对比文件名称：2003-02-27_US2003038596A_发明申请_US20030038596A1 Light-mixing layer and method
目标专利名称：1308发光器件CN101375420B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括固态光源(3)、至少一个转换元件(4)、和光散射元件(6) **《直接公开》** | [0027]“光混合层61...由光散射颗粒64、磷光体颗粒65和漫射体颗粒66组成”并且“覆盖LED芯片62”。 | 对比文件明确公开了LED芯片（固态光源）、磷光体颗粒（转换元件）和光散射颗粒（光散射元件），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：其中所述固态光源(3)被提供来发射进入所述光散射元件(6)的初级辐射的第一部分(511)和进入所述转换元件(4)以至少部分地转换为至少一个次级辐射(521、522)的初级辐射的第二部分(512) **《隐含公开》** | [0028]“LED芯片62发出的部分光通过光散射颗粒64改变其进行方向，并且磷光体颗粒65将来自光散射颗粒64和漫射体颗粒66的光转换为另一波长光。” | 对比文件公开了LED芯片发射的光进入光混合层，一部分进入光散射颗粒（光散射元件）被散射，另一部分进入磷光体颗粒（转换元件）被转换。虽然未明确区分“第一部分”和“第二部分”，但本领域技术人员可合理推断出初级辐射被分为两部分分别进入散射元件和转换元件，因此技术特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：所述光散射元件(6)被提供来从初级辐射的第一部分(511)、次级辐射(521、522)和在所述转换元件(4)中尚未被转换的初级辐射的第二部分(512)的部分生成具有朗伯光分布的混合辐射(5) **《未公开》** | 无直接相关引用。 | 对比文件仅提及获得均匀、明亮、色温恒定的光，未提及朗伯光分布，也未教导光散射元件用于生成特定朗伯光分布，因此技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：和初级辐射的第一部分(511)不经过所述转换元件(4)离开所述发光器件 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件的光混合层中磷光体颗粒与光散射颗粒混合，所有光均经过该混合层，未公开或暗示存在不经过转换元件（磷光体颗粒）的初级辐射路径，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述转换元件(4)包括陶瓷材料 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件中的转换元件为磷光体颗粒（YAG磷光体），未提及陶瓷材料，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述陶瓷材料具有大于晶体连接的理论固态密度的97％的密度 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未涉及陶瓷材料密度，更未公开97%的密度要求，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述转换元件(4)在初级辐射的第二部分(512)的辐射的平均方向上具有至少30μm的厚度 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未提及转换元件的厚度，尤其未公开至少30μm的厚度，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，从混合辐射(5)的辐射方向观察，所述固态光源(3)具有大于或者等于所述转换元件(4)的表面(41)的发光表面(31) **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开固态光源与转换元件之间的尺寸关系，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述转换元件(4)的表面面对所述固态光源(3) **《隐含公开》** | [0027]“光混合层61...覆盖LED芯片62”，且光混合层中包含磷光体颗粒65。 | 对比文件公开了光混合层覆盖LED芯片，磷光体颗粒（转换元件）位于光混合层中，其表面面向固态光源，本领域技术人员可合理推断出转换元件表面面对固态光源，因此技术特征I被隐含公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述转换元件(4)具有至少一个开口(8) **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开转换元件具有开口，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：初级辐射能够通过所述开口而不经过所述转换元件(4) **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开开口及相关结构，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述转换元件(4)光学地耦合到所述固态光源(3) **《隐含公开》** | [0027]“光混合层61...可以混合环氧树脂并覆盖LED芯片62”；[0032]“光混合层可通过沉积、惯性力...等工艺形成，LED芯片被封装”。 | 对比文件主要实施例中光混合层直接覆盖在LED芯片上，形成光学接触，转换元件（磷光体颗粒）通过光混合层与固态光源光学耦合，本领域技术人员可合理推断出这种光学耦合关系，因此技术特征L被隐含公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述光散射元件(6)围住所述固态光源(3)和所述转换元件(4) **《隐含公开》** | [0027]“光混合层61...覆盖LED芯片62”，且光混合层包含光散射颗粒64和磷光体颗粒65。 | 对比文件公开了光混合层覆盖并围住LED芯片，光散射颗粒位于光混合层中，因此光散射元件（光散射颗粒）围住了固态光源和转换元件（磷光体颗粒），本领域技术人员可合理推断出该围住关系，因此技术特征M被隐含公开。 |
| 技术特征N：还包括透镜(7) **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开透镜，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述透镜(7)围住所述固态光源(3)、所述转换元件(4)和所述光散射元件(6) **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开透镜，更未公开透镜围住各元件，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，经由未被转换的初级辐射(511)的部分调整所述混合辐射(5)的色点 **《隐含公开》** | [0032]“光散射颗粒64、磷光体颗粒65和漫射体颗粒66的比例可以根据输出波长动态调整。” | 对比文件公开了通过调整颗粒比例（包括磷光体颗粒比例）来调整输出波长（即色点），调整磷光体颗粒比例本质上改变了转换和未转换光的比例，本领域技术人员可合理推断出经由未被转换的初级辐射部分调整色点，因此技术特征P被隐含公开。 |
| 技术特征Q：未被转换的初级辐射(511)的部分通过所述光散射元件(6)的散射特性可调整 **《隐含公开》** | [0032]“光散射颗粒64...的比例可以根据输出波长动态调整”；[0028]“光散射颗粒改变光方向”。 | 对比文件公开了光散射颗粒的比例可调整，改变光散射颗粒的比例或特性会影响散射特性，进而影响光在层中的传播和未转换部分的比例，本领域技术人员可合理推断出通过光散射元件的散射特性调整未被转换的初级辐射部分，因此技术特征Q被隐含公开。 |
| 技术特征R：所述初级辐射被散射回所述转换元件(4)以转换为次级辐射(521、522) **《直接公开》** | [0028]“磷光体颗粒65将来自光散射颗粒64和漫射体颗粒66的光转换为另一波长光”，以及“光散射颗粒64改变光方向”。 | 对比文件明确公开了光散射颗粒将光散射后，磷光体颗粒吸收来自光散射颗粒的光并转换为次级辐射，即初级辐射被散射至转换元件进行转换，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述光散射元件(6)包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒用于产生具有朗伯光分布的混合辐射(5) **《未公开》** | [0027]“光散射颗粒64可由石英、玻璃或其他聚合物透明材料制成，漫射体颗粒66可由BaTiO3、Ti2O3、SiOx制成”。 | 对比文件公开了光散射颗粒和漫射体颗粒，但未提及这些颗粒用于产生朗伯光分布，也未提及颗粒大小、材料、浓度与朗伯分布的关系，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件中的漫射体颗粒为BaTiO3等，不属于用于吸收的颜料，未公开颜料材料，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射并且随后以不同的波长再发射 **《未公开》** | 无相关引用。 | 对比文件未公开任何颜料吸收后再发射的机构，因此技术特征U未被公开。 |
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