对比文件的名称：2002-11-21_US2002171087A_发明申请_US20020171087A1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：未指定
特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [0044] “该器件包括III-氮化物外延异质结构……可选地附着到透明超衬底10。超衬底可以是用于沉积III-氮化物层的生长衬底。” | 对比文件明确公开了在生长基板（超衬底）上生长半导体结构，且该超衬底即生长基板，因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [0044] “n型和未掺杂层以及p型层12，每一个都与有源区13接触。” | 对比文件公开了半导体结构包括n型层、p型层以及位于它们之间的有源区（发光层），因此特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | [0044] “电极金属化层通过互连60连接到承载衬底50上的承载电极52。” | 对比文件公开了通过互连（导电互连）将LED管芯（半导体结构）附着到承载衬底（载体），因此特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《直接公开》 | [0067] “在可选步骤102中，在LED管芯和承载衬底之间分配底部填料。” | 对比文件公开了在LED管芯和承载衬底之间引入底部填料，该底部填料为电绝缘材料，因此特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | [0067] 步骤102分配底部填料；[0045] “LED和承载衬底之间的任何底部填料材料的导热率非常低”。 | 对比文件虽然未明确提及刚性支撑，但本领域技术人员公知，底部填料填充间隙后能够提供机械支撑，增加结构刚性，因此特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件始终保留生长基板作为超衬底，未提及移除生长基板，更未提及激光解离，因此特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 《隐含公开》 | [0067] “在LED管芯和承载衬底之间分配底部填料。” | 对比文件中的“分配底部填料”通常指分配液态材料，本领域技术人员可以合理推断底部填料以液态形式引入，因此特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑。 《隐含公开》 | [0067] “分配底部填料”后，本领域技术人员知晓底部填料需要固化。 | 对比文件未明确记载固化步骤，但分配液态底部填料后必然需要固化以实现其功能，这是本领域的公知常识，因此特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件中的底部填料是在附着之后分配的，而非在附着之前形成刚性层，因此特征I未被公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开在底部填料层中形成开口，因此特征J未被公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《隐含公开》 | [0066] 步骤92 “接触被施加到III-氮化物异质结构，如果需要则蚀刻”；图6a显示n电极指状交错。 | 对比文件公开了蚀刻步骤（可选），且从图6a的n电极指状交错结构可以合理推断出需要蚀刻掉部分p型区和有源区以暴露n型区，因此特征K被隐含公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触。 《直接公开》 | [0044] “n电极22和p电极20”。 | 对比文件明确公开了n接触（n电极）和p接触（p电极），因此特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个。 《直接公开》 | [0044] “电极金属化层通过互连60连接到承载衬底50上的承载电极52。” | 对比文件公开了互连将LED电极（n或p接触）连接到承载衬底上的金属层（承载电极），因此特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及互连耦合到半导体结构底部表面，也未提及任何距离数值，因此特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料。 《隐含公开》 | [0067] “底部填料”。 | 对比文件未指定底部填料材料，但本领域公知底部填料通常采用有机材料（如环氧树脂），因此特征O被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及底部填料包括无机材料，因此特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂。 《隐含公开》 | [0067] “底部填料”。 | 环氧树脂是底部填料中最常见的有机材料之一，本领域技术人员可以合理推断底部填料包括环氧树脂，因此特征Q被隐含公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及硅树脂，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及硅树脂或无机材料颗粒，因此特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《隐含公开》 | [0044] “互连可以由元素金属、金属合金、……焊料等构成。” | 金是常见的元素金属，本领域技术人员可以合理推断互连可能包括金，因此特征T被隐含公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件仅提及焊料回流，未提及超声焊接，因此特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料。 《直接公开》 | [0044] “尽管图示实施例指的是焊料，互连可以由……焊料构成。” | 对比文件明确公开了互连包括焊料，因此特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | [0044] “透明超衬底10”；全文涉及III-氮化物材料。[0003]提到蓝宝石作为生长衬底。 | 对比文件明确涉及III-氮化物器件，且其生长基板/超衬底可以是蓝宝石，因此特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及移除生长基板，更未提及激光解离，因此特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及激光解离，因此特征Y未被公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除。 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及移除生长基板，因此特征Z未被公开。 |
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