对比文件名称：2018-01-18_JP2018010931A_发明专利_JP2018010931A 配線基板及びその製造方法
目标专利名称：1558印刷电路板CN113243145B
模型名称：通义千问
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括 《直接公开》 | [0007]“本配线基板包括绝缘层和埋入绝缘层一侧的配线层”。（原文：本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面側に埋め込まれた配線層と、を有し） | 对比文件明确记载配线基板具有绝缘层和配线层，直接公开了“包括”的涵盖性含义。 |
| 技术特征B：绝缘层 《直接公开》 | [0014]“配线基板1具有绝缘层20”。（原文：絶縁層20） | 对比文件明确记载绝缘层20，直接公开。 |
| 技术特征C：电路图案 《直接公开》 | [0014]“配线层10”。（原文：配線層10） | 对比文件中的“配线层”即相当于本专利的“电路图案”，直接公开。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上 《直接公开》 | [0014]“配线层10嵌入绝缘层20的上表面侧”。（原文：配線層10は絶縁層20の一方の面側(上面側)に埋め込まれている） | 对比文件公开配线层设置（嵌入）在绝缘层上表面侧，即相当于设置在绝缘层上，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面 《直接公开》 | [0014]“配线层10的上表面从绝缘层20的上表面露出，配线层10的下表面及侧面被绝缘层20包覆”。（原文：配線層10の上面は絶縁層20の上面から露出し、配線層10の下面及び側面は絶縁層20に被覆されている） | 对比文件明确提及上表面(上面)、下表面(下面)和侧面(側面)，通常侧面包括两个相对的侧表面，因此本领域技术人员可直接确定第一侧表面和第二侧表面，直接公开。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下 《隐含公开》 | [0035]“通过粗化处理，配线层10的另一面及侧面的表面粗糙度被粗化为Ra=100nm～500nm的范围，例如Ra=300nm”。（原文：粗化処理により、配線層10の他方の面及び側面の表面粗さが、Ra=100nm〜500nm程度の範囲、例えばRa=300nmに粗化される） | 对比文件公开底面及侧面Ra在100-500nm(0.1-0.5μm)，该范围包含0.31μm以下子区间。同时记载“配线层10的一个面的粗糙度小于另一面及侧面的粗糙度”，即上表面更小。本领域技术人员可选择粗化条件使底面及侧面Ra≤0.31μm，则上表面必然更小，从而至少三个表面满足要求。虽未明示，但可合理推出，故隐含公开。 |
| 技术特征G：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度 《未公开》 | 对比文件未涉及基于表面长度调整粗糙度的内容。 | 对比文件仅公开上表面粗糙度小于底面及侧面，但未将粗糙度与表面长度关联，也没有教导根据长度差异设置粗糙度的技术思想，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下 《隐含公开》 | 同特征F引用[0035]。 | 对比文件公开的Ra范围(100-500nm)包含100-170nm(0.1-0.17μm)，且上表面更小，故通过工艺控制可使至少三个表面Ra≤0.17μm，隐含公开。 |
| 技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm 《隐含公开》 | 同特征F引用[0035]。 | 对比文件公开的Ra范围包含100-130nm(0.1-0.13μm)的子区间，且上表面更小，因此可合理得出至少三个表面可处于该区间，隐含公开。 |
| 技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同 《隐含公开》 | [0016]-[0019]公开配线图案宽度10μm、厚度12μm，焊盘宽度25μm、厚度15μm等数值，但未直接比较各表面长度。 | 对比文件公开了配线层不同部位的宽度和厚度具体值，本领域技术人员可直接得知在横截面中，上表面宽度（长度）、下表面宽度（长度）与侧表面高度（长度）存在不同，该差异是必然存在的，故隐含公开。 |
| 技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同 《直接公开》 | [0035]“又，配线层10的一个面的粗糙度比配线层10的另一面及侧面的粗糙度大（注：原文意为"一方の面の粗度より…粗度が大きくなる"，即一个面的粗糙度小于另一面及侧面）”。（原文：又、配線層10の一方の面の粗度より、配線層10の他方の面及び側面の粗度が大きくなる） | 对比文件明确记载上表面的粗糙度小于下表面及侧面的粗糙度，即直接公开了不同表面之间粗糙度存在差异的特征。 |
| 技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra) 《未公开》 | 对比文件未同时公开长度比较与粗糙度比较的组合关系。 | 对比文件虽然公开了粗糙度差异（上表面<下表面及侧面），但未明确任何关于表面长度比较的内容（如宽度与高度的关系），更没有将长度大小与粗糙度大小建立关联。因此，该组合特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度 《隐含公开》 | 对比文件未明确定义，但图1及说明暗示宽度概念。 | 在电路图案宽度方向的横截面中，上表面长度即为该表面的宽度，这是本领域的常规理解。对比文件虽未明述，但本领域技术人员可毫无疑义地确定，故隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度 《隐含公开》 | 同上。 | 同理，下表面的长度对应下表面的宽度，隐含公开。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度 《隐含公开》 | 同上。 | 侧表面的长度对应于电路图案的厚度（高度），本领域技术人员能够清楚认定，隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下 《未公开》 | 对比文件未提及Rq值。 | 对比文件仅公开Ra值，完全没有涉及Rq参数，因此不能认为公开了技术特征P。 |
| 技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下 《未公开》 | 对比文件未涉及阻抗。 | 对比文件全文未讨论阻抗值或相关特性，故未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层 《未公开》 | [0014]“配线层10由单一金属层构成”。（原文：配線層10は単一の金属層からなる） | 对比文件明确说明配线层是单一金属层，没有区分电镀种子层和图案层，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上 《未公开》 | 同上。 | 对比文件无电镀种子层，故未公开。 |
| 技术特征T：图案层 《未公开》 | 同上。 | 对比文件无图案层结构，未公开。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上 《未公开》 | 同上。 | 无对应结构，未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面 《未公开》 | 同上。 | 无图案层，未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面 《未公开》 | 同上。 | 无种子层，未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面 《未公开》 | 同上。 | 无分层结构，未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度 《未公开》 | 对比文件未描述这种关系。 | 对比文件未提及上表面与下表面长度的比较，也未从制造工艺或结构特征中暗示必然存在上短下长的关系，故未公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间 《未公开》 | 对比文件未提及倾斜角度。 | 对比文件虽在开口部形成时可能有锥度，但未描述配线层本身侧壁的倾斜角度，故未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、K；隐含公开了技术特征F、H、I、J、M、N、O。其余特征未公开。
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