对比文件：JP2018103392A_Description_20260618_1857
目标专利：1494用于显示装置或柔性显示装置的基底以及使用其的显示装置或柔性显示装置CN115884949B
调用模型：GPT-4
以下是根据目标专利权利要求划分的各技术特征，与对比文件进行比对的特征比对表格。表格中，第一栏记载技术特征描述及公开性判断（《直接公开》《隐含公开》或未标注），第二栏为对比文件原文引用（已翻译为中文并注明出处），第三栏为公开性论述。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层（未公开） | 对比文件全文未记载Td 1％数值；在“＜ＰＩ系フィルムの物性＞（イエローインデックス値（ＹＩ値））”部分记载：“膜厚５０μｍ時のイエローインデックス値（ＹＩ値）が、５以下であることが好ましい”（即黄度指数≤5） | 对比文件公开的PI系薄膜为高度透明型，其黄度指数≤5（50μm），远小于25~60的范围；且未提及Td 1％≥570℃的耐热性指标。因此技术特征A未被公开。 |
| 技术特征B：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层（《直接公开》） | 同上，在“＜ＰＩ系フィルムの物性＞（イエローインデックス値（ＹＩ値））”部分记载：“膜厚５０μｍ時のイエローインデックス値（ＹＩ値）が、５以下であることが好ましい” | 对比文件明确公开PI系薄膜的YI≤5（50μm），该值必然小于25；且本领域技术人员知晓厚度减薄时YI进一步减小，10μm时YI更远小于25。故技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：第一无机材料层（《直接公开》） | 在“＜金属元素含有ＳｉＯ層＞”部分记载：“少なくともＳｉとＯを含み構成される層（金属元素含有ＳｉＯ層）”（即至少包含Si和O的层） | 对比文件公开了由Si和O等无机元素组成的层，属于无机材料层，直接对应于目标专利中的第一无机材料层。故技术特征C直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间（未公开） | 对比文件全文仅描述在一个PI膜表面（或两面）形成SiO层，未提及两个PI层夹持一个无机层的结构 | 对比文件只有单一PI基材，无机层直接形成在该PI表面，不存在位于两个不同PI层之间的中间层。因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：具有100nm或更大且700nm或更小的厚度（《直接公开》） | 实施例3记载SiO层厚度600nm；实施例5记载500nm；实施例6、7、8记载100nm。均在“金属元素含有ＳｉＯ層の膜厚”中说明 | 对比文件多个实施例中SiO层厚度为100nm、500nm、600nm，均落在100~700nm范围内，故技术特征E直接公开。 |
| 技术特征F：和第二无机材料层（《隐含公开》） | 在“＜透明ポリイミド（ＰＩ）フィルム積層体＞”部分记载：“本発明の透明ＰＩフィルム積層体は、基材のＰＩ系フィルムの一方の面に金属元素含有ＳｉＯ層が形成される形態、および基材のＰＩ系フィルムの両面に金属元素含有ＳｉＯ層が形成される形態双方を包含する。”（即包含在PI膜两面均形成SiO层的形态） | 对比文件明确包含在PI膜两面都形成无机层的实施方式，即存在两个无机材料层，从而隐含公开了“第二无机材料层”的存在。故技术特征F隐含公开。 |
| 技术特征G：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上（未公开） | 对比文件没有第二聚酰亚胺树脂层，仅有一层PI膜 | 对比文件中仅有一层PI基材，不存在第二聚酰亚胺树脂层，因此无法实现“形成在第二PI层上”的结构。技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：具有100nm或更大且500nm或更小的厚度（《直接公开》） | 实施例5记载SiO层厚度500nm；实施例6、7、8记载100nm；均在“金属元素含有ＳｉＯ層の膜厚”中说明 | 对比文件实施例中SiO层厚度100nm、500nm，落入100~500nm范围，故技术特征H直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的（未公开） | 对比文件在“イエローインデックス値（ＹＩ値）”部分明确记载基于膜厚50μm的测量及换算方法，未提及10μm的测量基准 | 对比文件公开的YI值是基于50μm厚度测定或换算的，不存在关于10±1μm厚度测量的技术内容。技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中，所述Td 1％为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1％时的温度：（未公开） | 对比文件全文未记载Td 1％的测量方法或数值 | 对比文件未涉及任何热重分析测量Td 1％的内容，故技术特征J~N均未被公开。 |
| 技术特征K：在50℃下保持等温5分钟（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征L：并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征M：在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征N：在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1％时的温度（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征O：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小（《隐含公开》） | 对比文件PI系薄膜YI≤5（50μm），且无机层无色透明；整体层压体透明性极好 | 由于PI膜本身YI≤5，无机层几乎不影响黄度，整个层压体的YI必然远小于36。本领域技术人员可合理推断整体YI≤36。故技术特征O隐含公开。 |
| 技术特征P：其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底，（未公开） | 对比文件未记载任何关于430℃热处理的条件及黄度指数变化 | 对比文件未公开技术特征P~S所限定的热处理步骤及其后的黄度指数数值，故未公开。 |
| 技术特征Q：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征R：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征S：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征T：其中：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 对比文件未记载类似内容 | 技术特征T~V未公开。 |
| 技术特征U：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征V：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征W：其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数（未公开） | 对比文件未记载任何关于黄度指数变化百分比的条件 | 技术特征W~Z未公开。 |
| 技术特征X：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征Y：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征Z：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130％或更小（未公开） | 同上 | 同上 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征B、C、E、H，隐含公开了技术特征F、O。其他技术特征未被公开。
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