对比文件名称：2015-03-26_WO2015040049A_发明申请_WO2015040049A1 TREATMENT DEVICE FOR THE SKIN USING RADIO-FREQUENCY ELECTRIC CURRENT
目标专利名称：1357具有处理设定限定器的使用RF电流的非侵入性皮肤处理装置CN107530544B
本次调用的模型名称：大语言模型（GPT-4）
以下为特征比对表格。对于每一技术特征，严格按目标专利权利要求划分，并基于对比文件原文进行公开性判断。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间，用于加热所述内部区域(15) **《直接公开》** | 对比文件[p0020]：“an r.f. generator ... such that, in use, an r.f. electric current generated by the r.f. generator is applied through the first treatment electrode to the outer surface of the skin and through the inner region”（RF发生器……使得在使用中，RF发生器产生的RF电流通过第一治疗电极施加到皮肤外表面并穿过内部区域）。对比文件[p0023]：“the control unit activates the r.f. generator to apply the r.f. electric current through the first treatment electrode to the inner region”（控制单元激活RF发生器以通过第一治疗电极将RF电流施加到内部区域）。 | 对比文件明确公开了RF电流通过治疗电极施加到皮肤外表面并穿过内部区域，用于加热。该RF电流路径包括治疗电极与返回电极（如图1中的外部电极40或图2中的第二治疗电极240）之间，与目标专利特征A中RF处理信号穿过内部区域、施加于RF处理电极与返回电极之间以加热内部区域的作用完全相同。因此，特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：阻抗测量电路(35) **《直接公开》** | 对比文件[p0039]：“the treatment device further comprises an impedance measurement circuit, connected to the first treatment electrode, and configured and arranged to measure, in use, the impedance of a path of the r.f. electric current through the skin.”（治疗装置还包括阻抗测量电路，连接到第一治疗电极，并被配置和布置成在使用中测量RF电流路径通过皮肤的阻抗）。 | 对比文件直接公开了阻抗测量电路这一组件，且该电路与RF治疗电极连接，用于测量RF电流路径的阻抗。因此，特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗 **《直接公开》** | 对比文件[p0039]同上，阻抗测量电路测量RF电流路径通过皮肤的阻抗，该路径必然包括RF处理电极与返回电极之间的皮肤组织。对比文件[p0040]进一步说明：“By monitoring this impedance value, the progression of the treatment may also be monitored”（通过监测该阻抗值，可以监测治疗的进展）。 | 对比文件中的阻抗测量电路测量的是RF电流路径的阻抗，该路径直接涉及RF处理电极与返回电极之间的皮肤阻抗。因此，特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：处理设定限定器(30) **《隐含公开》** | 对比文件[p0023]：“a control unit configured and arranged to control the r.f. generator and the electric field generator”（控制单元，被配置和布置成控制RF发生器和电场发生器）。对比文件[p0085]：“a high degree of control may be provided by including an appropriate microprocessor in the treatment device, configured and arranged to control the r.f. generation, the DC field generation and the treatment substance delivery.”（通过在治疗装置中包括适当的微处理器，可以提供高度控制，该微处理器被配置和布置成控制RF生成、DC场生成和治疗物质输送）。 | 对比文件中的控制单元（微处理器）承担了确定RF处理信号相关处理设定的功能，例如在第二阶段激活RF发生器并控制其参数。虽然对比文件未使用“处理设定限定器”这一术语，但该控制单元实质上执行了与目标专利处理设定限定器相同的功能，即确定与RF处理信号相关联的处理设定。本领域技术人员可以合理推断出对比文件具有处理设定限定器（作为控制单元的一部分）。因此，特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定，其特征在于，所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25) **《直接公开》** | 对比文件[p0023]：“a control unit configured and arranged to control the r.f. generator and the electric field generator such that...”（控制单元被配置和布置成控制RF发生器和电场发生器，使得……）。对比文件[p0085]同上。 | 对比文件中的控制单元（微处理器）被配置为控制RF发生器，从而确定RF处理信号的处理设定（例如，施加时机、参数等）。同时，该控制单元本身即作为控制器。因此，对比文件公开了确定处理设定的功能以及包括控制器的装置。特征E被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述控制器(25)被编程使得在操作期间，所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前，激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO **《未公开》** | 对比文件[p0039]提及阻抗测量电路，但未提及在激活RF发生器之前测量初始皮肤阻抗。