第一电极2和第二电极4提供直流电压的部分。 | 对比文件公开了端子电极部9用于向第一电极2和第二电极4（即单元的电极）提供电压，该端子电极部9实质上用作单元的电极，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）——《直接公开》 | 段落[0027]：形成覆盖步骤(1)中形成的层叠膜7的整个区域的第一密封膜5。层叠膜7包括发光部8（单元）和端子电极部9（接触区）。 | 对比文件的第一密封膜5覆盖整个层叠膜7，即同时封装了发光部8（单元）和端子电极部9（接触区），因此技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间——《未公开》 | 对比文件无超声焊接相关记载。 | 对比文件未公开任何超声焊接参数，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间——《未公开》 | 对比文件无超声焊接相关记载。 | 对比文件未公开任何超声焊接参数，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz——《未公开》 | 对比文件无超声焊接相关记载。 | 对比文件未公开任何超声焊接参数，因此技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）——《未公开》 | 对比文件整体方法及器件结构不同。 | 对比文件的方法是通过干法刻蚀去除接触区上的封装，与目标专利的超声焊接穿透封装的方法完全不同，因此不能得到目标专利权利要求1-9方法所限定的OLED，技术特征N未被公开。 |
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