对比文件名称：2005-04-28_WO2005038911A_发明申请_WO2005038911A1 DEVICE, SYSTEM AND ELECTRIC ELEMENT
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) —— **直接公开** | [p0002]：“本发明涉及一种设备，具有绝缘材料体，该体具有第一侧和相对的第二侧，锚定在体中的电导体位于第一侧，其中体设有从第一侧延伸到第二侧的凹槽。本发明还涉及这种设备与电元件的组件，该电元件以使得元件表面通过体中的凹槽可接近的方式固定到设备的第一侧。” [p0004]：“电导体包括互连部分和焊盘部分，焊盘部分具有比互连部分大的直径，并且被布置成适于与布置在第一侧上的电元件电耦合。” | 对比文件公开的设备（相当于包装载体）具有电导体（包括焊盘部分），用于与电元件电耦合，并适于封闭电元件，因此直接公开了特征A。 |
| **技术特征B**：所述方法包括以下步骤 —— **直接公开** | [p0004]：“为了制造该设备，使用具有牺牲层的载体。电导体存在于牺牲层上。……随后，至少部分地除去牺牲层。”以及其他制造步骤的描述。 | 对比文件明确描述了制造设备的完整方法，包括多个步骤，因此直接公开了方法步骤的引入。 |
| **技术特征C**：提供牺牲载体(20) —— **直接公开** | [p0004]：“为了制造该设备，使用具有牺牲层的载体。” | 对比文件直接公开了提供具有牺牲层的载体，即牺牲载体，因此直接公开。 |
| **技术特征D**：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) —— **直接公开** | [p0004]：“电导体存在于牺牲层上。” [p0006]：“载体30包括第一金属层11、中间层12、第二金属层13。……形成连接导体31-35和轨道120。” | 对比文件公开了牺牲载体上具有导电图案，包括连接导体和轨道，相当于连接衬块和导电轨道，因此直接公开。 |
| **技术特征E**：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23) —— **直接公开** | [p0004]：“此外，载体可以弯曲。” [p0006]（图10实施例）：“从箔30开始……随后，去除第二层12，提供元件200，并且组件500可以弯曲和胶合以获得期望的最终结果。” | 对比文件明确公开了载体可以弯曲，并且通过弯曲必然产生不同水平的部分（升高和凹入），因此直接公开。 |
| **技术特征F**：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) —— **未公开** | 对比文件中未记载在载体上提供具有孔的覆盖构件。 | 对比文件没有任何关于覆盖构件的描述，因此未公开该特征。 |
| **技术特征G**：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 由于覆盖构件未公开，该特征也未公开。 |
| **技术特征H**：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 由于覆盖构件未公开，该特征也未公开。 |
| **技术特征I**：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) —— **未公开** | [p0004]：“体的电绝缘材料，该材料优选通过注模工艺（插入模塑或传递模塑）提供。” [p0006]：“提供封装40。” | 对比文件公开了将材料应用于承载表面和导电图案以形成体，但未公开应用于覆盖构件（覆盖构件不存在），因此整体未公开。 |
| **技术特征J**：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 由于覆盖构件未公开，该特征也未公开。 |
| **技术特征K**：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 —— **直接公开** | [p0004]：“随后，至少部分地除去牺牲层。” [p0006]：“通过蚀刻除去第二金属层13和中间层12。” | 对比文件明确公开了除去牺牲载体（牺牲层）的至少一部分，因此直接公开。 |
| **技术特征L**：从而产生凹槽(47) —— **直接公开** | [p0004]：“该设备设有从第一侧延伸到第二侧的凹槽。” [p0006]：“形成凹槽110。” | 对比文件公开了除去牺牲载体后产生凹槽，因此直接公开。 |
| **技术特征M**：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 —— **未公开** | 对比文件中未明确凹槽位置与升高部分的对应关系。 | 对比文件主要实施例中凹槽通过蚀刻形成，未与弯曲产生的升高部分关联；第三实施例中弯曲部分未直接形成凹槽，因此未公开。 |
| **技术特征N**：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 —— **直接公开** | [p0006]：“连接导体31-35暴露。” | 对比文件公开了除去牺牲载体后，导电连接衬块暴露，因此直接公开。 |
| **技术特征O**：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) —— **直接公开** | [p0006]：“半导体元件20通过连接装置22（Au凸点）连接到连接导体31-35。” | 对比文件公开了连接衬块用于电耦接到微电子元件，因此直接公开。 |
| **技术特征P**：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 由于覆盖构件未公开，该特征也未公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) —— **直接公开** | [p0004]：“体的电绝缘材料，该材料优选通过注模工艺提供。” | 注模工艺必然使用模具，因此直接公开。 |
| **技术特征R**：其中 —— **未公开** | 对比文件中无直接对应“其中”的表述，但方法步骤隐含连接。 | 该特征为过渡词，无实质技术内容，对比文件未直接公开。 |
| **技术特征S**：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) —— **直接公开** | [p0004]注模工艺中载体置于模具中形成空腔，然后注入材料。 | 注模过程必然涉及模具与载体定位以形成空间，因此直接公开。 |
| **技术特征T**：所述材料用于形成所述体构件(45) —— **直接公开** | [p0004]：“体的电绝缘材料。” | 对比文件公开了材料用于形成体，因此直接公开。 |
| **技术特征U**：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) —— **未公开** | 对比文件中未记载模具突出件用于避免覆盖覆盖构件。 | 对比文件没有覆盖构件，也未公开模具突出件用于此目的，因此未公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) —— **未公开** | 对比文件中未记载模具突出件形成槽形凹槽。 | 对比文件没有公开突出件，也未公开形成槽形凹槽，因此未公开。 |
| **技术特征W**：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 —— **未公开** | 对比文件中的凹槽110是通孔，不是槽形凹槽，且形成方式不同。 | 对比文件未公开槽形凹槽，因此未公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 —— **直接公开** | [p0004]注模工艺中需要将模具与载体定位。 | 对比文件公开了模具定位步骤，因此直接公开。 |
| **技术特征Y**：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 对比文件没有公开升高部分、突出件及其方向关系，因此未公开。 |
| **技术特征Z**：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) —— **未公开** | 对比文件中无相关记载。 | 对比文件未公开突出件及槽形凹槽，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<K>>><<<L>>><<<N>>><<<O>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>><<<X>>>