对比文件名称：2004-08-19_US2004160173A_发明申请_US20040160173A1 High-powered light emitting device with improved thermal properties
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) **《直接公开》** | [0015] “芯片45最初是通过在基板上外延沉积半导体材料制造的…” [0016] “基板14，例如蓝宝石、SiC、GaP或GaAs…在基板14上沉积有第一半导体区18、有源区21和第二半导体区25。” | 对比文件明确公开了在基板（如蓝宝石）上通过外延生长形成半导体结构，相当于提供了在生长基板上生长的半导体结构，因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 **《直接公开》** | [0016] “在基板14上沉积有第一半导体区18、有源区21和第二半导体区25。” 其中第一半导体区18为n型，第二半导体区25为p型，有源区21位于二者之间。 | 对比文件明确公开了半导体结构包括n型层、有源层和p型层，有源层作为发光层位于n型区和p型区之间，因此特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) **《直接公开》** | [0021] “芯片45通过焊料球58-1-i和焊料球58-2与载体62电连接和物理连接。” | 对比文件公开了通过焊料球（导电互连）将半导体芯片（die）连接到载体（submount），因此特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) **《直接公开》** | [0039] “图5示出了本发明的一个实施例，该实施例用高导热性的底部填料填充芯片45和载体62之间的未填充区域。” “底部填料98可以引入到焊料球58-1-i和58-2或焊料条周围的未填充空间中。” | 对比文件公开了在半导体芯片和载体之间的空隙中引入底部填料，该填料具有高导热性且电绝缘，因此特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 **《隐含公开》** | [0039] “底部填料98可以引入到焊料球58-1-i和58-2或焊料条周围的未填充空间中。” “该实施例的另一个优点是底部填料98防止不需要的污染物进入倒装芯片的未填充空间。” | 对比文件虽未明确提及“刚性支撑”，但底部填料填充间隙后，本领域技术人员可以合理推断其提供了机械稳定性和支撑，从而起到刚性支撑作用，因此特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) **《未公开》** | 对比文件全文未提及移除生长基板，更未提及激光解离。 | 对比文件描述的是倒装芯片结构，其中生长基板（如蓝宝石）保留作为出光面，因此未公开移除生长基板的步骤，更未公开激光解离方法。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 **《隐含公开》** | [0039] “底部填料材料可以是例如凝胶或任何其他可塑材料，如膏体、泡沫或合适导热体的粉末。” | 对比文件描述底部填料为凝胶、膏体等可塑材料，本领域技术人员知道这些材料通常以液态或可流动状态引入，然后固化，因此可以合理推断引入时采用液态形式，特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 **《隐含公开》** | [0039] 同上，未明确提及固化步骤，但凝胶、膏体等材料通常需要固化形成最终形态。 | 本领域技术人员知道，引入液态底部填料后需要固化才能形成固态支撑结构，对比文件未否认固化步骤，因此可以合理推断固化步骤的存在，特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 **《未公开》** | 对比文件全文未提及在附着前预先形成刚性底部填料层。 | 对比文件描述的是在芯片和载体之间的空隙中引入底部填料，而非在附着前在某一部件上形成预成型层，因此特征I未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 **《未公开》** | 对比文件全文未提及在预成型底部填料层中形成开口。 | 对比文件没有公开任何关于预成型底部填料层并开孔的内容，因此特征J未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 **《直接公开》** | [0019] “通过蚀刻去掉第一接触29、第二半导体层25和有源区21的一部分来形成第二接触37。然后直接在清除后的第一半导体区18的部分上形成第二接触37。” | 对比文件公开了通过蚀刻去除p型层（第二半导体层25）和有源区（21）的一部分以暴露n型区（第一半导体区18），且该蚀刻发生在形成第二接触之前，即附着到载体之前，因此特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 **《直接公开》** | [0019] 形成第二接触37（n接触）于暴露的n型区上；[0018] 形成第一接触29（p接触）于p型区上。 | 对比文件明确公开了形成n接触（第二接触37）和p接触（第一接触29），因此特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 **《直接公开》** | [0021] “焊料球58-2通过可焊层31提供与第二接触37的电连接，焊料球58-1-i通过可焊层30提供与第一接触29的电连接。” [0020] 载体上形成有焊盘（bonding pads 74）。 | 对比文件公开了通过焊料球将载体上的焊盘（金属层）连接到n接触或p接触，因此特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 **《未公开》** | 对比文件全文未提及半导体结构顶部表面与载体顶部表面的距离小于50微米。 | 对比文件没有公开这一距离参数，因此特征N未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 **《隐含公开》** | [0039] “底部填料材料可以是例如凝胶或任何其他可塑材料，如膏体、泡沫或合适导热体的粉末。” 其中“凝胶”通常为有机凝胶。 | 对比文件所列的底部填料例子包括凝胶，本领域技术人员已知凝胶通常为有机材料，因此可以合理推断底部填料包括有机材料，特征O被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 **《直接公开》** | [0039] “适用于此目的的材料包括金刚石粉、氮化硼、TiO2膏体和某些凝胶。” 其中金刚石粉、氮化硼、TiO2均为无机材料。 | 对比文件明确列举了无机材料作为底部填料的成分，因此特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 **《未公开》** | 对比文件全文未提及环氧树脂。 | 对比文件没有公开环氧树脂作为底部填料材料，因此特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 **《未公开》** | 对比文件全文未提及硅树脂。 | 对比文件没有公开硅树脂，因此特征R未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 **《未公开》** | 对比文件全文未提及硅树脂与无机材料颗粒的组合。 | 对比文件没有公开硅树脂，也没有公开在硅树脂中置入无机材料颗粒，因此特征S未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 **《未公开》** | 对比文件全文未提及互连材料为金。 | 对比文件公开的互连材料为焊料（如PbSn合金），未提及金，因此特征T未公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 **《未公开》** | 对比文件全文未提及超声焊接。 | 对比文件公开的附着方式为焊料回流焊接，未公开超声焊接，因此特征U未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 **《直接公开》** | [0021] “焊料球58-1-i和焊料球58-2”以及“焊料球58-1-i和58-2的材料合适选择例如为PbSn合金。” | 对比文件明确公开了互连包含焊料，因此特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 **《直接公开》** | [0015] “图1示出了根据本发明实施例的III-氮化物倒装芯片发光器件。” [0016] “基板14，例如蓝宝石、SiC、GaP或GaAs。” | 对比文件公开了III-氮化物半导体结构，且基板可为蓝宝石，因此特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 **《未公开》** | 同特征F，对比文件未提及移除基板。 | 对比文件未公开任何移除基板的步骤，包括激光解离。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 **《未公开》** | 同特征X，对比文件未提及激光解离。 | 对比文件未公开激光扫描基板表面。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 **《未公开》** | 对比文件全文未提及移除生长基板。 | 对比文件没有公开通过蚀刻移除生长基板。 |
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