对比文件名称：2005-05-19_US2005106758A_发明申请_US20050106758A1 Biosensor, magnetic molecule measurement method, and measurement object measuring method
目标专利名称：1318用于感测磁性粒子的传感器设备和方法CN101632018B
本次调用的模型名称：Gemini 1.5 Pro
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：传感器设备包括基板（直接公开） | [0083] “传感器芯片1形成在硅基板11上” | 对比文件公开了传感器芯片形成在硅基板上，该硅基板即相当于目标专利的基板，作用相同，作为支撑结构。 |
| 特征B：被提供在基板之上和/或其中和/或附近的感测单元（直接公开） | [0083] “半导体霍尔器件形成在传感器芯片1表面的凹槽底部”；[0086] “半导体霍尔器件2” | 对比文件中的半导体霍尔器件作为感测单元，形成在基板表面（凹槽底部），即基板之上，直接公开。 |
| 特征C：其被适配成感测表示磁性粒子的存在的检测信号（直接公开） | [0096] “通过输出电压可以确定磁性分子5是否结合在半导体霍尔器件2上” | 对比文件公开了霍尔器件输出电压用于检测磁性分子的存在，即检测信号表示磁性粒子存在，直接公开。 |
| 特征D：被提供在基板之外的磁场控制单元（直接公开） | [0096] “上线圈CU布置在传感器芯片1表面相对位置”；[0098] “下线圈CD布置在传感器芯片1背面” | 对比文件中的上线圈和下线圈均位于传感器芯片（基板）外部，作为磁场控制单元，直接公开。 |
| 特征E：其被适配成生成与时间相关的磁场以便与磁性粒子相互作用（直接公开） | [0033] “第一磁场发生装置间歇性地产生磁场”；[0036] “第二磁场发生装置间歇性地产生磁场”；[0055] “交替产生磁场” | 对比文件公开了磁场发生装置间歇性或交替产生磁场，即与时间相关，用于与磁性分子相互作用，直接公开。 |
| 特征F：其中与时间相关的磁场的脉冲包括交替的第一磁场值和第二磁场值的序列（直接公开） | [0154] “在搅拌期间，后线圈CR间歇地施加具有磁场强度B1的磁场” （间歇包含零场，形成交替序列） | 对比文件公开了间歇磁场，具有强磁场和零磁场交替的序列，即脉冲，直接公开。 |
| 特征G：所述第一磁场值的绝对值实质上低于所述第二磁场值的绝对值（直接公开） | [0154] 第一磁场值为零，第二磁场值为B1（非零） | 零的绝对值低于非零，直接公开。 |
| 特征H：其中所述第一磁场值的持续时间处在0.2s到1s之间的范围内（未公开） | 对比文件未明确第一磁场值的持续时间 | 对比文件没有给出任何关于第一磁场值（零场）持续时间的数值或范围，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该范围，也未隐含公开。 |
| 特征I：其中，磁场控制单元被适配成在传感器事件之前把磁性粒子聚集在感测单元的环境中；并且在传感器事件之后从感测单元中去除未结合磁性粒子（直接公开） | [0052] “结合加速步骤：产生磁场使磁性分子靠近传感器表面”（聚集）；[0096] “未结合磁性分子被吸引远离传感器表面”（去除） | 对比文件公开了使用下线图吸引磁性分子靠近表面（聚集），以及使用上线圈吸引未结合磁性分子远离表面（去除），分别对应传感器事件前后的功能，直接公开。 |
| 特征J：其中，磁场控制单元被适配成关于基板和/或关于感测单元引导磁性粒子（直接公开） | [0096] 上线圈吸引远离；[0098] 下线圈吸引靠近；[0055] 交替产生磁场搅拌 | 对比文件公开了通过磁场控制单元引导磁性粒子靠近或远离传感器表面，即引导，直接公开。 |
| 特征K：被适配成生成脉冲磁场（直接公开） | [0033] “间歇性地产生磁场” | 间歇磁场即脉冲磁场，直接公开。 |
