### 对比文件名称
2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device
### 目标专利名称
1308发光器件CN101375420B
### 本次调用的模型名称
DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号[2]） | 公开性论述 |
| **A**：包括固态光源(3)、至少一个转换元件(4)、和光散射元件(6) **【未公开】** | 对比文件公开了半导体发光器件（固态光源）和发光陶瓷层（转换元件），但未公开光散射元件。例如：“本発明の実施形態による発光セラミック層は、従来技術の蛍光体層より頑丈で、温度に対する感受性が低い。”[2] 未提及光散射元件。 | 对比文件仅公开了固态光源和转换元件，没有公开任何独立的光散射元件，也没有暗示存在这样的元件。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得到技术特征A。 |
| **B**：其中所述固态光源(3)被提供来发射进入所述光散射元件(6)的初级辐射的第一部分(511)和进入所述转换元件(4)以至少部分地转换为至少一个次级辐射(521、522)的初级辐射的第二部分(512) **【未公开】** | 对比文件提到初级辐射一部分被转换材料吸收，一部分透射，但透射部分经过转换元件，并非直接进入光散射元件。例如：“放出された光の一部が、層２０内の波長変換材料２２によって吸収される。…放出された一次光の残りの吸収されていない部分は、二次光と共に、波長変換層を通して伝えられる。”[2] | 对比文件没有光散射元件，也未将初级辐射分为两部分分别进入不同元件。因此，本领域技术人员不能从对比文件得到该特征。 |
| **C**：所述光散射元件(6)被提供来从初级辐射的第一部分(511)、次级辐射(521、522)和在所述转换元件(4)中尚未被转换的初级辐射的第二部分(512)的部分生成具有朗伯光分布的混合辐射(5) **【未公开】** | 对比文件未提及朗伯光分布，也未提及光散射元件的混合功能。仅提到复合光由一次光和二次光组成，但未涉及朗伯分布。 | 对比文件没有光散射元件，也没有公开朗伯光分布，故未公开。 |
| **D**：初级辐射的第一部分(511)不经过所述转换元件(4)离开所述发光器件 **【隐含公开】** | 对比文件提到：“形成されたセラミック層は、該セラミック層が取り付けられるデバイス５２の面より小さいか又は該デバイス５２の面と同じサイズにすることができ、或いは該セラミック層が取り付けられる該デバイス５２の面より大きくすることができる。”[2] 当陶瓷层（转换元件）小于器件表面时，部分光必然从陶瓷层周围出射而不经过转换元件。 | 对比文件公开了陶瓷层可以小于半导体器件表面，此时从固态光源发出的初级辐射的一部分必然不经过陶瓷层（转换元件）而直接离开器件。本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| **E**：所述转换元件(4)包括陶瓷材料 **【直接公开】** | 对比文件明确使用“発光セラミック層”（发光陶瓷层）作为转换元件。例如：“本発明の実施形態による発光セラミック層は、従来技術の蛍光体層より頑丈で、温度に対する感受性が低い。”[2] | 对比文件直接公开了转换元件由陶瓷材料构成，因此技术特征E被直接公开。 |
| **F**：所述陶瓷材料具有大于晶体连接的理论固态密度的97％的密度 **【未公开】** | 对比文件提到“発光セラミックは、光学的にほぼ同質であり、該発光セラミックを形成する蛍光体材料と同じ屈折率を有する。…個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどない。”[2] 暗示高密度，但未给出具体数值。 | 对比文件未公开具体的密度数值，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含地确定密度大于97%的理论密度，因此未公开。 |
| **G**：所述转换元件(4)在初级辐射的第二部分(512)的辐射的平均方向上具有至少30μm的厚度 **【未公开】** | 对比文件未提及转换元件的厚度数值。 | 对比文件没有公开任何关于转换元件厚度的具体数值或范围，因此未公开。 |