对比文件[p0040]提到：“By monitoring this impedance value, the progression of the treatment may also be monitored, or the presence of sufficient treatment substance at the inner region may be detected, indicating that treatment (or a further treatment step) may begin.”（通过监测该阻抗值，可以监测治疗进展，或检测到内部区域是否有足够治疗物质，表明治疗（或进一步治疗步骤）可以开始）。该监测发生在第一治疗阶段（电场输送物质期间），而非在施加RF之前测量初始阻抗。 | 对比文件中的阻抗测量是在第一治疗阶段（电场激活期间）进行的，用于监测治疗物质输送过程，而不是在激活RF发生器之前测量初始皮肤阻抗。对比文件没有公开或暗示在施加RF处理信号之前先测量初始皮肤阻抗的步骤，也没有公开将初始阻抗用于后续处理设定确定。因此，特征F未被公开（既非直接也非隐含）。 |
| **技术特征G**：其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间，所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定，所述处理设定至少包括以下：与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD) **《未公开》** | 对比文件[p0043]提到：“If the impedance measurement circuit is connected to the control unit, the control unit may be configured and arranged such that, during the second treatment phase, the control unit controls at least one parameter of the r.f. electrical treatment current in accordance with the impedance measured.”（如果阻抗测量电路连接到控制单元，控制单元可被配置为在第二治疗阶段根据测量的阻抗控制RF治疗电流的至少一个参数）。但该控制是基于输送物质后变化的阻抗，而非基于初始皮肤阻抗和电极尺寸。对比文件没有提及根据初始皮肤阻抗和电极尺寸确定处理持续时间。 | 对比文件虽然公开了根据阻抗控制RF参数，但该阻抗是治疗过程中（输送物质后）的阻抗，而非初始皮肤阻抗；且未提及电极尺寸作为确定处理设定的因素，也未将处理持续时间与期望处理结果关联。因此，特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：与所述RF处理信号相关联的RF电气参数；并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后，所述控制器连续地：激活所述处理设定限定器(30)，以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定 **《未公开》** | 对比文件没有公开在测量初始皮肤阻抗后、激活RF发生器之前激活处理设定限定器确定处理设定的顺序。对比文件中的控制单元在第一治疗阶段测量阻抗（输送物质期间），然后在第二阶段施加RF，但未在施RF前根据初始阻抗确定处理设定。 | 对比文件未公开测量初始阻抗后立即确定处理设定再激活RF的连续步骤，而是先进行物质输送，再基于输送后的阻抗控制RF。因此，特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号 **《直接公开》** | 对比文件[p0023]：“the control unit activates the r.f. generator to apply the r.f. electric current through the first treatment electrode to the inner region during said second treatment phase”（控制单元在第二治疗阶段激活RF发生器以通过第一治疗电极将RF电流施加到内部区域）。对比文件[p0043]进一步指出控制单元根据测量的阻抗控制RF参数，即配置RF发生器。 | 对比文件中的控制单元在第二阶段激活RF发生器，并可根据程序或算法配置RF发生器以提供特定的RF处理信号（如电压、电流等）。因此，特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：激活所述RF发生器(20)，以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD) **《直接公开》** | 对比文件[p0023]：“the control unit activates the r.f. generator to apply the r.f. electric current ... during said second treatment phase”（控制单元激活RF发生器以施加RF电流……在所述第二治疗阶段期间）。对比文件[p0040]提到监测阻抗以确定何时开始治疗步骤，暗示RF施加持续一定时间。 | 对比文件公开了在第二治疗阶段激活RF发生器，将RF电流施加到内部区域，并持续一定时间（治疗阶段）。因此，特征J被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联 **《未公开》** | 对比文件没有公开处理持续时间与从期望处理结果到不期望处理结果的过渡之间的关联。对比文件主要关注通过输送物质改善导电性，而非通过控制处理时间来避免不期望结果。 | 对比文件未提及处理持续时间与任何过渡的关联，也未教导根据处理结果过渡来设定处理时间。因此，特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联 **《未公开》** | 对比文件背景部分提到“surface ablation”等，但未与处理持续时间或处理设定关联。在具体实施方案中，对比文件未涉及通过处理持续时间控制凝固或消融。 | 对比文件没有公开不期望的处理结果与凝固或消融的关联，也没有将处理持续时间与这些现象联系起来。因此，特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm **《直接公开》** | 对比文件[p0065]：“The dimensions of the first treatment electrode 50 may be in the range 0.1-5cm. ... typically electrodes of 0.1-1mm are used for ablative or non-ablative skin rejuvenation”（第一治疗电极50的尺寸可在0.1-5cm范围内……通常0.1-1mm的电极用于消融或非消融性皮肤嫩肤）。该范围0.1-1mm完全小于2mm。 | 对比文件公开了用于嫩肤的治疗电极尺寸为0.1-1mm，这直接满足最大尺寸小于或等于2mm的要求。因此，特征M被直接公开。 |
