**对比文件名称**：2004-01-20_US6679849B_发明授权_US06679849B2 Ultrasonic tee probe with two dimensional array transducer
**目标专利名称**：1328通过超声换能器系统连续成像的装置CN101166473B
**调用的模型名称**：请根据实际使用情况填写，此处未指定。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：薄型的坚硬机壳（隐含公开） | 对比文件说明书第2栏第36-40行：“探头的远侧部分30包括刚性区域32和柔性区域34。”以及第2栏第40-45行：“远侧区域32包括用于容纳超声换能器阵列42的远侧尖端壳体50。” | 对比文件公开了探头具有刚性壳体（rigid region），但未明确提及“薄型”。然而，经食管探头通常设计为细长薄型以便插入，本领域技术人员可以合理推断该壳体是薄型的，因此隐含公开。 |
| 技术特征B：附于所述机壳的大孔径矩阵式阵列换能器罩板（隐含公开） | 对比文件说明书第2栏第40-45行：“换能器阵列42优选是超声换能器元件的二维阵列。”以及第3栏第5-10行：“远侧尖端壳体50包括下尖端壳体52和上尖端壳体54，具有超声波窗口56和位于换能器阵列42前方的匹配介质。” | 对比文件公开了二维阵列换能器（矩阵式阵列）以及位于其前方的窗口，但未明确“罩板”术语，也未明确“大孔径”。然而，本领域技术人员可以理解该二维阵列安装在机壳前端，窗口和阵列构成罩板组件，且经食管探头通常需要较大孔径以获得良好成像，因此推断其具有大孔径，故隐含公开。 |
| 技术特征C：其中所述矩阵式阵列换能器罩板包括垫板（直接公开） | 对比文件说明书第2栏第45-50行：“换能器阵列42粘合到阵列背衬60上，并且各个换能器元件连接到集成电路62。” | 对比文件明确公开了阵列背衬（array backing），即垫板，该垫板支撑换能器阵列，因此直接公开了垫板特征。 |
| 技术特征D：其由低声损耗材料制成（未公开） | 对比文件未提及阵列背衬或垫板的材料特性。 | 对比文件没有公开垫板由低声损耗材料制成，也未暗示任何材料损耗特性，因此本领域技术人员无法从对比文件得出该特征，故未公开。 |
| 技术特征E：与实际成像孔径相比足够大（未公开） | 对比文件未提及罩板尺寸与成像孔径的比较。 | 对比文件没有公开罩板尺寸相对于成像孔径的关系，因此未公开。 |
| 技术特征F：在所述罩板前面的声学窗口（直接公开） | 对比文件说明书第2栏第50-55行：“远侧尖端壳体50包括下尖端壳体52和上尖端壳体54，具有超声波窗口56和位于换能器阵列42前方的匹配介质。” | 对比文件明确公开了超声波窗口（ultrasonic window）位于换能器罩板（即换能器阵列前方）的前面，因此直接公开了声学窗口。 |
| 技术特征G：用于声学地耦合矩阵式阵列换能器罩板至目标（直接公开） | 对比文件说明书第2栏第50-55行（同上）提到匹配介质（matching medium）位于换能器阵列前方。此外，第3栏第15-20行：“匹配介质提供换能器阵列与患者组织之间的声学耦合。” | 对比文件明确公开了匹配介质用于声学耦合换能器罩板至目标，因此直接公开。 |
| 技术特征H：位于矩阵式阵列换能器罩板四周附近的所述机壳上的粘着剂（未公开） | 对比文件未提及任何粘着剂。 | 对比文件没有公开任何粘着剂或类似物质，因此未公开。 |
| 技术特征I：用于将所述超声换能器粘着性地附于目标上（未公开） | 对比文件未提及粘着性附着。 | 对比文件没有公开将换能器粘着性地附于目标上，因此未公开。 |
| 技术特征J：微波束成形ASIC（隐含公开） | 对比文件说明书第2栏第45-50行：“各个换能器元件连接到集成电路62。”以及第5栏第30-40行：“每个组内接收预处理器220i可以包括求和延迟线，或连接到求和元件的多个可编程延迟元件。” | 对比文件公开了集成电路（集成电路62）和组内预处理电路，这些电路可以实现波束成形功能，但未明确该集成电路是ASIC或专用于微波束成形。然而，本领域技术人员可以合理推断该集成电路是实现波束成形的专用集成电路，且由于探头尺寸限制，该波束成形ASIC是微型的，因此隐含公开了微波束成形ASIC。 |
| 技术特征K：位于矩阵式阵列换能器罩板后面的所述机壳内（直接公开） | 对比文件说明书第2栏第45-50行：“换能器阵列42粘合到阵列背衬60上，并且各个换能器元件连接到集成电路62。”以及第3栏第25-30行：“集成电路62通过引线键合66连接到电路板64。该结构热连接到散热器68。” | 对比文件公开了集成电路62和电路板64位于换能器阵列背面的机壳内，即位于阵列罩板后面，因此直接公开。 |
| 技术特征L：和超声成像系统（直接公开） | 对比文件说明书第1栏第10-15行：“本发明涉及经食管超声成像系统……”以及第2栏第20-30行：“超声成像系统包括换能器阵列……连接到多通道发射和接收波束成形器。”此外，图1和相关描述公开了完整系统。 | 对比文件公开了完整的超声成像系统，包括探头、波束成形器、图像生成器、显示等，因此直接公开。 |
