对比文件名称：2006-11-02_JP2006302734A_发明专利_JP2006302734A Secondary battery
目标专利名称：1500圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
本次调用的模型名称：DeepSeek（通用AI对话模型）
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（含段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一绝缘层（直接公开） | 段落[2]：“極板群３の上下両端に当接して上部絶縁板４ａと下部絶縁板４ｂが配置され”<br>（翻译：极板群3的上下两端接触配置有上部绝缘板4a和下部绝缘板4b） | 对比文件明确公开了“上部絶縁板４ａ”作为绝缘板，其材料绝缘，安装在极板群上端，与目标专利的第一绝缘层结构、功能相同，本领域技术人员能毫无疑义地确定该技术特征被公开。 |
| 技术特征B：所述第一绝缘层安装在所述电极组件的上端部处（直接公开） | 段落[2]：“極板群３の上下両端に当接して上部絶縁板４ａと下部絶縁板４ｂが配置され”<br>（翻译：极板群3的上下两端接触配置有上部绝缘板4a和下部绝缘板4b） | 对比文件明示上部绝缘板4a配置在极板群3的上端部（“上端”），与目标专利中第一绝缘层安装在电极组件上端部的位置完全一致，直接公开。 |
| 技术特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔（直接公开） | 段落[2]：“正極リード７は、極板群３の上端の半径方向中間部から上方に延出され、上部絶縁板４ａを貫通して突出しており”<br>（翻译：正极引线7从极板群3上端的半径方向中间部向上延伸，穿过上部绝缘板4a而突出） | 对比文件记载正极引线7（相当于电极接片）穿过上部绝缘板4a，即该绝缘板上必然具有供其穿过的通孔，并且仅有一个正极引线，故该通孔即为一个第一通孔，直接公开。 |
| 技术特征D：和第二绝缘层（未公开） | 对比文件未记载第二绝缘层。 | 对比文件仅在极板群上端设置有上部绝缘板4a，未公开安装在其上方的另一绝缘层。说明书中虽提及“絶縁ガスケット10”等，但该垫圈位于封口板与电池壳之间，并非安装在第一绝缘层上端，也未构成独立的第二绝缘层。本领域技术人员无法从对比文件内容推理出该特征。 |
| 技术特征E：所述第二绝缘层安装在所述第一绝缘层的上端处（未公开） | 对比文件未记载该安装关系。 | 无第二绝缘层，故无法安装在其上端。对比文件中上部绝缘板4a上方直接为组装封口板的金属部件，没有绝缘层，未公开。 |
| 技术特征F：具有与所述电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔（未公开） | 对比文件未记载第二绝缘层上的第二通孔。虽然过滤器12中央有通孔13c，但其为金属部件上的孔且用于排气，不是绝缘层上的通孔。 | 对比文件没有第二绝缘层，因此不存在形成于第二绝缘层上且与中心位置对应的第二通孔。过滤器上的中心通孔13c材料、功能均不同，不能视为本技术特征。未公开。 |
| 技术特征G：其中穿过所述第一通孔的所述一个电极接片被弯折（直接公开） | 段落[2]：“図３に示すように、何れの通気孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃも塞がない折り返し状態で収容されている”<br>（翻译：如图3所示，以不堵塞任何一个通气孔13a、13b、13c的折叠状态被容纳） | 对比文件明确记载正极引线7穿过上部绝缘板后被弯折（折り返し状態），该弯折发生在穿过第一通孔之后，与目标专利中电极接片穿过第一通孔后被弯折的结构相同。虽然弯折目的略有差异，但本领域技术人员能毫无疑义地认定存在弯折这一技术特征，直接公开。 |
| 技术特征H：以便穿过所述第二通孔（未公开） | 对比文件未记载弯折后的接片穿过第二通孔。正极引线弯折后是焊接在过滤器通孔13c的下方，并未穿过第二绝缘层上的通孔。 | 对比文件没有第二绝缘层及第二通孔，弯折后的接片是连接至金属过滤器，而非穿过另一个绝缘层上的通孔。目标专利中穿过第二通孔是实现接片对中的关键步骤，对比文件缺乏该特征，未公开。 |
| 技术特征I：其中穿过所述第二通孔的所述一个电极接片具有垂直于所述第二绝缘层设置并且从所述电极组件的中心伸出的形状（未公开） | 对比文件未记载该形状。正极引线最终位于通气孔之间，其走向并非严格垂直于某个第二绝缘层，也未从极板群中心伸出（从半径中间部伸出）。 | 无第二绝缘层，无法形成垂直于第二绝缘层的设置；且极板群中心位置并无正极引线伸出。对比文件未公开该形状特征。 |
| 技术特征J：其中所述第一通孔形成在所述第一绝缘层的中心之外的位置处（直接公开） | 段落[2]：“正極リード７は、極板群３の上端の半径方向中間部から上方に延出され”<br>（翻译：正极引线7从极板群3上端的半径方向中间部向上延伸） | 对比文件的正极引线从“半径方向中間部”延伸，即非中心位置，由此可确定第一通孔位于第一绝缘层（上部绝缘板4a）的中心之外，直接公开。 |
| 技术特征K：所述第一通孔和所述第二通孔彼此不重叠（未公开） | 对比文件未记载第二通孔，无法比较。 | 对比文件不存在第二通孔，故无法判断是否与第一通孔重叠，也未给出任何启示。未公开。 |
| 技术特征L：其中所述一个电极接片在卷绕之前位于所述电极组件的中心；并且中所述第一绝缘层仅具有一个通孔（未公开） | 对于“第一绝缘层仅具有一个通孔”，可依据“正極リード７は…上部絶縁板４ａを貫通して突出”合理推断；但“电极接片在卷绕之前位于电极组件的中心”不成立。 | 对比文件明确记载正极引线从“半径方向中間部”延伸，并非位于极板群中心；且卷绕前接片位置同此，故不满足“位于中心”。尽管第一绝缘层仅有一个通孔部分被公开，但整体特征因前半部分未公开而不构成直接或隐含公开（无法合理推断出接片位于中心）。 |
| 技术特征M：即所述第一通孔（直接公开） | 同特征C引用：“正極リード７は…上部絶縁板４ａを貫通して突出しており” | 该特征仅指代第一通孔本身，对比文件已明确公开该通孔（见特征C论述），直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述第一通孔和所述第二通孔分别具有直通孔结构（未公开） | 对于第一通孔，从“貫通”可推断为直通孔；但对比文件未设置第二通孔。 | 虽然第一通孔可推断为直通孔结构，但第二通孔不存在，故“分别具有直通孔结构”的整体条件不满足。对比文件未公开第二绝缘层及第二通孔，无法形成该特征，未公开。 |
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、J、M；未直接公开或隐含公开其他技术特征。
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