对比文件的名称：1997-11-26_EP0616376B_发明授权_EP0616376B1 Wafer bonding of light emitting diode layers
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek
以下为特征比对表格，对目标专利权利要求的技术特征A至Z逐一进行比对判断。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [0044]“选择衬底30，随后将多个LED层顺序生长在该衬底上。”[0045]“示例性的临时生长衬底30是GaAs衬底……然后将四个LED层32、34、36、38生长在生长衬底30上。” | 对比文件明确公开了在生长基板（临时生长衬底）上生长半导体结构（LED层），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [0047]“下限制层34是n型掺杂AlGaInP……有源层36……上限制层38是p型掺杂AlGaInP。” | 对比文件公开了双异质结LED结构，具有n型区（下限制层）、发光层（有源层）和p型区（上限制层），因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》 | [0050]“通过晶圆键合将导电、光学透明的衬底42键合到缓冲层32。” | 对比文件通过晶圆键合将半导体结构附着到第二衬底，而非通过导电互连。对比文件未教导或暗示使用导电互连进行附着，因此未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | [0064]“在图案化半导体晶圆126上蚀刻形成凹陷140。” 未提及底部填料。 | 对比文件仅在图案化键合中形成空腔（凹陷）用于控制电流，未教导在空腔中引入电绝缘底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 对比文件未涉及底部填料。 | 对比文件未公开底部填料及其提供刚性支撑的功能，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | [0016]“移除生长衬底的方法包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻和离子铣削。” | 对比文件仅列举非激光的移除方法，未提及激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》 | 对比文件未涉及底部填料。 | 对比文件未公开任何关于底部填料的内容，因此未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | [0064]提及在半导体晶圆上蚀刻形成凹陷，但未蚀刻p型区和有源区以暴露n型区。 | 对比文件的蚀刻用于图案化键合层以控制电流，并非用于暴露n型区，因此未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | [0051]“在上限制层38上形成电极44……在透明衬底42上形成第二电极46”；[0057]“可以在LED结构的最下层32上形成接触区”。 | 对比文件公开了在移除生长基板后暴露的n型区（缓冲层）上形成n接触，以及在p型上限制层上形成p接触，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》 | 对比文件未提及载体上的金属层通过互连连接。 | 对比文件未公开导电互连及相应的连接结构，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 对比文件未提及互连和距离。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 对比文件未提及底部填料。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | [0051]提及金锌合金和金锗合金用于电极，但未涉及互连。 | 对比文件未公开导电互连，因此未公开互连材料。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | [0050]公开晶圆键合，未提及超声焊接。 | 未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 对比文件未提及焊料互连。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》 | [0063]列出可接受材料包括GaN、AlN，但未明确III-氮化物LED结构；生长基板实例为GaAs，未提及蓝宝石。 | 对比文件未公开III-氮化物结构及蓝宝石生长基板，因此未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | [0016]列出移除方法不包括激光解离。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 对比文件未提及激光。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》 | [0016]“移除生长衬底的方法包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻和离子铣削。” | 对比文件明确公开了通过蚀刻（化学蚀刻、反应离子蚀刻）移除生长基板，因此技术特征Z被直接公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<L>>><<<Z>>>