对比文件的名称：2004-03-22_JP3509809B_发明专利_JP3509809B2 The sub-mount and the semiconductor device
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) **《未公开》** | 无相关记载。对比文件涉及子安装座和半导体装置，提及半导体发光元件（激光二极管）及其材料，但未提及生长基板。 | 对比文件未公开任何关于在生长基板上生长半导体结构的内容，也未提及生长基板。目标专利特征A涉及提供在生长基板上生长的半导体结构，与对比文件无关。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 **《隐含公开》** | 【0031】“本发明的半导体发光元件的材料，例如GaAs、InP等化合物半导体。发光部可以在上面或下面。” | 对比文件提及“发光部”，本领域技术人员已知激光二极管具有有源层（发光层）位于p型和n型层之间。虽然未明确说明，但对比文件涉及激光二极管，其结构必然包含发光层，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) **《直接公开》** | 【0049】“将激光二极管2接合…通过加热熔化焊料层8…”；【0020】“激光二极管和子安装座通过焊料层连接。” | 对比文件明确通过焊料层（导电互连）将激光二极管（半导体结构）附着到子安装座（载体），焊料层是导电互连，直接公开了该特征。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何底部填料或空腔填充。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开底部填料及其支撑作用。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未涉及激光解离或生长基板移除。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开底部填料引入方式。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开固化步骤。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开预形成底部填料层。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开开口形成。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未涉及蚀刻暴露n型区。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 **《隐含公开》** | 【0032】“激光二极管的表面形成有硅氧化膜等绝缘层和电极层等金属化层。” | 对比文件提到激光二极管表面有电极层（金属化层），本领域技术人员已知激光二极管具有n接触和p接触，虽然未明确形成过程，但隐含公开了存在n和p接触。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 **《直接公开》** | 【0020】“激光二极管和子安装座通过焊料层连接。”；【0019】“在Au膜上形成焊料密着层和焊料层。” | 对比文件中焊料层（互连）连接激光二极管（电极）到子安装座上的Au膜（载体上形成的金属层），直接公开了互连连接载体金属层到接触。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开互连耦合到底部表面，也未提及距离。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开底部填料材料。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开底部填料材料。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开环氧树脂。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开硅树脂。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开该组合。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 **《直接公开》** | 【0028】“焊料层材料…金锡系焊料…” | 对比文件公开焊料层包含金，至少一个互连（焊料层）包括金，直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件通过加热熔化焊料接合，未涉及超声焊接。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 **《直接公开》** | 【0019】“焊料层作为银锡系焊料”；【0028】“焊料层材料包括银锡、金锡、金锗、铟锡系焊料等。” | 对比文件明确互连是焊料层，直接公开互连包括焊料。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件半导体发光元件为GaAs、InP等，非III-氮化物，未提及蓝宝石基板。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 **《未公开》** | 无相关记载。 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 **《未公开》** | 无相关记载。 | 未公开激光扫描。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 **《未公开》** | 无相关记载。 | 未公开蚀刻移除。 |
<<<C>>><<<M>>><<<T>>><<<V>>><<<b>>><<<l>>>