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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2014-05-08_WO2014068318A_发明申请_WO2014068318A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++j+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_d_e_h_i_j_l_r+++.docx
2026-07-03 00:57
2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
2026-07-03 00:57
2017-10-12_KR1020170113250A_发明公开_KR1020170113250A 도전재 분산액 및 이를 이용하여 제조한 이차전지_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_a_b_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-01-31_US2019036186A_发明申请_US20190036186A1 POSITIVE ELECTRODE FOR METAL-AIR BATTERY, METAL-AIR BATTERY INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CARBON NANOTUBE THIN FILM_+++G_K_L_M_N_O_P_Q_S_j_r+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-02-07_US2019044150A_发明申请_US20190044150A1 CONDUCTIVE MATERIAL DISPERSED LIQUID AND SECONDARY BATTERY MANUFACTURED USING THE SAME_+++A_K_Q_e_f_j_l+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-10-16_KR1020190117387A_发明公开_KR1020190117387A 전극, 상기 전극을 포함하는 이차 전지, 및 상기 전극의 제조 방법_+++A_F_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_e_g_h_j+++.docx
2026-07-03 00:57
WO2019194662A1_Description_20260618_2341_+++A_F_G_J_L_R_S_e_h_k_m_n_o_p_q+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-02-07_US2019044150A_发明申请_US20190044150A1 CONDUCTIVE MATERIAL DISPERSED LIQUID AND SECONDARY BATTERY MANUFACTURED USING THE SAME_+++A_K_Q_e_f_j_l+++.docx

**对比文件名称**:2019-02-07_US2019044150A_发明申请_US20190044150A1 CONDUCTIVE MATERIAL DISPERSED LIQUID AND SECONDARY BATTERY MANUFACTURED USING THE SAME

