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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
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2014-05-08_WO2014068318A_发明申请_WO2014068318A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++j+++.docx
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2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_d_e_h_i_j_l_r+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-10-12_KR1020170113250A_发明公开_KR1020170113250A 도전재 분산액 및 이를 이용하여 제조한 이차전지_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_a_b_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s+++.docx
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2019-01-31_US2019036186A_发明申请_US20190036186A1 POSITIVE ELECTRODE FOR METAL-AIR BATTERY, METAL-AIR BATTERY INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CARBON NANOTUBE THIN FILM_+++G_K_L_M_N_O_P_Q_S_j_r+++.docx
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2019-02-07_US2019044150A_发明申请_US20190044150A1 CONDUCTIVE MATERIAL DISPERSED LIQUID AND SECONDARY BATTERY MANUFACTURED USING THE SAME_+++A_K_Q_e_f_j_l+++.docx
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2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-10-16_KR1020190117387A_发明公开_KR1020190117387A 전극, 상기 전극을 포함하는 이차 전지, 및 상기 전극의 제조 방법_+++A_F_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_e_g_h_j+++.docx
2026-07-03 00:57
WO2019194662A1_Description_20260618_2341_+++A_F_G_J_L_R_S_e_h_k_m_n_o_p_q+++.docx
2026-07-03 00:57
2014-05-08_WO2014068318A_发明申请_WO2014068318A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++j+++.docx

对比文件名称:2014-05-08_WO2014068318A_发明申请_WO2014068318A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE

