**对比文件名称**：1977-05-31_US4026412A_发明授权_US4026412A Electronic circuit carrier and test fixture
**目标专利名称**：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **特征A**：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) <br>《直接公开》 | 对比文件[2]：“本发明涉及一种电子电路载体和测试夹具，其被布置用于所选混合厚膜和薄膜微电子封装（包含微电子元件）的保护性容纳，并包括当封装在载体保护内时对封装的测试。”<br>[2]：“导体60位于每个保持槽42的底部，导体62位于每个保持槽44的底部。”<br>[2]：“导体60和62分别通过通孔68和70连接到母板。” | 对比文件明确公开了一种载体（30/110），用于容纳保护混合微电子封装（封装内包含微电子元件），并且该载体具有导体（60、62）作为导电连接衬块，这些导体通过通孔连接到母板（另一种设备），实现电气连接。因此，该载体适于封闭微电子元件并具有用于电气连接的导电连接衬块，与特征A实质相同，直接公开。 |
| **特征B**：所述方法包括以下步骤<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何方法步骤。 | 对比文件仅描述产品结构，未涉及任何制造方法步骤，因此未公开特征B。 |
| **特征C**：提供牺牲载体(20)<br>《未公开》 | 对比文件未提及牺牲载体。 | 对比文件中的载体基座（36）是预制的绝缘体，而非通过牺牲载体形成，未公开特征C。 |
| **特征D**：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)<br>《未公开》 | 对比文件未提及牺牲载体及其承载表面上的导电图案。 | 对比文件未公开任何牺牲载体结构，因此未公开特征D。 |
| **特征E**：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23)<br>《未公开》 | 对比文件未提及载体弯曲步骤。 | 对比文件无牺牲载体弯曲操作，其载体形状通过模具或机械加工形成，未公开特征E。 |
| **特征F**：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40)<br>《未公开》 | 对比文件未提及覆盖构件及孔。 | 对比文件无覆盖构件，其凹槽（42、44）直接形成在基座中，无覆盖构件上的孔，未公开特征F。 |
| **特征G**：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上<br>《未公开》 | 对比文件未公开升高部分及覆盖构件顶部部分。 | 对比文件未涉及升高部分和覆盖构件，因此未公开特征G。 |
| **特征H**：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分<br>《未公开》 | 对比文件未公开覆盖构件对导电图案的覆盖。 | 对比文件中的导体暴露在槽底，无覆盖构件覆盖，未公开特征H。 |
| **特征I**：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45)<br>《未公开》 | 对比文件未公开通过材料应用形成体构件。 | 对比文件的基座（36）是预制的绝缘材料，并非通过将材料应用于图案和覆盖构件形成，未公开特征I。 |
| **特征J**：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分<br>《未公开》 | 对比文件未公开覆盖构件顶部部分。 | 对比文件无覆盖构件，因此未公开特征J。 |
| **特征K**：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去<br>《未公开》 | 对比文件未提及除去牺牲载体。 | 对比文件无牺牲载体，无除去步骤，未公开特征K。 |
| **特征L**：从而产生凹槽(47)<br>《未公开》 | 对比文件有凹槽（42、44），但并非通过除去牺牲载体产生。 | 对比文件的凹槽通过机械加工或成型在基座中形成，与特征L的步骤无关，未公开。 |
| **特征M**：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置<br>《未公开》 | 对比文件未公开升高部分及除去牺牲载体产生的凹槽位置。 | 对比文件无牺牲载体和升高部分，凹槽位置与特征M不同，未公开。 |
| **特征N**：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个<br>《未公开》 | 对比文件公开了导体60、62暴露在槽底，但未公开通过除去牺牲载体暴露。 | 对比文件的导体是预先设置在槽底的，无需除去牺牲载体，步骤不同，未公开特征N。 |
| **特征O**：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60)<br>《直接公开》 | 对比文件[2]：“保持杆48将引线18a和18b分别压到导体62a和62b上。”<br>[2]：“导体60位于每个保持槽42的底部，导体62位于每个保持槽44的底部。”<br>引线16、18连接到封装内的微电子电路芯片24。 | 对比文件中的导体（60、62）位于基座（体构件）的槽底，通过保持杆将封装引线压到导体上，实现与封装内微电子元件的电气耦接。因此，导体适于电气耦接到微电子元件，且该耦接发生在体构件的侧面（槽所在侧面），直接公开特征O。 |
| **特征P**：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)<br>《未公开》 | 对比文件未公开覆盖构件及其孔。 | 对比文件无覆盖构件，凹槽不与任何孔连通，未公开特征P。 |
| **特征Q**：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15)<br>《未公开》 | 对比文件未提及模具。 | 对比文件未公开使用模具形成体构件，其基座经预制而成，未公开特征Q。 |
| **特征R**：其中<br>《未公开》 | 无实质内容。 | 特征R为连接词，对比文件未公开任何相关限制。 |
| **特征S**：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19)<br>《未公开》 | 对比文件未公开模具和牺牲载体。 | 对比文件未涉及模具和牺牲载体的定位，未公开特征S。 |
| **特征T**：所述材料用于形成所述体构件(45)<br>《未公开》 | 对比文件未公开相关材料应用。 | 对比文件未公开通过材料填充形成体构件，未公开特征T。 |
| **特征U**：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17)<br>《未公开》 | 对比文件未公开模具突出件。 | 对比文件无模具和覆盖构件，未公开特征U。 |
| **特征V**：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)<br>《未公开》 | 对比文件未公开模具突出件及槽形凹槽形成方式。 | 对比文件无模具突出件，其槽（42、44）并非通过突出件形成，未公开特征V。 |
| **特征W**：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面<br>《未公开》 | 对比文件有槽42、44，但未公开通过模具突出件形成且从一侧到另一侧。 | 对比文件的槽可能在基座内延伸，但形成方式和结构关系与特征W不同，未公开。 |
| **特征X**：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间<br>《未公开》 | 对比文件未公开定位步骤。 | 对比文件无模具和牺牲载体，未公开特征X。 |
| **特征Y**：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171)<br>《未公开》 | 对比文件未公开升高部分、模具突出件及直角关系。 | 对比文件无相关结构，未公开特征Y。 |
| **特征Z**：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)<br>《未公开》 | 对比文件未公开突出件及槽形凹槽。 | 同特征V，未公开特征Z。 |
### 总结
对比文件US4026412A仅公开了特征A和特征O，未公开其他技术特征。
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