| 技术特征M：控制由所述矩阵式阵列换能器罩板产生的扫描线的定位（直接公开） | 对比文件说明书第5栏第10-20行：“控制处理器140向发射波束成形器通道提供延迟命令……延迟数据控制发射波束沿着选定的发射扫描线模式进行转向和聚焦。”以及第5栏第40-50行：“接收波束成形器可以动态地控制接收波束具有期望的方向并聚焦在期望深度。” | 对比文件公开了控制处理器控制扫描线的定位，包括发射和接收波束的转向，因此直接公开。 |
| 技术特征N：和在所述超声成像系统的控制下可以对所述矩阵式阵列换能器罩板的扇形扫描进行重新定位（直接公开） | 对比文件说明书第15栏第5-15行：“成像系统还可以电子地改变正交投影视图的呈现……在观看前视图和侧视图后，临床医生可以通过改变偏航偏移来改变视图的方向。”以及第10栏第20-30行：“电子调整提供了三个自由度以获得选定的视图方向。临床医生可以通过改变俯仰偏移或横滚偏移来重新选择成像组织。” | 对比文件公开了通过电子调整（改变偏航、俯仰、横滚偏移）对扇形扫描进行重新定位，因此直接公开。 |
| 技术特征O：而不必对所述换能器进行任何机械调整（隐含公开） | 对比文件说明书第10栏第20-30行（同上）提到“电子调整”提供了三个自由度，而机械调整是探头关节的调整。但未明确说不需要机械调整。然而，根据上下文，电子调整与机械调整独立。 | 对比文件公开了电子调整方式，而电子调整必然不涉及换能器的机械移动，因此本领域技术人员可以合理推断重新定位扇形扫描无需对换能器进行机械调整，故隐含公开。 |
| 技术特征P：在使用所述矩阵式阵列换能器罩板的成像模式下可操作的所述超声成像系统（直接公开） | 对比文件整个系统描述均基于二维阵列换能器，例如图1、图5B等。 | 对比文件公开的超声成像系统使用二维阵列换能器（矩阵式阵列）进行成像，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：被置于至少一个具有障碍物的成像目标上（未公开） | 对比文件没有提及障碍物或类似概念。 | 对比文件仅涉及经食管成像，目标为心脏等组织，但未明确提到障碍物，因此本领域技术人员无法从对比文件得出该特征，故未公开。 |
| 技术特征R：通过使用所述超声成像系统上的控制件对扇形扫描进行重新定位（直接公开） | 对比文件说明书第5栏第5-10行：“控制处理器140从输入控件142至167接收输入命令，并提供输出控制信号170至191。”以及第15栏第5-15行提到改变偏航偏移等。 | 对比文件公开了用户通过输入控件（控制件）输入命令，控制处理器据此重新定位扇形扫描，因此直接公开。 |
| 技术特征S：来显现图像（直接公开） | 对比文件说明书第1栏第20-25行：“图像生成器被构造为接收图像数据并生成所选择组织体积的图像，这些图像显示在图像显示器上。”以及第2栏第30-35行。 | 对比文件公开了图像生成器生成图像并显示，因此直接公开。 |
| 技术特征T：以从所述图像移除所述障碍物（未公开） | 对比文件没有提及移除障碍物。 | 对比文件未公开任何关于从图像中移除障碍物的内容，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述成像模式是2D成像模式（直接公开） | 对比文件说明书第4栏第20-25行：“成像系统可以生成B-scan图像（二维视图）……”以及图7等。 | 对比文件公开了B-scan模式，即2D成像模式，因此直接公开。 |
| 技术特征V：其中所述成像模式是3D成像模式（直接公开） | 对比文件说明书第4栏第30-35行：“成像系统可以生成用于三维可视化的正交投影视图。”以及图7、图7A等。 | 对比文件公开了3D成像模式，如正交投影视图，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中所述矩阵式阵列换能器罩板（隐含公开） | 对比文件说明书第2栏第40-45行：“换能器阵列42优选是超声换能器元件的二维阵列。”以及第3栏第5-10行描述窗口。 | 对比文件公开了二维阵列换能器，虽然没有明确使用“罩板”一词，但本领域技术人员可以理解换能器阵列及其前方的窗口构成罩板组件，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：是薄型大孔径矩阵式阵列传感器组件（隐含公开） | 同上。 | 对比文件公开了二维阵列，但未明确“薄型”和“大孔径”。然而，经食管探头通常设计为薄型且孔径较大以获得良好成像，本领域技术人员可以合理推断该传感器组件是薄型大孔径的，故隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中所述矩阵式阵列传感器组件（隐含公开） | 同技术特征W。 | 对比文件公开了二维阵列传感器组件，因此隐含公开。 |
| 技术特征Z：由CMUT构成（未公开） | 对比文件未提及CMUT，通常使用压电陶瓷。 | 对比文件没有公开换能器元件由CMUT构成，因此未公开。 |
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