目标专利名称:1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B

本次调用的模型名称:(未提供)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括负极集电器。《直接公开》[p0079] “电池200具有导电阳极集电器层201,如金属层;第一复合阳极层203a;第二复合阳极层203b…”。对比文件明确公开了负极集电器(导电层201),其作用与目标专利相同,用于承载活性材料层并传导电子。本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该特征已被公开。
技术特征B:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层。《直接公开》[p0047] “可选地,第一复合电极层形成在导电层上。” [p0079] “第一复合阳极层203a设置在集电器层201上”。对比文件公开了第一复合电极层设置在集电器上,完全对应于目标专利的第一负极活性材料层设置在负极集电器上的结构,作用相同。
技术特征C:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层。《直接公开》[p0048] “可选地,第二复合电极层形成在第一复合电极层上。” [p0079] “第二复合阳极层203b设置在第一复合阳极层203a上”。对比文件明确公开了第二复合电极层位于第一复合电极层之上,与目标专利的层叠顺序完全一致,直接公开该技术特征。
技术特征D:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且中所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂。《直接公开》[p0079] “每个复合阳极层203a和203b包含至少一种粘合剂和一种或多种电活性材料的颗粒。可以含有一种或多种其他组分,例如一种或多种非活性导电材料的颗粒,例如炭黑。” [p0050] “可选地,一个或多个复合电极层进一步包含导电颗粒添加剂。”对比文件明确指出第一层和第二层均包含电活性材料,并且均可选择性地包含导电添加剂(如炭黑、碳纳米管等)。因此,第一层包含第一负极活性材料和第一导电剂,第二层包含第二负极活性材料和第二导电剂已被直接公开。
技术特征E:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料。《直接公开》[p0086] “优选地,第一复合层包含石墨作为主要活性组分,第二复合层包含硅作为主要活性组分。” [p0031] “可选地,第二复合电极层的主要活性组分选自硅、锡、铝、铅、锑。”对比文件明确公开第二复合电极层的主要活性组分为硅(硅基活性材料),与本特征完全一致,直接公开。
技术特征F:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)。《未公开》对比文件全文未出现“SiOx”或“氧化硅”的表述。在[p0031]和[p0086]等处仅提及“硅”(silicon)。对比文件仅公开了硅作为活性材料,并未公开或暗示必须使用SiOx这种特定氧化硅。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出需采用SiOx,因此未公开。
技术特征G:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构。《未公开》[p0050] “导电颗粒添加剂包括碳纳米管、碳纤维、Ketjen黑、灯黑、乙炔黑、石墨烯和沥青黑。” [p0202] “Cmix是碳纳米管、VGCF碳纳米纤维和EC600炭黑的5:5:2重量混合物。”对比文件虽然公开了第二导电剂包含碳纳米管,但未对碳纳米管的形态作任何限定。完全没有提及“单壁碳纳米管单元并排结合成绳状”这一特定结构(即2至5,000个单壁单元并排结合的碳纳米管结构)。因此本特征未公开。
技术特征H:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中。《未公开》[p0202] 第二层配方:70份活性硅、14份PAANa、12份SFG6、4份Cmix。Cmix中碳纳米管占5/12,故碳纳米管约占第二层总重的1.67wt%(计算值)。[p0184] 添加剂含量范围0.25-20wt%。对比文件未公开碳纳米管结构(rope)的含量范围,且实施例中碳纳米管的含量约1.67wt%,超出了目标专利限定的0.01-1.0wt%上限。同时对比文件未教导该特定含量范围。因此未公开。
技术特征I:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种。《直接公开》[p0050] “导电颗粒添加剂包括碳纳米管、碳纤维、Ketjen黑、灯黑、乙炔黑、石墨烯和沥青黑。”本领域常见碳纳米管通常包含多壁碳纳米管单元。对比文件明确公开第一导电剂可选碳纳米管,而本领域公知碳纳米管包括多壁碳纳米管单元。因此第一导电剂包含多壁碳纳米管单元已被直接公开(满足至少一种)。碳纳米管结构虽未公开,但特征I为“至少一种”,公开多壁碳纳米管单元即满足。
技术特征J:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构。《隐含公开》对比文件未明确描述网络结构,但[p0184]指出导电添加剂用于提高导电性;本领域公知导电添加剂(如碳纳米管)在电极层中会相互接触形成导电网络。对比文件隐含公开了碳纳米管作为导电添加剂能够在层中形成导电网络,从而实现互连。本领域技术人员可以合理推断出碳纳米管结构会互连形成网络,因此隐含公开。
技术特征K:其中在所述碳纳米管结构中。《未公开》对比文件无“碳纳米管结构”这一特定术语,仅在[p0050]等处提及“碳纳米管”。特征K本身并非独立的技术限定,但对比文件未给出“碳纳米管结构”这一特定概念。即使考虑碳纳米管的存在,但未明确其结构状态,因此未公开。
技术特征L:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合。《未公开》对比文件全文未描述单壁碳纳米管单元之间的结合方式或取向。对比文件未公开任何关于单壁碳纳米管单元长轴平行结合的结构特征,因此未公开。
技术特征M:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm。《未公开》对比文件未提及碳纳米管结构的长度范围。对比文件未公开碳纳米管结构的平均长度,本领域技术人员无法直接得出该数值范围。
技术特征N:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm。《未公开》对比文件未提及。无公开内容。
技术特征O:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm。《未公开》对比文件未提及。无公开内容。
技术特征P:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm。《未公开》对比文件未提及。无公开内容。
技术特征Q:其中在所述碳纳米管结构中。《未公开》(同特征K)对比文件未定义此结构。与特征K理由相同,未公开。
技术特征R:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm。《未公开》对比文件未提及单壁碳纳米管单元直径。无公开内容。
技术特征S:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构。《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构中单壁单元的数量。该具体数量范围完全未被对比文件涉及。
技术特征T:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。《直接公开》[p0125] “第一复合电极层203a的厚度优选在约20-40微米的范围内。”对比文件公开的20-40μm完全落入1-100μm的范围内,属于直接公开。
技术特征U:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。《直接公开》[p0125] “第二复合电极层203b的厚度优选在5-20微米的范围内。”对比文件公开的5-20μm完全落入1-100μm的范围内,属于直接公开。

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