对比文件名称：2008-04-03_JP2008078272A_发明专利_JP2008078272A Ultrasonic vibration welding apparatus
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2） 公开性：未公开 | 对比文件公开了柔性基板（相当于衬底）、IC芯片（相当于单元）、电极端子（相当于接触区），但未公开任何封装结构。对比文件说明书第[2]段记载：“IC芯片等电子部件接合到电气配线基板……电气配线基板……”；以及“单位基板102的电极端子102b和IC芯片100侧的电极端子（未图示）”。 | 对比文件虽公开了衬底、单元和接触区的对应结构，但完全没有提及封装，因此技术特征A未被公开。 |
| 特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝 公开性：未公开 | 对比文件未提及任何封装薄膜及其材料。 | 对比文件未公开任何封装薄膜材料，因此未公开。 |
| 特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4） 公开性：未公开 | 对比文件未公开封装。 | 同上。 |
| 特征D：将导体（6）设置在封装（5）上 公开性：未公开 | 对比文件未公开导体设置在封装上的结构或步骤。 | 对比文件没有导体和封装，未公开。 |
| 特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连 公开性：未公开 | 对比文件未公开封装及导体，未公开该互连方式。 | 对比文件未公开该步骤。 |
| 特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接 公开性：隐含公开 | 对比文件说明书第[2]段记载：“该超音波振动接合装置，将电子部件按压在电气配线基板上的同时，通过超声波振动使其相对于电气配线基板平行振动，从而通过平行振动在电子部件与电气配线基板之间产生的摩擦，将电子部件接合到电气配线基板。”；以及“IC芯片100的电极部与单位基板102的电极端子102b接合”的过程。 | 对比文件公开了通过超声焊接将电子部件（具有导电电极）与基板上的电极端子（接触区）接合，这实质上公开了将导体与接触区通过超声焊接互连的技术方案，本领域技术人员可以合理推断出该特征，故特征F被隐含公开。 |
| 特征G：其中所述导体（6）包括金属线 公开性：未公开 | 对比文件未公开金属线，其接合对象为IC芯片（非金属线）。 | 对比文件未公开金属线导体。 |
| 特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银 公开性：未公开 | 对比文件未公开扁平金属线或铜铝银材料。 | 未公开。 |
| 特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极 公开性：隐含公开 | 对比文件说明书第[2]段记载：“单位基板102的电极端子102b和IC芯片100侧的电极端子（未图示）被配置成，当IC芯片100重叠在单位基板102上时，单位基板102的电极端子102b与IC芯片100侧的电极端子相互接触并重叠。”；以及电极端子用于电连接。 | 对比文件公开了接触区（电极端子）用作IC芯片（单元）的电极，以实现电连接，本领域技术人员可以合理推断出该特征，故特征I被隐含公开。 |
| 特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3） 公开性：未公开 | 对比文件未公开封装。 | 未公开。 |
| 特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间 公开性：直接公开 | 对比文件说明书第[2]段记载：“例如，当振动元件8以40kHz的超声波振动振荡，且喇叭9B由铁合金（声波传输速度约5000m/s）形成时，喇叭9B的左右方向长度约为120mm。” | 对比文件明确公开了超声焊接工作频率为40kHz，落在10-80kHz范围内，因此直接公开了特征K。 |
| 特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间 公开性：直接公开 | 同上，40kHz在30-40kHz范围内。 | 直接公开。 |
| 特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz 公开性：未公开 | 对比文件公开为40kHz，未提及35kHz。 | 未公开。 |
| 特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1） 公开性：未公开 | 对比文件未涉及OLED。 | 未公开。 |
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