对比文件：2004-03-11_US2004046242A_发明申请_US20040046242A1 Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
目标专利：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) – 直接公开** | [0093]“在使用氮化物半导体的情况下，优选使用蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、GaN等材料作为半导体衬底。……此外，可以在形成半导体层之后移除衬底。” | 对比文件明确记载了在蓝宝石等生长基板上形成氮化物半导体层，即公开了在生长基板上生长的半导体结构，且该结构用于后续器件制造。 |
| **技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 – 直接公开** | [0017]“该结构具有设置在N型氮化物半导体接触层和P型氮化物半导体接触层之间的氮化物半导体有源层。” | 对比文件直接描述了发光层（有源层）位于n型层和p型层之间，与目标专利特征一致。 |
| **技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) – 直接公开** | [0098]“在每个引线电极2上形成Au凸点，并且每个凸点6和每个引线电极2彼此相对放置。然后通过超声焊接将这些元件接合。” | 对比文件中的导电凸点（互连）将半导体发光元件附着到引线电极（载体），实现了电气和机械附着，公开了该特征。 |
| **技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) – 直接公开** | [0102]“可以在发光元件的正负电极与子安装座之间使用底部填料。底部填料也可以用于填充发光元件的正负电极与暴露在封装凹槽底部的引线电极2之间的间隙。” | 对比文件明确指出在半导体元件与载体（引线电极）之间的间隙中引入底部填料，且该填料为电绝缘性热固性树脂，直接公开了该特征。 |
| **技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 – 直接公开** | [0103]“底部填料的量足以填充发光元件的正负电极与子安装座之间出现的间隙。” | 底部填料填充间隙后，在固化后提供机械支撑，防止元件移动，本领域技术人员可直接理解为提供刚性支撑，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) – 未公开** | [0093]“此外，可以在形成半导体层之后移除衬底。” | 对比文件仅提及可以移除衬底，但未公开任何具体移除方法，更未提及激光解离，因此未公开该特征。 |
| **技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 – 隐含公开** | [0102][0103]提及底部填料填充间隙，但未明确填充时的物态。 | 本领域技术人员公知，底部填料通常以液态形式施加，然后通过固化形成固体。基于对比文件对底部填料使用的记载，可以合理推断出将液态填料材料置于载体和半导体结构之间，因此隐含公开。 |
| **技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 – 隐含公开** | [0103]“热固性树脂如环氧树脂可用作底部填料的材料。” | 热固性树脂需要固化才能发挥支撑作用。对比文件虽未明确固化步骤，但本领域技术人员必然知道液态底部填料需经固化才能形成刚性支撑，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 – 未公开** | 全文未发现相关内容。 | 对比文件仅在元件附着后填充底部填料，未提及在附着前预先形成刚性填料层，因此未公开。 |
| **技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 – 未公开** | 全文未发现相关内容。 | 对比文件未公开在预先形成的填料层中开设开口，因此未公开。 |
| **技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 – 直接公开** | [0086]“通过蚀刻去除部分半导体层，以暴露N型接触层。” 实施例部分具体描述了蚀刻步骤。 | 对比文件在半导体晶圆上通过蚀刻暴露N型层，随后切割成芯片再附着到载体，该蚀刻步骤发生在附着前，直接公开了该特征。 |
| **技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 – 直接公开** | [0088]“同时形成P侧焊盘电极21和N侧焊盘电极22。” | 对比文件明确在暴露的N型区和P型区上形成电极接触，直接公开了该特征。 |
| **技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 – 直接公开** | [0098]及[0104]：凸点或焊线连接半导体元件电极与引线框（载体上的金属层）。 | 对比文件中的导电互连（凸点/焊线）将半导体元件的电极连接到载体上的金属层（引线电极），直接公开。 |
| **技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 – 未公开** | 全文未发现相关距离参数。 | 对比文件未记载任何关于半导体结构顶部表面与载体顶部表面距离的具体数值或范围，因此未公开。 |
| **技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 – 直接公开** | [0103]“热固性树脂如环氧树脂可用作底部填料的材料。” | 环氧树脂属于有机材料，对比文件直接公开了底部填料包含有机材料。 |
| **技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 – 直接公开** | [0103]“可以将氮化铝、氧化铝及其复合混合物混合到环氧树脂中。” | 对比文件明确将无机颗粒（AlN、Al2O3）混入底部填料中，因此底部填料包括无机材料，直接公开。 |
| **技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 – 直接公开** | [0103]“热固性树脂如环氧树脂可用作底部填料的材料。” | 直接列举环氧树脂，直接公开。 |
| **技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 – 未公开** | 全文未发现底部填料使用硅树脂的记载。 | 对比文件仅在密封材料中提到硅树脂，底部填料部分未提及硅树脂，因此未公开。 |
| **技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 – 未公开** | 全文未发现相关记载。 | 对比文件未公开以硅树脂为基体并含有无机颗粒的底部填料组合，因此未公开。 |
| **技术特征T：其中该至少一个互连包括金 – 直接公开** | [0098]“Au凸点”。 | 直接公开互连包含金。 |
| **技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 – 直接公开** | [0098]“通过超声焊接将这些元件接合。” | 直接公开超声焊接方法。 |
| **技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 – 直接公开** | [0104]“共晶焊料（Au&null;Sn, Pb&null;Sn）、无铅焊料等。” | 直接公开互连包含焊料。 |
| **技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 – 直接公开** | [0093]“氮化物半导体”和“蓝宝石衬底”。 | 直接公开半导体结构为III-氮化物，生长基板为蓝宝石。 |
| **技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 – 未公开** | [0093]仅提及可以移除衬底，未提具体方法。 | 对比文件未公开激光解离，因此未公开。 |
| **技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 – 未公开** | 全文未发现相关记载。 | 对比文件未公开任何激光移除步骤，因此未公开。 |
| **技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 – 未公开** | [0093]仅提及可以移除衬底，未指定方法。 | 对比文件未公开蚀刻移除基板，仅笼统提及移除可能性，因此未公开。 |
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