对比文件名称：2014-11-13_JP2014212034A_发明专利_JP2014212034A 非水電解質二次電池
目标专利名称：1530电池单元和包括该电池单元的电池模块CN115136396B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电池单元包括（直接公开） | [0002] “近年来，...非水电解质二次电池的研究开发正在积极进行。” [0012] “本发明的非水电解质二次电池具有...”。 | 对比文件公开了一种非水电解质二次电池，即电池单元，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：电池壳体，所述电池壳体具有容纳部分和密封部分，在所述容纳部分中安装有电极组件，所述密封部分通过热熔融来密封所述电池壳体外周而形成（直接公开） | [0012] “具有将内部电极体与非水电解质的电解液一起密封状态收容的外装材”。 [0022] “装入袋状铝层压片...将铝层压片的3边热熔接”。 | 外装材即为电池壳体，内部收容电极组件和电解液，通过热熔接形成密封，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：电极引线，所述电极引线电连接到包括在所述电极组件中的电极接头并且经由所述密封部分突出到所述电池壳体之外（直接公开） | [0012] “与正极和负极分别连接的至少2根金属tab lead，金属tab lead露出到外装材外部”。 | 金属tab lead即电极引线，从外装材密封部分突出，直接公开。 |
| 技术特征D：引线膜，所述引线膜位于所述电极引线的上部和下部的至少一个中与所述密封部分相对应的部分（直接公开） | [0020] “在形成有氢透过材料12的金属tab lead14的一部分上，以从上面到下面涂布聚丙烯等热熔接树脂16。该热熔接树脂16用于...将外装材10与金属tab lead14粘接。” | 热熔接树脂涂布在电极引线的上下表面，位于与外装材的密封部分相对的位置，起到绝缘和密封作用，相当于引线膜，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述引线膜具有朝向所述电池壳体的内部凹陷的凹陷部分（未公开） | 对比文件未公开凹陷部分结构。 | 对比文件的热熔接树脂上没有形成凹陷部分，氢透过材料也不具有凹陷结构，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述凹陷部分朝向所述电池壳体的外部开口（未公开） | 对比文件未公开。 | 同技术特征E，无凹陷部分则无开口。 |
| 技术特征G：所述引线膜基于所述电极引线的突出方向围绕所述凹陷部分的后表面和所述凹陷部分的上表面（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开凹陷部分，无可关联内容。 |
| 技术特征H：所述凹陷部分的所述后表面是所述凹陷部分的位于所述电池壳体内部的表面；并且中，所述电池壳体内部产生的气体由于所述凹陷部分的内部与外部之间的压力差通过渗透被排出到所述凹陷部分（未公开） | 对比文件未公开凹陷部分及该气体路径。 | 对比文件中气体通过氢透过材料渗透排出，而非通过凹陷部分，故未公开。 |
| 技术特征I：引入到所述凹陷部分中的气体朝向外部排出（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征J：其中，所述凹陷部分的内表面基于所述电极引线的突出方向而封闭（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征K：所述凹陷部分的所述内表面包括所述凹陷部分的所述后表面、所述上表面和下表面（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征L：所述电池单元还包括内层（未公开） | 对比文件未公开内层结构。 | 对比文件没有凹陷部分，因此没有覆盖凹陷部分内表面的内层；氢透过材料形成在电极引线上，并非内层。 |
| 技术特征M：所述内层被配置为覆盖所述引线膜的所述凹陷部分的所述内表面中的至少一个表面（未公开） | 对比文件未公开。 | 同L。 |
| 技术特征N：其中，所述内层的材料与所述引线膜的材料相比具有更高的熔点（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开内层，也未比较熔点。 |
| 技术特征O：不与电解液反应（未公开） | 对比文件未明确。 | 无。 |
| 技术特征P：其中，所述引线膜包含聚烯烃基材料（直接公开） | [0020] “聚丙烯等的热熔接树脂”。 | 热熔接树脂即引线膜，使用聚丙烯（聚烯烃基材料），直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述内层包含聚烯烃基材料、氟基材料和多孔陶瓷基材料中的至少一种（未公开） | [0018] 公开氢透过材料可含沸石（多孔陶瓷）等，但该氢透过材料并非内层。 | 对比文件未公开内层材料；氢透过材料与目标专利中的内层功能、位置均不同，不能认定为内层。 |
| 技术特征R：其中，所述内层具有在所述引线膜与所述内层之间的粘合剂材料（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征S：或者与所述引线膜一起伸出并且粘附到所述引线膜（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征T：其中，所述凹陷部分位于所述电极引线上方（未公开） | 对比文件未公开凹陷部分。 | 无。 |
| 技术特征U：其中，所述引线膜的长度大于所述电极引线的宽度（未公开） | 对比文件未公开长度与宽度的比较。 | 对比文件未给出热熔接树脂与电极引线的尺寸关系。 |
| 技术特征V：其中，所述凹陷部分位于所述电极引线的端部与所述引线膜的端部之间（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征W：其中，所述凹陷部分包括第一凹陷部分和第二凹陷部分（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征X：所述第一凹陷部分沿着所述电极引线的突出方向延伸（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征Y：所述第二凹陷部分沿着所述密封部分的纵向方向延伸（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
| 技术特征Z：其中，所述引线膜的宽度大于所述密封部分的宽度并且小于所述电极引线的长度（未公开） | 对比文件未公开。 | 无。 |
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