**目标专利名称**:负极和包括所述负极的二次电池(CN114730859B)

**本次调用的模型名称**:DeepSeek

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## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:包括负极集电器<br>《直接公开》[0125] “集电器没有特别限制,只要其具有导电性而不引起电池中的化学变化即可,例如可以使用铜、不锈钢、铝、镍、钛、煅烧碳或经表面处理的铝或不锈钢。” [0167] 制备例2中将负极组合物涂覆在铜集电器上制备负极。对比文件明确公开了负极集电器(铜箔等),且在实际制备中使用了铜集电器,直接公开了该技术特征。
**技术特征B**:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层<br>《未公开》无直接对应内容。对比文件仅公开了单一负极活性材料层(制备例2),未公开第一负极活性材料层及其设置在集电器上的结构。对比文件没有公开负极具有第一和第二活性材料层的双层结构,也没有任何暗示或推理可得到“第一负极活性材料层”。因此未公开。
**技术特征C**:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层<br>《未公开》无直接对应内容。对比文件未公开第二负极活性材料层。同技术特征B,对比文件仅描述单层负极,未提及任何第二层,也未给出双层结构的教导。因此未公开。
**技术特征D**:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且中所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂<br>《未公开》无直接对应内容。对比文件未区分第一和第二层,也未公开每层分别包含活性材料和导电剂的具体配置。对比文件未涉及双层负极的组成分配置,无法得出“第一层包含第一活性材料和第一导电剂、第二层包含第二活性材料和第二导电剂”的技术方案。因此未公开。
**技术特征E**:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料<br>《隐含公开》[0117] “…负极活性材料可以是…SiOx (0<x<2), SnO2, 钒氧化物或含Si、Sn的复合材料等。”对比文件公开了SiOx作为负极活性材料(硅基活性材料),但未明确该材料用于第二层。由于对比文件未公开双层结构,但本领域技术人员从对比文件可合理推断硅基活性材料可用于负极(包括可能用于某活性材料层),同时目标专利通过双层结构将硅基活性材料配置在第二层,对比文件对此未直接公开,但基于对比文件对硅基活性材料的公开,结合常规知识,有可能将其用于任一活性材料层,因此隐含公开该特征。
**技术特征F**:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)<br>《隐含公开》[0117] “…SiOx (0<x<2)…”对比文件明确写明了SiOx(氧指数大于0小于2),目标专利中x可等于0(即单质硅),但单质硅也是硅基活性材料的一种。对比文件公开了SiOx作为负极活性材料,虽然范围略微不同,但实质公开了硅氧化物活性材料,本领域技术人员可以直接得知SiOx系列材料,因此隐含公开(x=0的情况为公知常识,且对比文件范围接近)。
**技术特征G**:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构<br>《未公开》[0024] “束状(bundle type)是指多个碳纳米管单元的长轴沿基本平行方向排列或螺旋扭曲的二次束形状。” [0037] “碳纳米管单元可分为单壁、双壁和多壁。”对比文件公开了束状碳纳米管(多个单元平行排列),但未限定单元数量(2-5000),也未明确限定为单壁碳纳米管单元(对比文件可包括多壁)。虽然束状结构与目标专利的碳纳米管结构类似,但具体单元数量和单壁限定未公开,本领域技术人员不能毫无疑义地确定对比文件的束状就是由2-5000个单壁单元并排结合而成,因此未公开。
**技术特征H**:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中<br>《未公开》对比文件[0093]提到碳纳米管在分散液中的含量(1-30wt%),但未公开在电极活性材料层中的含量范围;制备例2中正极使用了该分散液,但未给出最终电极中碳纳米管的具体含量,且该正极与目标专利的负极无关。对比文件完全没有涉及碳纳米管结构在负极活性材料层中的特定含量范围,尤其未公开0.01-1.0wt%的数值。因此未公开。
**技术特征I**:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种<br>《未公开》[0036] “导电剂包括束状碳纳米管。” [0037] “碳纳米管单元可包括多壁。” 对比文件在多项实施例中使用了束状碳纳米管作为导电剂,但未区分第一和第二导电剂,且未公开“第一导电剂”的具体组成。对比文件公开了碳纳米管(包括多壁)作为导电剂,但目标专利的特征I是在双层结构前提下定义第一导电剂。由于对比文件未公开双层结构及第一导电剂的概念,且特征I引用的“所述碳纳米管结构”在对比文件中未被明确公开(见特征G),故未公开。
**技术特征J**:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构<br>《隐含公开》[0005] “碳纳米管在电极中形成导电通路,可降低电阻。” [0025] 碳纳米管的导电网络特性。对比文件明确碳纳米管可在电极中形成导电通路(网络),本领域技术人员必然理解束状碳纳米管在活性材料层中会相互连接形成网络结构。虽然对比文件未针对“第二负极活性材料层”,但基于碳纳米管的固有特性,可合理推断其在该层中形成网络,因此隐含公开。
**技术特征K**:其中在所述碳纳米管结构中<br>《直接公开》[0024] 定义束状碳纳米管结构。[0036] “导电材料包括束状碳纳米管。”对比文件直接公开了存在碳纳米管结构(束状),因此“在所述碳纳米管结构中”这一引述性特征被直接公开。
**技术特征L**:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合<br>《隐含公开》[0024] “束状是指多个碳纳米管单元的长轴沿基本平行方向排列或螺旋扭曲的二次束形状。” 且[0037] 单元可包括单壁。对比文件明确公开了碳纳米管单元的长轴平行排列(束状特征),但未限定为“单壁碳纳米管单元”。由于对比文件允许单元为单壁,本领域技术人员在阅读对比文件后,可合理推导出单壁碳纳米管单元同样可采用这种平行排列的束状结构,因此隐含公开。
**技术特征M**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm<br>《未公开》[0041] “碳纳米管单元的长度在1~200μm。” 但未公开碳纳米管结构(束)的长度范围。对比文件只给出了碳纳米管单元的长度范围,而碳纳米管结构是由多个单元并排结合形成的束,其长度可能大于单元长度,但对比文件未测量或公开束的长度,更未公开1~500μm的具体范围。故未公开。
**技术特征N**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm<br>《未公开》同上,无对应内容。同特征M,未公开。
**技术特征O**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm<br>《未公开》[0040] “碳纳米管单元的平均直径在30nm以下,优选10~20nm。” 未公开束的直径范围。对比文件仅公开了单元的直径,束的直径通常大于单元直径,但未给出具体数值,更未公开2~500nm的范围。故未公开。
**技术特征P**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm<br>《未公开》同上,无对应内容。同特征O,未公开。
**技术特征Q**:其中在所述碳纳米管结构中<br>《直接公开》同特征K,[0024]定义了束状碳纳米管结构。同特征K,直接公开。
**技术特征R**:所述单壁 碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm<br>《未公开》,/td>[0040] 提到单元平均直径30nm以下优选10~20nm,但该数值对应的是多壁为主的CNT,且未提及0.5~10nm的范围,也未单独强调单壁单元直径。对比文件中使用的CNT平均直径为15nm(实施例1的表1),明显超出了0.5~10nm的范围,也未公开任何单壁CNT单元的直径信息“故未公开。

- lechnical Feature S: The carbon nanotube structure is a carbon nanotube structure in which 2 to 50 single-walled carbon nanotube units are bonded to each other

无对应内容。对比文件未公开束状结构中单元的具体数量,更未提及2~50个的范围。因此未公开。
**技术特征T**:所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《未公开》[0167] 制备例2中负极活性材料层干燥后厚度未提及;[0125] 否。对比文件没有公开负极活性材料层的厚度值,尤其是第一负极活性材料层的厚度范围。故未公开。
**技术特征U**:所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《未公开》否。对比文件未公开第二层厚度,故未公开。

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## 公开性代码

根据以上判断,被直接公开的技术特征:A, K, Q

被隐含公开的技术特征:e, f, j, l

对应代码(按字母顺序排列):

<<<A>>> <<<K>>> <<<Q>>> <<<e>>> <<<f>>> <<<j>>> <<<l>>>

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