**对比文件名称**：2004-05-31_JP3532953B_发明专利_JP3532953B2 Manufacturing method of a light-emitting diode
**目标专利名称**：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法 CN101194373B
**调用模型名称**：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 【0024】“第1工程は、複数個のＬＥＤ層をその上で順次成長させる第１基板として成長基板３０を選択することである。”<br>【0025】“一時的成長基板３０の例は厚さが２５０ないし５００μｍの範囲内のＧａＡｓ基板である。次に四つのＬＥＤ層３２，３４，３６及び３８が成長基板３０上で成長される。” | 对比文件明确公开了在临时生长基板（30）上外延生长LED层（32-38）形成半导体结构（40），该结构等同于目标专利中在生长基板上生长的半导体结构。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 【0026】“成長基板３０の真上のＬＥＤ層３２はｎ−ドーピングされた緩衝層である...ｎ−ドーピングされた下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層が成長される。”<br>【0027】“ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６...次にｐ−ドーピングされたＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となるＬＥＤ層３８”。 | 对比文件公开了n型层（缓冲层/下部密封层）、有源层（发光层）、p型层（上部密封层），发光层明确位于n型区和p型区之间，与特征B一致。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》 | 【0030】“ウェーハ・ボンディング技術を利用して取り付けた永久基板”。 | 对比文件采用晶圆键合技术将永久基板附着到LED结构，键合是直接层间接触，没有独立的导电互连结构，也未通过互连实现附着，因此未公开特征C。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件全程未提及底部填料，也未在半导体结构和载体之间形成空腔并填充绝缘材料。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料，无互连，因此无相应支撑作用。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 【0028】“成長基板の除去は、化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕を含むそれらの組み合わせの方法で達成できる。” | 对比文件公开的移除方法包括化学蚀刻、研磨、反应离子蚀刻、离子研磨，未提及激光解离。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料相关步骤。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料固化步骤。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料层形成。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料层开口。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | 【0021】“ウェーハ接合される少なくとも一つのウェーハ表面が、ウェーハの電気的及び／又は光学的特性が選択的に変化するようにパターン形成される。例えば、ＬＥＤの能動領域に所望の電流経路を形成するためにウェーハ・ボンディングに先立って選択された領域に窪みを形成してもよい。” | 对比文件虽提及在键合前图案化形成凹陷，但目的是改变电流路径，而非特意蚀刻掉p型区和有源区以暴露n型区。其LED结构保持完整，n型区通过移除临时基板暴露，而非选择性蚀刻。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 【0031】“電極４４が例えば蒸着によって上部密封層であるＬＥＤ層３８上に形成される。...第２電極４６は導電性、透光性基板４２上に形成される。” | 对比文件公开了在p型层（上部密封层）上直接形成电极（p接触），并在导电透光基板（与n型层接触）上形成电极（n接触），n型层在移除临时基板后暴露，因此实现了与n型区暴露部分和p型区的电气连接，与特征L实质相同。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无互连结构，电连接通过直接键合或界面金属化实现，不存在载体上的金属层经互连连接接触。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及互连及其位置关系，也未提及任何距离限制。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件无底部填料。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | 【0031】提到金合金（AuGe, AuZn）用于电极，但未涉及互连。 | 对比文件公开了金合金用于电极，但未公开互连结构，且特征T要求互连包括金，故不直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 【0055】“加熱中、一対のウェーハ８０が圧縮される。...圧縮力は石英管９２の熱膨張係数...と、第１と第２黒鉛部材８４及び８６の熱膨張係数...との差によって生ずる。” | 对比文件采用加热加压的晶圆键合实现附着，未提及超声焊接。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及焊料互连。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》 | 【0025】“一時的成長基板３０の例は厚さが２５０ないし５００μｍの範囲内のＧａＡｓ基板である。”其他部分涉及GaP、InGaP、AlGaInP等。 | 对比文件所有实施例均基于III-V族材料（GaAs、GaP、InGaP等），生长基板为GaAs等，未提及III-氮化物（如GaN）或蓝宝石。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 【0028】列出移除方法，无激光解离。 | 对比文件未公开激光解离移除方法。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及激光扫描。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》 | 【0028】“化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕を含むそれらの組み合わせの方法で達成できる。” | 对比文件明确公开了化学蚀刻和反应离子蚀刻作为移除生长基板的方法，落入特征Z的“蚀刻”范畴。 |
**公开性代码**：
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