| 特征L：其中，所述第一磁场值是零（直接公开） | [0154] 间歇磁场关闭时为零 | 直接公开。 |
| 特征M：所述第二磁场值不同于零（直接公开） | [0154] B1非零 | 直接公开。 |
| 特征N：其中，所述脉冲磁场的脉冲包括至少两个具有相反符号的非零脉冲（直接公开） | [0154] “产生的磁场是双极性的” | 双极性磁场包含正负脉冲，即相反符号的非零脉冲，直接公开。 |
| 特征O：其中每一对接连的非零脉冲中的脉冲具有相反符号（直接公开） | [0154] 双极性磁场通常交替符号 | 双极性磁场中，脉冲序列通常交替正负，每一对相邻非零脉冲符号相反，直接公开。 |
| 特征P：其中，所述与时间相关的磁场的特征参数的时间平均值为零（隐含公开） | [0154] 双极性磁场；[0033] 间歇磁场 | 对比文件公开了双极性磁场，本领域技术人员可以合理推断，当双极性磁场对称时，其时间平均值为零，因此隐含公开。 |
| 特征Q：其中所述与时间相关的磁场具有从零逐渐增大和/或逐渐减小到零的包络（未公开） | 对比文件未提及包络形状 | 对比文件中的磁场脉冲为方波形状，没有逐渐增大或减小的包络，未公开。 |
| 特征R：其中所述磁场控制单元被适配成生成所述与时间相关的磁场，这是通过向该磁场控制单元施加与时间相关的电激励信号而实现的（直接公开） | [0033] 间歇产生磁场需通过电流通断；[0135] “通过交流电上线圈产生交流磁场” | 对比文件中的磁场通过电流激励产生，电激励信号随时间变化，直接公开。 |
| 特征S：其中所述磁场控制单元被适配成通过按照与时间相关的方式关于所述基板移动所述磁场控制单元来生成所述与时间相关的磁场（未公开） | 对比文件未涉及移动磁场控制单元 | 对比文件中的磁场控制单元为固定线圈或磁铁，没有移动方案，未公开。 |
| 特征T：其中，所述移动包括旋转、平移和往复移动中的至少一种（未公开） | 对比文件未涉及移动 | 同S，未公开。 |
| 特征U：其中，所述磁场控制单元被适配成以处在0.1Hz到1kHz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场（直接公开） | [0178] “由线圈在霍尔器件表面产生的磁通密度为20Hz” | 对比文件公开了20Hz的磁场频率，落入0.1Hz到1kHz范围，因此直接公开该特征。 |
| 特征V：其中，所述磁场控制单元被适配成以处在1Hz到100Hz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场（直接公开） | [0178] 20Hz | 20Hz在1Hz到100Hz范围内，直接公开。 |
| 特征W：其中，所述磁场控制单元被适配成重置磁体（未公开） | 对比文件未提及重置功能 | 对比文件没有公开磁场控制单元用于重置传感器，未公开。 |
| 特征X：其中所述磁场控制单元包括电磁体和/或永磁体（直接公开） | [0096] 上线圈（电磁体）；[0098] 下线圈（电磁体）；[0180] 磁铁（永磁体） | 对比文件公开了线圈和磁铁作为磁场控制单元，直接公开。 |
| 特征Y：其包括被提供在所述基板表面处的捕获分子（直接公开） | [0084] “分子受体固定在传感器芯片表面” | 对比文件中的分子受体即捕获分子，固定在基板表面，直接公开。 |
| 特征Z：所述捕获分子被适配成用于通过杂化与附着到所述磁性粒子上的互补分子结合（直接公开） | [0084] 分子受体可以是DNA分子；[0085] 待测对象可以是DNA分子，结合到分子受体 | 对比文件公开了DNA分子作为捕获分子，其与互补DNA分子通过特异性结合（杂交）结合，直接公开了通过杂化结合。 |
<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<F>>> <<<G>>> <<<I>>> <<<J>>> <<<K>>> <<<L>>> <<<M>>> <<<N>>> <<<O>>> <<<R>>> <<<U>>> <<<V>>> <<<X>>> <<<Y>>> <<<Z>>> <<<p>>>