| **H**：从混合辐射(5)的辐射方向观察，所述固态光源(3)具有大于或者等于所述转换元件(4)的表面(41)的发光表面(31) **【隐含公开】** | 对比文件提到：“形成されたセラミック層は、該セラミック層が取り付けられるデバイス５２の面より小さいか又は該デバイス５２の面と同じサイズにすることができ、或いは該セラミック層が取り付けられる該デバイス５２の面より大きくすることができる。”[2] 当陶瓷层小于器件表面时，固态光源的发光表面（器件表面）大于陶瓷层表面。 | 对比文件公开了陶瓷层可以小于器件表面，而器件表面通常对应固态光源的发光表面，因此从混合辐射方向观察，固态光源的发光表面大于或等于转换元件的表面。该关系可直接推知，故隐含公开。 |
| **I**：所述转换元件(4)的表面面对所述固态光源(3) **【隐含公开】** | 对比文件描述陶瓷层贴附于器件表面，例如：“発光セラミック層５０が、光が抽出されるデバイスの表面、すなわち図２の基板４０の後部及び図３のｎ型領域４２の上部に取り付けられる。”[2] 陶瓷层直接接触或通过光学耦合层面对固态光源。 | 在对比文件的器件中，发光陶瓷层直接附着在半导体发光器件的光提取表面上，因此其表面面对固态光源，这是显而易见的，故隐含公开。 |
| **J**：所述转换元件(4)具有至少一个开口(8) **【未公开】** | 对比文件未提及转换元件具有开口。 | 对比文件没有公开任何开口结构，因此未公开。 |
| **K**：初级辐射能够通过所述开口而不经过所述转换元件(4) **【未公开】** | 对比文件未提及开口。 | 由于特征J未公开，特征K亦未公开。 |
| **L**：所述转换元件(4)光学地耦合到所述固态光源(3) **【直接公开】** | 对比文件明确提到多种光学耦合方式：“ウェーハ接合、焼結、エポキシ又はシリコンのような周知の有機接着剤の薄い層による接着、高屈折率の有機接着剤による接着、及びソル・ゲルガラスによる接着によって、発光セラミック層を発光デバイスに取り付けることができる。”[2] | 对比文件直接公开了将发光陶瓷层（转换元件）通过接合、粘合等方式光学耦合到发光器件（固态光源）上，因此技术特征L被直接公开。 |
| **M**：所述光散射元件(6)围住所述固态光源(3)和所述转换元件(4) **【未公开】** | 对比文件未公开任何光散射元件，更未公开其围住固态光源和转换元件。 | 对比文件没有光散射元件，故未公开。 |
| **N**：还包括透镜(7) **【直接公开】** | 对比文件图1及相关描述：“レンズ２４によりカプセル封入されている。”[2] 明确公开了透镜。 | 对比文件直接公开了发光器件包括透镜，因此技术特征N被直接公开。 |
| **O**：所述透镜(7)围住所述固态光源(3)、所述转换元件(4)和所述光散射元件(6) **【未公开】** | 对比文件透镜围住固态光源和转换层，但未围住光散射元件（因为对比文件没有光散射元件）。 | 对比文件没有光散射元件，透镜不可能围住光散射元件，故未公开。 |
| **P**：经由未被转换的初级辐射(511)的部分调整所述混合辐射(5)的色点 **【未公开】** | 对比文件未提及通过调整未被转换的初级辐射部分来调整色点。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **Q**：未被转换的初级辐射(511)的部分通过所述光散射元件(6)的散射特性可调整 **【未公开】** | 对比文件未提及光散射元件的散射特性调整。 | 对比文件未公开光散射元件，故未公开。 |
| **R**：所述初级辐射被散射回所述转换元件(4)以转换为次级辐射(521、522) **【未公开】** | 对比文件未提及散射回转换元件。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **S**：所述光散射元件(6)包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒用于产生具有朗伯光分布的混合辐射(5) **【未公开】** | 对比文件未公开光散射元件及其颗粒。 | 对比文件未公开光散射元件，故未公开。 |
| **T**：所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射 **【未公开】** | 对比文件未提及颜料吸收。 | 对比文件未公开。 |
| **U**：所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射并且随后以不同的波长再发射 **【未公开】** | 对比文件未提及颜料吸收再发射。 | 对比文件未公开。 |
### 结论代码
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征 **E、L、N**，隐含公开了技术特征 **D、H、I**。
<<<E>>><<<L>>><<<N>>><<<d>>><<<h>>><<<i>>>