对比文件的名称：2014-07-03_US2014186651A_发明申请_US20140186651A1 PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING COPPER PLATED LAYER WITH ROUGHNESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
目标专利的名称：1558印刷电路板CN113243145B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括 - **直接公开** | [0018]“根据本发明优选实施例，提供一种印刷电路板（以下称为‘第一发明’）包括：板；形成在板上的铜箔层；以及形成在铜箔层上并具有各向异性晶体取向结构的铜镀层。” | 对比文件明确公开了印刷电路板包括板、铜箔层和铜镀层等组成部分，其中“包括”一词直接对应目标专利的“包括”。本领域技术人员可以直接毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：绝缘层 - **直接公开** | [0044]“积层层130可以包括设置在绝缘体或预浸料110的至少一个上表面和下表面上的绝缘层131和设置在绝缘层131上并连接各层的电路层132。” | 对比文件公开了绝缘层131作为印刷电路板的组成部分，该绝缘层是绝缘性的层，与目标专利的绝缘层作用相同。因此直接公开。 |
| 技术特征C：电路图案 - **直接公开** | [0044]“电路层132”及[0054]“形成用作电路布线的铜镀层”。 | 对比文件公开了电路层或铜镀层作为电路图案，用于传输电信号。与目标专利的电路图案对应。直接公开。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上 - **直接公开** | [0044]“电路层132设置在绝缘层131上”。 | 对比文件明确说明电路层设置在绝缘层上，与特征D完全相同。直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面 - **隐含公开** | [0051]“铜镀层的上表面或上表面和侧表面可以设置有粗糙度”；[0044]显示电路图案具有矩形截面。 | 对比文件明确提到铜镀层的上表面和侧表面（侧表面包括第一和第二侧表面），但未明确提及下表面。然而，本领域技术人员从电路图案的几何结构可知其必然包括与绝缘层接触的下表面。同时，对比文件图1示出了电路层设置在绝缘层上，暗示下表面的存在。因此，可以合理推断出电路图案具有上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面。故该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下 - **直接公开** | [0050]“该粗糙度具有算术平均粗糙度Ra为0.02至0.5 μm”；[0051]“铜镀层的上表面或上表面和侧表面可以设置有粗糙度”。 | 对比文件公开了铜镀层（即电路图案）的粗糙度Ra可在0.02-0.5 μm范围内调整，该范围包含0.31 μm以下。同时，对比文件明确铜镀层的上表面和侧表面（两个侧表面）可设置粗糙度，即至少三个表面（上表面、第一侧表面、第二侧表面）可具有粗糙度。因此，该三个表面的Ra可以设定为0.31 μm以下。故该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度 - **未公开** | 无直接对应内容。 | 对比文件未涉及根据表面长度调整粗糙度大小的关系。相反，对比文件[0066]提出仅在上表面设置粗糙度以降低信号损失，此时上表面（长度可能更长）的粗糙度大于侧表面（无粗糙度），与特征G相反。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下 - **隐含公开** | [0050]“算术平均粗糙度Ra为0.02至0.5 μm”。 | 对比文件公开的Ra范围包含0.17 μm以下，且本领域技术人员可以根据工艺需求（如调整电镀抑制剂浓度、等离子体处理参数）将粗糙度控制在0.17 μm以下。结合对比文件公开的上表面和侧表面可设置粗糙度，可以合理推断出至少三个表面的Ra可实现0.17 μm以下。故该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm - **隐含公开** | [0050]“Ra为0.02至0.5 μm”；发明示例1和2得到平均粗糙度约0.05 μm。 | 对比文件公开的Ra范围0.02-0.5 μm包含0.1-0.13 μm子范围。尽管具体实施例为0.05 μm，但本领域技术人员通过调节工艺参数（如PEG浓度、等离子体条件）可以使得Ra落在0.1-0.13 μm之间。因此，存在合理可能性实现该范围，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同 - **隐含公开** | [0055]“形成8 μm厚铜膜”；通常电路图案宽度大于厚度。 | 对比文件未明确比较长度，但印刷电路板电路图案的典型几何特征是横截面宽度（上/下表面长度）远大于高度（侧表面长度）。本领域技术人员熟知这一差异，并且对比文件图1、2中示出的电路图案显然具有不同的宽度和高度。因此，该差异是隐含的。 |
