对比文件名称：2006-10-03_US7115994B_发明授权_US07115994B2 Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）【直接公开】 | 对比文件[0094]：“the FeRAM 120 is formed on a P-type or N-type Si substrate 121”；[0097]：“a ferroelectric capacitor ... having a lower electrode 127, a ferroelectric capacitor insulating film 128, and an upper electrode 129”；[0098]：“the ferroelectric capacitor insulating film 128 is covered by an encapsulation layer 430A formed of Al2O3”和“the other encapsulation layer 430 is formed on the encapsulation layer 430A”。 | 对比文件公开了FeRAM器件，包括硅衬底（衬底）、铁电电容器（至少一个单元）、电极（接触区）以及Al2O3封装层（封装），因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝【直接公开】 | 对比文件[0098]：“encapsulation layer 430A formed of Al2O3”和“encapsulation layer 430 formed of Al2O3”。 | 对比文件明确公开了封装层由Al2O3（氧化铝）形成，属于特征B中列举的材料之一，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）【直接公开】 | 对比文件[0098]：“the ferroelectric capacitor insulating film 128 is covered by an encapsulation layer 430A formed of Al2O3”和“the other encapsulation layer 430 is formed on the encapsulation layer 430A”；结合图5，封装层覆盖了包含电极的整个电容器。 | 对比文件中的Al2O3封装层覆盖了铁电电容器，包括作为接触区的上电极和下电极，因此封装了至少接触区，直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上【未公开】 | 对比文件[0114]：“contact holes 130A, 130B are formed in the layer-interposed insulating film 130 ... penetrating the encapsulation layers 430, 430A, and exposing the upper electrode 129 and the lower electrode 127”；随后在接触孔中填充钨塞，并在层间绝缘膜上形成布线图案。 | 对比文件中，导体（钨塞、布线）并非直接设置在封装上，而是设置在层间绝缘膜上或填充在接触孔中，且封装在接触孔区域被蚀刻移除。因此，没有公开将导体设置在封装上的步骤。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连【未公开】 | 同上，对比文件[0114]明确描述通过蚀刻形成接触孔，穿透封装层，暴露电极，即事先移除了封装。 | 对比文件在形成导体之前，先通过蚀刻移除了接触区上方的封装层，因此没有公开“不事先移除封装”的特征。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接【未公开】 | 对比文件[0115]：“the W film is deposited by a CVD method using a vapor WF6 material”；没有超声焊接相关内容。 | 对比文件使用CVD和CMP形成导电插塞，未提及超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线【直接公开】 | 对比文件[0017]：“wiring patterns 33A–33F, formed of A1”；[0107]：“wiring patterns 133A–133F, formed of Al”。 | 对比文件公开了由铝形成的布线图案，属于金属线，因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银【直接公开】 | 对比文件[0017]：“wiring patterns 33A–33F, formed of A1”；[0107]：“wiring patterns 133A–133F, formed of Al”。 | 对比文件公开了金属线包含铝，满足特征H中“包含铝”的选项，因此直接公开。扁平形状虽未明确，但特征H为选择性特征，包含铝即满足。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极【直接公开】 | 对比文件[0097]：“a ferroelectric capacitor has a lower electrode 127, a ferroelectric capacitor insulating film 128, and an upper electrode 129”。 | 对比文件中的接触区（电极）直接作为铁电电容器（单元）的电极，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）【直接公开】 | 对比文件[0098]：“the ferroelectric capacitor insulating film 128 is covered by an encapsulation layer 430A formed of Al2O3”和“the other encapsulation layer 430 is formed on the encapsulation layer 430A”；图5显示封装层覆盖整个电容器。 | 对比文件中的Al2O3封装层覆盖了铁电电容器（单元）及其电极（接触区），因此封装了单元和接触区，直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间【未公开】 | 无相关描述。 | 对比文件没有涉及超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间【未公开】 | 无相关描述。 | 同上。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz【未公开】 | 无相关描述。 | 同上。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）【未公开】 | 对比文件涉及FeRAM，未涉及OLED。 | 对比文件没有公开OLED，也没有公开获得OLED的方法，因此未公开。 |
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