对比文件名称：2007-10-02_KR1020070096650A_发明公开_KR1020070096650A 원통형 리튬 이차전지용 전극조립체 및 이를 이용한 원통형리튬 이차전지 및 그 제조방법
目标专利名称：1500圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：第一绝缘层**<br>《直接公开》 | 对比文件[36]：“전극조립체(205)의 상단부와 하단부에는 상부 절연판(234)과 하부 절연판(232)이 위치하며” （电极组件(205)的上端部和下端部分别设置有上绝缘板(234)和下绝缘板(232)）。<br>[41]：“상기 상부 절연판(234)은 전극조립체(205)와 캡조립체(280) 사이에 위치하여 쇼트를 방지하며” （所述上绝缘板(234)位于电极组件(205)和盖组件(280)之间以防止短路）。 | 对比文件明确公开了“上绝缘板（상부 절연판）”，该部件相当于目标专利的第一绝缘层。该绝缘板由绝缘材料形成，位于电极组件上端部，其功能是防止电极组件与盖组件之间的短路，与目标专利中第一绝缘层的作用实质相同。因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：所述第一绝缘层安装在所述电极组件的上端部处**<br>《直接公开》 | 对比文件[41]：“상기 상부 절연판(234)은 전극조립체(205)와 캡조립체(280) 사이에 위치하여” （所述上绝缘板(234)位于电极组件(205)和盖组件(280)之间）。<br>结合[36]：“전극조립체(205)의 상단부와 하단부에는 상부 절연판(234)과 하부 절연판(232)이 위치하며” （电极组件(205)的上端部和下端部分别设置有上绝缘板(234)和下绝缘板(232)）。 | 对比文件直接指出上绝缘板（相当于第一绝缘层）安装在电极组件的上端部（电极组件与盖组件之间），位置关系与目标专利完全相同。因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔**<br>《未公开》 | 对比文件[41]：“상기 상부 절연판(234)과 하부 절연판(232)에는 복수개의 홀(235)이 형성될 수 있다. 상기 홀(235)은 전해액 주입시 전해액이 전극조립체(205)로 스며들 수 있는 통로로 작용할 수 있다.” （所述上绝缘板(234)和下绝缘板(232)上可形成有多个孔(235)。所述孔(235)可用作电解液注入时电解液浸入电极组件(205)的通道）。<br>对比文件全文未提及电极接片穿过绝缘板上的孔。 | 对比文件中的上绝缘板虽然设有多个孔，但这些孔的功能明确是用于电解液浸渍，并非专门供电极接片穿过。对比文件未描述电极接片与这些孔的配合关系，也未提及存在仅用于接片穿过的单个通孔。本领域技术人员从对比文件内容不能直接且毫无疑义地得出上绝缘板具有一个专供电极接片穿过的通孔。因此技术特征C未被直接公开，也不满足隐含公开条件（无任何线索提示接片需穿过该孔）。 |
| **技术特征D：和第二绝缘层**<br>《未公开》 | 对比文件[36]：“전극조립체(205)의 상단부와 하단부에는 상부 절연판(234)과 하부 절연판(232)이 위치하며” （电极组件(205)的上端部和下端部分别设置有上绝缘板(234)和下绝缘板(232)）。<br>对比文件全文仅公开了上绝缘板和下绝缘板，二者分别位于电极组件的上端和下端。 | 目标专利的第二绝缘层是安装在第一绝缘层的上端处，与第一绝缘层上下堆叠。对比文件中的下绝缘板安装在电极组件下端，上绝缘板安装在电极组件上端，二者不是堆叠关系，且位置相反。对比文件未公开任何安装在上绝缘板上端的第二绝缘层。因此技术特征D未被直接公开，也无法隐含公开。 |
| **技术特征E：所述第二绝缘层安装在所述第一绝缘层的上端处**<br>《未公开》 | 对比文件[36]：[同上]<br>对比文件[41]：[同上] | 对比文件未描述任何绝缘层安装在另一绝缘层上端。绝缘板仅直接安装在电极组件端部，无堆叠结构。因此技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：具有与所述电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔**<br>《未公开》 | 对比文件[41]：“상기 상부 절연판(234)과 하부 절연판(232)에는 복수개의 홀(235)이 형성될 수 있다.” （所述上绝缘板(234)和下绝缘板(232)上可形成有多个孔(235)）。<br>对比文件未提及孔的位置与电极组件中心对应。 | 对比文件中不存在第二绝缘层，也无“第二通孔”的概念。上绝缘板上的多个孔并非与电极组件中心对应，且其功能与目标专利的第二通孔不同。因此技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：其中穿过所述第一通孔的所述一个电极接片被弯折**<br>《未公开》 | 对比文件全文未描述电极接片弯折。 | 对比文件仅提及电极接片从电极组件伸出并焊接到安全阀或罐底，未涉及任何弯折操作，更无穿过第一通孔后再弯折的描述。因此技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：以便穿过所述第二通孔**<br>《未公开》 | 对比文件未描述第二通孔。 | 由于对比文件无第二绝缘层及第二通孔，且无接片弯折后穿过另一通孔的过程，因此技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其中穿过所述第二通孔的所述一个电极接片具有垂直于所述第二绝缘层设置并且从所述电极组件的中心伸出的形状**<br>《未公开》 | 对比文件未描述接片垂直于绝缘层设置或从中心伸出。 | 对比文件中接片从电极组件伸出后直接焊接，其延伸方向未特别限定，也无垂直于第二绝缘层（不存在）的形状要求。因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其中所述第一通孔形成在所述第一绝缘层的中心之外的位置处**<br>《未公开》 | 对比文件[41]仅提到上绝缘板有多个孔，但未具体说明孔相对于绝缘板中心的位置。 | 对比文件未公开第一通孔（或上绝缘板的孔）是否形成在中心之外。无法直接或隐含得出该位置关系。因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：所述第一通孔和所述第二通孔彼此不重叠**<br>《未公开》 | 对比文件不存在第二通孔，也无第一通孔与第二通孔位置关系的描述。 | 由于缺乏第二通孔的公开，该特征不成立。因此技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其中所述一个电极接片在卷绕之前位于所述电极组件的中心；并且中所述第一绝缘层仅具有一个通孔**<br>《未公开》 | 对比文件[18]提到电极接片从电极组件伸出，但未指出在卷绕前位于中心（相反常规技术中常位于外侧）。<br>对比文件[41]明确上绝缘板具有多个孔，不是仅一个通孔。 | 对比文件未公开电极接片在卷绕前位于电极组件的中心，也未公开第一绝缘层仅具有一个通孔（实际上公开了多个孔）。因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：即所述第一通孔**<br>《未公开》 | 同特征C。 | 该特征是对第一通孔的重复限定，由于特征C未被公开，特征M也未被公开。 |
| **技术特征N：其中所述第一通孔和所述第二通孔分别具有直通孔结构**<br>《未公开》 | 对比文件未描述孔的结构（直通与否），且无第二通孔。 | 对比文件未公开第一通孔和第二通孔的结构特征，尤其不存在第二通孔。因此技术特征N未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>>