| 技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同 - **直接公开** | [0066]“仅在上表面形成粗糙度……可以获得仅上部分具有粗糙度的铜镀层”、“当仅在上部分形成具有钩状锚固结构的粗糙表面时，……降低信号传输损失率。” | 对比文件明确公开了一种实施方式：仅铜镀层的上表面形成粗糙度，而侧表面不形成粗糙度（即侧表面粗糙度极小或为零）。这直接导致上表面粗糙度与侧表面粗糙度不同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra) - **未公开** | 无对应关系。 | 对比文件没有公开表面长度比较与粗糙度比较的关联。在公开的仅有上表面粗糙度的实施例中，上表面长度通常大于侧表面长度，但上表面粗糙度大于（而非小于）侧表面粗糙度（侧表面无粗糙度）。因此，目标专利要求的粗糙度小于侧表面的关系未被公开或暗示。 |
| 技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度 - **隐含公开** | 无直接定义，但电路图案横截面中上表面的宽度即为长度。 | 本领域技术人员普遍知晓，在电路图案的宽度方向横截面中，上表面的长度就是该表面的宽度。对比文件虽未明确定义，但这属于公知常识，可以从对比文件附图中推导得出。 |
| 技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度 - **隐含公开** | 类似M。 | 同上，下表面的长度在其横截面中对应宽度。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度 - **隐含公开** | [0055]“形成8 μm厚铜膜”提及厚度。 | 侧表面的长度在横截面中即为电路图案的高度，对比文件公开了镀层厚度，本领域技术人员可理解侧表面长度对应高度。 |
| 技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下 - **直接公开** | [0050]“算术平均粗糙度Ra为0.02至0.5 μm”。 | 对比文件公开的Ra范围上限0.5 μm，包含0.42 μm以下。且如特征F论述，至少三个表面（上表面和两侧表面）可以具有该范围内的粗糙度。故直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下 - **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件全文未涉及阻抗值及其测量或控制。 |
| 技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层 - **直接公开** | [0055]“在绝缘层上形成用作电镀种子层的铜箔层”。 | 对比文件明确将铜箔层作为电镀种子层，该种子层是电路图案的一部分（用于后续电镀）。直接公开。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上 - **直接公开** | [0055]“在绝缘层上形成用作电镀种子层的铜箔层”。 | 对比文件明确种子层（铜箔层）形成在绝缘层上。直接公开。 |
| 技术特征T：图案层 - **直接公开** | [0018]“形成在铜箔层上并具有各向异性晶体取向结构的铜镀层”；[0055]“形成用作电路布线的镀层”。 | 铜镀层构成电路图案的图案层，用于传输信号。直接公开。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上 - **直接公开** | [0018]“形成在铜箔层上的铜镀层”。 | 铜镀层直接形成在铜箔种子层上。直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面 - **直接公开** | [0051]“铜镀层的上表面”；图2示出铜镀层的上表面。 | 对比文件公开铜镀层的上表面为粗糙度处理表面，该上表面即为电路图案的上表面（图案层的上表面）。直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面 - **隐含公开** | [0055]“在绝缘层上形成用作电镀种子层的铜箔层”。 | 种子层（铜箔）的下表面直接与绝缘层接触，该界面构成电路图案的下表面。虽然对比文件未明确说“下表面是种子层的下表面”，但本领域技术人员可以合理推断出电路图案的下表面即为种子层与绝缘层的接触面。 |
| 技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面 - **隐含公开** | [0054]-[0055]描述的制造过程：形成种子层、图案化PR、电镀铜镀层，通常种子层在镀后需蚀刻去除暴露部分，最终电路剖面由种子层和镀层组成。 | 对比文件未直接描述侧表面的分层结构，但根据其制造方法，本领域技术人员可以理解最终电路图案的侧壁必然同时包括种子层（铜箔）的侧边和铜镀层的侧边，因为种子层先被图形化后镀层填充。因此隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度 - **未公开** | 未提及比较关系。 | 对比文件没有涉及上表面长度与下表面长度的大小关系，也未教导种子层与镀层宽度差异。 |
| 技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间 - **未公开** | [0052]“显示了与……垂直结构或锥形三维结构完全不同的结构特征……粗糙表面的下部末端部分向内进一步凹陷的形状”。 | 对比文件明确指出其形成的粗糙表面锚固结构不是垂直或锥形（即倾斜）结构，而是钩状凹陷。因此，没有公开具有规定的倾斜角度的侧表面。 |
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