对比文件名称：2005-03-10_US2005051777A_发明申请_US20050051777A1 Solid state white light emitter and display using same
目标专利名称：1308发光器件CN101375420B
本次调用的模型名称：AI Assistant
特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括固态光源(3)、至少一个转换元件(4)、和光散射元件(6)。【直接公开】 | 固态光源：[0082]“FIG. 1 shows a white light emitting device assembly 10...a light emitting device die 13...The die 13 has a rare-earth doped nanocrystal material...” 翻译：图1示出白光发射器件组件10...发光器件芯片13...芯片13具有稀土掺杂的纳米晶体材料... 转换元件：[0096]“In another embodiment...as shown in FIG. 9...there is an additional layer 9. Layer 9 contains one or more of a variety of nanocrystals...applied to the top of the rare earth doped SRSO layer 13 so that it fluoresces the rest of the required wavelengths to make white light.” 翻译：在另一个实施例中...如图9所示...存在附加层9。层9包含多种纳米晶体...施加到稀土掺杂的SRSO层13的顶部以荧光发射所需的其他波长产生白光。 光散射元件：[0082]“The enclosure may include a lumiphoric medium that causes light to scatter.” 翻译：外壳可包含导致光散射的流明介质。 | 对比文件明确公开了固态光源（芯片13或层13）、转换元件（层9，用于下转换）以及光散射元件（外壳11，可包含散射介质）。因此，特征A的技术方案被直接公开。 |
| 技术特征B：其中所述固态光源(3)被提供来发射进入所述光散射元件(6)的初级辐射的第一部分(511)和进入所述转换元件(4)以至少部分地转换为至少一个次级辐射(521、522)的初级辐射的第二部分(512)。【未公开】 | 无。 | 对比文件中的固态光源（层13）发射的光线全部先经过转换元件（层9）然后才进入光散射元件（外壳），没有明确划分出直接进入光散射元件的第一部分和进入转换元件的第二部分。因此，特征B未被公开。 |
| 技术特征C：所述光散射元件(6)被提供来从初级辐射的第一部分(511)、次级辐射(521、522)和在所述转换元件(4)中尚未被转换的初级辐射的第二部分(512)的部分生成具有朗伯光分布的混合辐射(5)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未描述光散射元件用于生成朗伯光分布，也未提及混合辐射的朗伯分布特征。因此，特征C未被公开。 |
| 技术特征D：和初级辐射的第一部分(511)不经过所述转换元件(4)离开所述发光器件。【未公开】 | 无。 | 对比文件中没有公开初级辐射的一部分不经过转换元件的结构或教导，所有光均经过转换元件或直接由发光层发出。因此，特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述转换元件(4)包括陶瓷材料。【未公开】 | 无。 | 对比文件中的转换元件（层9）为II-VI或III-V纳米晶体嵌入聚合物，并非陶瓷材料。因此，特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述陶瓷材料具有大于晶体连接的理论固态密度的97％的密度。【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及陶瓷材料密度。因此，特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述转换元件(4)在初级辐射的第二部分(512)的辐射的平均方向上具有至少30μm的厚度。【未公开】 | 无。 | 对比文件中的转换元件厚度为纳米级（30-150nm），远小于30μm。因此，特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，从混合辐射(5)的辐射方向观察，所述固态光源(3)具有大于或者等于所述转换元件(4)的表面(41)的发光表面(31)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未描述固态光源与转换元件的相对尺寸关系。因此，特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述转换元件(4)的表面面对所述固态光源(3)。【直接公开】 | [0096]“Layer 9...applied to the top of the rare earth doped SRSO layer 13” 翻译：层9...施加到稀土掺杂的SRSO层13的顶部。 | 对比文件明确公开转换元件（层9）直接设置在固态光源（层13）的顶部，即转换元件的表面面对固态光源。因此，特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述转换元件(4)具有至少一个开口(8)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未提及转换元件具有开口。因此，特征J未被公开。 |
| 技术特征K：初级辐射能够通过所述开口而不经过所述转换元件(4)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开开口结构，因此特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述转换元件(4)光学地耦合到所述固态光源(3)。【直接公开】 | [0082]“transparent electrode 20 on top of the die 13” 翻译：透明电极20在芯片13顶部。 [0096]“top electrical contact 20 is at the interface of layer 13 and new layer 9” 翻译：顶部电接触20位于层13和新层9的界面处。 | 对比文件中层9直接设置在层13上或通过透明电极耦合，确保光学耦合。因此，特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述光散射元件(6)围住所述固态光源(3)和所述转换元件(4)。【直接公开】 | [0082]“The light-transmissive enclosure 11 houses in its interior volume a light emitting device die 13” 翻译：透光外壳11在其内部体积中容纳发光器件芯片13。 对于图9实施例，外壳11同样围住层13和层9。 | 对比文件的外壳11作为光散射元件（可包含散射介质），围住固态光源和转换元件。因此，特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：还包括透镜(7)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未提及透镜。因此，特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述透镜(7)围住所述固态光源(3)、所述转换元件(4)和所述光散射元件(6)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开透镜结构。因此，特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，经由未被转换的初级辐射(511)的部分调整所述混合辐射(5)的色点。【未公开】 | 无。 | 对比文件未描述通过未被转换的初级辐射调整色点。因此，特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：未被转换的初级辐射(511)的部分通过所述光散射元件(6)的散射特性可调整。【未公开】 | 无。 | 对比文件未提及通过散射特性调整未转换初级辐射。因此，特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：所述初级辐射被散射回所述转换元件(4)以转换为次级辐射(521、522)。【未公开】 | 无。 | 对比文件未描述散射回转换元件的过程。因此，特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述光散射元件(6)包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒用于产生具有朗伯光分布的混合辐射(5)。【未公开】 | 无。 | 对比文件仅笼统提及散射介质，未具体描述颗粒参数及朗伯分布。因此，特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射。【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开颜料吸收。因此，特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射并且随后以不同的波长再发射。【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开颜料的再发射。因此，特征U未被公开。 |
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