| **技术特征N**：其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定：J＝K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT))，其中：J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子 **《未公开》** | 对比文件未公开任何类似的公式，也未公开皮肤损害发作因子J的概念。 | 对比文件完全没有公开该公式及其中的参数。因此，特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：K是常数，单位为每毫米‑毫焦耳，取决于皮肤组织的热和介电特性 **《未公开》** | 对比文件未公开该常数K。 | 对比文件未提及K及其定义。因此，特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径，单位为毫米 **《未公开》** | 对比文件未公开半径R在公式中的使用。 | 对比文件未公开将电极半径作为参数用于处理设定确定。因此，特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：TT是皮肤组织的热时间常数，单位为毫秒 **《未公开》** | 对比文件未公开热时间常数TT。 | 对比文件未提及皮肤组织的热时间常数。因此，特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：PM是与所述RF处理信号相关联RF功率，单位为瓦特，等于VM^2/ZO，其中VM是所述RF处理信号的电压 **《未公开》** | 对比文件未公开功率等于电压平方除以初始阻抗的关系。 | 对比文件未公开该具体功率计算公式。因此，特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：TD是所述处理持续时间，单位为毫秒 **《未公开》** | 对比文件未公开处理持续时间以毫秒为单位的具体数值或关系。 | 对比文件未公开TD作为毫秒单位的处理持续时间在公式中的使用。因此，特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其中K等于0.38±0.03 mm^-1 mJ^-1 **《未公开》** | 对比文件未公开该数值。 | 对比文件未公开K的具体数值。因此，特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：其中TT等于40.4±4.8毫秒 **《未公开》** | 对比文件未公开该数值。 | 对比文件未公开热时间常数TT的具体数值。因此，特征U未被公开。 |
| **技术特征V**：其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个：J＝1±0.3，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时 **《未公开》** | 对比文件未公开该因子J及其数值。 | 对比文件未公开J的具体值及其与凝固发作的关联。因此，特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：或者J＝1.7±0.5，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时 **《未公开》** | 对比文件未公开该因子J及其数值。 | 对比文件未公开J的具体值及其与消融发作的关联。因此，特征W未被公开。 |
| **技术特征X**：其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个：IM，是所述RF处理信号的电流，单位为安培 **《直接公开》** | 对比文件[p0043]：“the control unit ... controls at least one parameter of the r.f. electrical treatment current ... may be ... the strength of the electric current to be applied”（控制单元……控制RF治疗电流的至少一个参数……可以是……待施加电流的强度）。 | 对比文件明确将电流强度（即电流IM）作为RF治疗电流的可控参数。因此，特征X被直接公开。 |
| **技术特征Y**：VM，是所述RF处理信号的电压，单位为伏特 **《直接公开》** | 对比文件[p0043]：“the control unit ... controls at least one parameter of the r.f. electrical treatment current ... may be ... the voltage”（控制单元……控制RF治疗电流的至少一个参数……可以是……电压）。 | 对比文件明确将电压作为RF治疗电流的可控参数。因此，特征Y被直接公开。 |
| **技术特征Z**：PM，是与所述RF处理信号相关联的功率，单位为瓦特 **《直接公开》** | 对比文件[p0056]：“The r.f. signal for treatment may be an AC waveform, with a frequency in the range 0.5-50MHz and a power in the range 1-400W”（治疗RF信号可以是AC波形，频率范围0.5-50MHz，功率范围1-400W）。对比文件[p0043]虽未直接列出功率，但功率作为RF信号的固有参数，在控制参数中隐含涉及。 | 对比文件公开了RF治疗信号的功率范围，且本领域技术人员知晓功率是RF处理的基本参数。因此，特征Z被直接公开。 |
### 输出代码
根据上述公开性判断，对比文件直接公开了以下技术特征：A、B、C、E、I、J、M、X、Y、Z；隐含公开了技术特征D。因此，在回答结尾插入对应代码。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<d>>><<<E>>><<<I>>><<<J>>><<<M>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>>