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权利要求与技术特征

E 其特征在于，所述第一区域具有比所述沟道区更高的掺杂浓度。

F 其特征在于，所述第一材料包括III-V族复合物或II-VI族复合物。

G 其特征在于，所述第一材料包括砷化铝或砷化铟铝。

H 其特征在于，所述第二材料包括砷化镓或砷化铟镓。

I 其特征在于，所述沟道区和所述第一区域是基于超锐逆掺杂分布来掺杂的。

J 其特征在于，进一步包括：形成在所述沟道区的表面上的介电层
K 形成在所述介电层的表面上的金属栅极
L 形成在所述扩散势垒区的所述表面上的源极区
M 形成在所述扩散势垒区的所述表面上的漏极区
N 毗邻于所述源极区的第一浅沟槽隔离区
O 以及 毗邻于所述漏极区的第二浅沟槽隔离区。

P 其特征在于，所述扩散势垒区介于所述沟道区和所述第一区域之间。

Q 其特征在于，所述装置是平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

R 其特征在于，所述装置是鳍式场效应晶体管(FinFET)。

S 包括： 在基板的重掺杂区的表面上形成扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的
T 在所述扩散势垒区的表面上形成沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成
U 蚀刻所述沟道区的特定区域以形成源极区和漏极区
V 以及形成背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述重掺杂区中。

W 进一步包括形成耦合到所述重掺杂区的背栅触点。

X 其特征在于，所述扩散势垒区陷住来自所述重掺杂区的掺杂物。

Y 其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较低界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是砷化镓或者砷化铟镓，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。

Z 其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较高界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是硅，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。
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